539.2 Р 598 Рогозин, И. В. Исследование особенностей роста пленок GaN в системе GaN-GaAs методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии [Текст] / И. В. Рогозин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 8. - С. 78-81 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пленки GaN -- рост пленок -- система GaN-GaAs -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия Аннотация: Пленки GaN получены на подложках GaAs (111) методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. Химический состав поверхности подложки и стехиометрия пленок исследовались методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Обнаружено, что при низких температурах на начальных стадиях роста на поверхности GaAs образуются связи Ga-N и As-N. Установлено, что длительный отжиг пленок GaN в присутствии радикалов азота приводит к сдвигу стехиометрии в сторону избытка азота. |
621.3 Р 598 Рогозин, И. В. Приготовление пленок ZnO : N методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии [Текст] / И. В. Рогозин // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 8. - С. 924-928 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные пленки -- пленки ZnO : N -- ZnO : N -- радикало-лучевая геттерирующая эпитаксия -- рентгеновская дифракция -- атомная силовая микроскопия -- вторично-ионная масс-спектроскопия -- фотолюминесценция Аннотация: Эпитаксиальные пленки ZnO : N получены методом радикально-лучевой геттерирующей эпитаксии. Свойства пленок исследованы с помощью рентгеновской дифракции, атомной силовой микроскопии, вторично ионной масс-спектроскопии и фотолюминесценции. В рентгеновских дифракционных спектрах образцов наблюдается узкий пик (002), что указывает на ориентацию пленок ZnO : N вдоль c-оси. Вторично ионная масс-спектроскопия показывает наличие азота в пленках ZnO. В спектре низкотемпературной фотолюминесценции ZnO : N наблюдается пик 3. 31 эВ, предположительно экситона, связанного на нейтральном акцепторе - N[O]. Посттермический отжиг пленок ZnO : N осуществлялся в атомарном кислороде. Обсуждается природа донорно-акцепторной 3. 23 эВ и зеленой 2. 56 эВ полосы фотолюминесценции. |
Рогозин, И. В. Структурные и люминесцентные свойства пленок ZnO : P, полученных отжигом подложек ZnP[2] в атомарном кислороде [Текст] / И. В. Рогозин // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 1. - С. 26-30 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные пленки -- рентгеновская дифракция -- оже-спектроскопия -- микроскопия -- фотолюминесценция -- донорно-акцепторные пары Аннотация: Эпитаксиальные пленки ZnO: P получены отжигом подложек ZnP[2] в атомарном кислороде (радикалах). Свойства пленок исследованы с помощью рентгеновской дифракции, атомной силовой микроскопии, оже-спектроскопии, фотолюминесценции. В рентгеновских дифракционных спектрах образцов наблюдается пик (002), что указывает на ориентацию пленок ZnO : P вдоль c-оси. Оже-спектроскопия показывает наличие фосфора в пленках ZnO. В спектре низкотемпературной фотолюминесценции ZnO : P наблюдаются пик 3. 356 эВ предположительно экситона, связанного на нейтральном акцепторе, и переход свободный электрон-акцептор при 3. 306 эВ, связанный с уровнем P[O]. Акцепторный уровень, связанный с фосфором, локализован при 128 мэВ выше потолка валентной зоны. Обсуждается природа полосы при 3. 312 эВ, связываемая с рекомбинацией на донорно-акцепторных парах. |
621.315.592 С 873 Структурные и электролюминесцентные свойства гетероперехода n-ZnO/p-GaN: Mg [Текст] / И. В. Рогозин [и др.] // Неорганические материалы. - 2010. - Т. 46, N 11. - С. 1285-1289 : 6 рис. - Библиогр.: с. 1289 (26 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- n-ZnO/p-GaN: Mg -- метод радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии -- ZnO -- электролюминесцентные свойства -- структурные свойства -- эпитаксия Аннотация: Гетероструктуры n-ZnO/p-GaN: Mg сформированы термическим окислением тонких слоев Zn, осажденных на подложку p-GaN: Mg по методу радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. Приведены структурные и электролюминесцентные характеристики гетероэпитаксиальных структур n-ZnO/p-GaN: Mg. Доп.точки доступа: Рогозин, И. В.; Георгобиани, А. Н.; Котляревский, М. Б.; Дацкевич, Н. П. |
621.7 P 10 p-n-переход в ZnO при имплантации элементами V группы [Текст] / И. В. Рогозин [и др.] // Неорганические материалы. - 2010. - Т. 46, N 9. - С. 1059-1064 : 5 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 1063-1064 (21 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Техника Обработка материалов Радиоэлектроника Квантовые приборы Кл.слова (ненормированные): ионы -- ионная имплантация -- спектры -- пленки -- пленки ZnO (Ga) n-типа -- отжиг -- спектры электролюминесценции Аннотация: Пленки ZnO (Ga) n-типа имплантированы ионами N{+} (As{+}) c энергией 150 кэВ дозой 7 х 10{15} см{-2} и отожжены в атомарном кислороде при различных температурах. Инверсия типа проводимости наблюдалась в интервале температур отжига 770-870 K. Методами фотолюминесценции, вторично ионной масс-спектроскопии и эффекта Холла определены параметры слоев р-типа. Доп.точки доступа: Рогозин, И. В.; Георгобиани, А. Н.; Котляревский, М. Б.; Демин, В. И.; Мараховский, А. В. |
621.315.592 С 253 Свойства эпитаксиальных пленок ZnO:P / И. В. Рогозин [и др.] // Неорганические материалы. - 2013. - Т. 49, № 3. - С. 275-280 : 7 рис. - Библиогр.: с. 279-280 (26 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные пленки -- отжиг -- рентгеновская дифракция -- электрофизические свойства -- фотолюминесцентные свойства Аннотация: Эпитаксиальные пленки ZnO: P получены отжигом подложек ZnP[2] в атомарном кислороде. Свойства пленок исследованы с помощью рентгеновской дифракции, атомной силовой микроскопии, эффекта Холла, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, фотолюминесценции. Доп.точки доступа: Рогозин, И. В.; Георгобиани, А. Н.; Котляревский, М. Б.; Демин, В. И. |
621.315.592 А 432 Активация p-типа проводимости в пленках ZnO:N при отжиге в атомарном кислороде / И. В. Рогозин [и др.]. // Неорганические материалы. - 2013. - Т. 49, № 6. - С. 604-608 : 6 рис. - Библиогр.: с. 607-608 (17 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): p-типа проводимости -- отжиг -- метод магнетронного распыления -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- эпитаксиальные пленки -- эффект Холла -- Холла эффект Аннотация: Эпитаксиальные пленки ZnO: N синтезированы методом реактивного магнетронного распыления. Влияние отжига в атомарном кислороде на структурные и электрофизические свойства пленок ZnO: N исследовано методами рентгеновской дифракции, атомной силовой микроскопии, эффекта Холла и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Доп.точки доступа: Рогозин, И. В.; Георгобиани, А. Н.; Котляревский, М. Б.; Демин, В. И.; Лепнев, Л. С.; Бердянский государственный педагогический университет, Украина; Бердянский государственный педагогический университет, Украина; Бердянский государственный педагогический университет, Украина; Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, Москва; Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, Москва |