378 Г 75 Грабов, В. М. Учебный курс "Основы физики конденсированного состояния" для физических специальностей вузов [Текст] / В. М. Грабов, авт. С. А. Немов // Физическое образование в вузах. - 2006. - Т. 12, N 1. - С. 55-66. - Библиогр.: с. 64-66 (23 назв. ) . - ISSN 1609-3143
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Образование. Педагогика--Высшее профессиональное образование Кл.слова (ненормированные): конденсированное состояние; статистическая термодинамика; термодинамика; конденсированные системы; структура конденсированных систем; фазовые переходы; фазовые состояния; атомно-молекулярные процессы; неравновесные атомно-молекулярные процессы; электронные состояния; электронные возбуждения; неравновесные электронные процессы; электронные процессы; ионные процессы; электромагнитное излучение; излучение Аннотация: Предложена программа нового учебного курса "Основы физики конденсированного состояния" для студентов физических специальностей вузов, базирующаяся на оригинальных научно-методических разработках авторов. Доп.точки доступа: Немов, С. А. |
621.3 С 794 Степанова, Н. П. Оптические свойства легированных кристаллов теллурида висмута в области плазменных эффектов [Текст] / Н. П. Степанова, С. А. Немов, М. К. Житинская, Т. Е. Свечникова // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 7. - С. 808-811 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): теллурид висмута -- кристаллы теллурида висмута -- легированные кристаллы -- плазменные эффекты -- оптические свойства Аннотация: Исследованы оптические свойства кристаллов теллурида висмута, легированных примесями донорного и акцепторного типов. В инфракрасной области спектра, в которой наблюдаются основные элементарные возбуждения электронной системы этих материалов, обнаружено сближение энергий, соответствующих резонансной частоте плазменных колебаний свободных носителей заряда (плазмона) и ширине запрещенной зоны. Указанное сближение изменяет величину интенсивности электрон-плазмонного взаимодействия, влияющего на ход рекомбинационных процессов в материалах, широко использующихся для создания термоэлектрических преобразователей энергии. Доп.точки доступа: Немов, С. А.; Житинская, М. К.; Свечникова, Т. Е. |
621.3 Ж 742 Житинская, М. К. Влияние легирования медью на кинетические явления в кристаллах n-Bi[2] Te[2. 85] Se[0. 15] [Текст] / М. К. Житинская, С. А. Немов, Т. Е. Свечникова // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1158-1162 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): кинетические явления -- кристаллы -- монокристаллы -- твердые растворы -- медь -- легирование -- кинетические коэффициенты -- температурные зависимости -- механизм рассеяния электронов -- закон Видемана-Франца -- Видемана-Франца закон Аннотация: В монокристаллах твердых растворов Bi[2]Te[2. 85]Se[0. 15] c концентрацией электронов, близкой к 1 10\{19\} см\{-3\}, легированных медью и без нее, исследованы температурные зависимости кинетических коэффициентов Холла (R[123], R[321]), Зеебека (S[11]), электропроводности (sigma[11]), Нернста-Эттингсгаузена (Q[123]) и теплопроводности (k[11]) в диапазоне температур 77-400 K. Отсутствие заметных аномалий в температурных зависимостях кинетических коэффициентов позволяет при анализе экспериментальных результатов использовать однозонную модель. В рамках однозонной модели сделана оценка эффективной массы плотности состояний (m[d]~0. 8m[0]), ширины запрещенной зоны (эпсилон[g] ~ 0. 2 эВ), эффективного параметра рассеяния (r[eff]~0. 2). Приведены данные по теплопроводности и решеточному сопротивлению, полученному вычитанием вклада электронов по закону Видемана-Франца. Доп.точки доступа: Немов, С. А.; Свечникова, Т. Е. |
621.3 Л 186 Лайхо, Р. О квазилокальных состояниях Sn в Bi[2]Te[3] на основе исследования гальваномагнитных эффектов в классических и квантующих магнитных полях [Текст] / Р. Лайхо, С. А. Немов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 565-569 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- Bi[2]Te[3] -- квазилокальные состояния -- гальваномагнитные эффекты -- магнитное поле -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- энергетический спектр Дрэббла-Вольфа -- Дрэббла-Вольфа энергетический спектр -- осциляции Шубникова-де-Гааза -- Шубникова-де-Гааза осциляции Аннотация: В монокристаллах p-Bi[2]Te[3] с высоким содержанием примеси Sn, выращенных методом Чохральского, исследованы гальваномагнитные свойства в классических и квантующих магнитных полях до 12 Тл при ориентации магнитного поля вдоль тригональной оси C[3]. Экспериментально и теоретически исследованы зависимости коэффициента Холла и поперечного магнитосопротивления от магнитного поля. Для шестиэллипсоидной модели энергетического спектра Дрэббла-Вольфа предложен и апробирован для кристаллов Bi[2]Te[3] : Sn метод оценки холл-фактора и холловской подвижности носителей заряда на основе магнитополевой зависимости коэффициента Холла. Наблюдались осцилляции Шубникова-де-Гааза и холловской компоненты тензора сопротивления ро[xy] при температурах T=4. 2 и 11 K. Получены новые свидетельства в пользу существования частично заполненной электронами узкой полосы примесных состояний Sn на фоне зонного спектра легких дырок. Сделаны оценки параметров примесных состояний: их энергия E[Sn]? 15 мэВ уширение Г << kT, радиус локализации примесного состояния R? 30?. Доп.точки доступа: Немов, С. А.; Лашкул, А. В.; Лахдеранта, Э.; Свечникова, Т. Е.; Дворник, Д. С. |
621.315.592 Б 820 Бордовский, Г. А. Термическая и радиационная устойчивость валентных состояний олова в структуре полупроводниковых стекол (As[2]Se[3]) [1-z] (SnSe) [z-x] (GeSe) [x] [Текст] / Г. А. Бордовский, Р. А. Кастро [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 12. - С. 1429-1433 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): олово -- валентные состояния олова -- полупроводниковые стекла Аннотация: Количественное соотношение в стеклах (As2Se3) [1-z] (SnSe) [z-x] (GeSe) [x] двухвалентного и четырехвалентного олова зависит от скорости закалки расплава и его температуры. Облучение стекол gamma-квантами приводит к частичному окислению двухвалентного олова с образованием аморфной (мелкодисперсной) фазы SnO[2], блокированной стеклом, так что физико-химические свойства стекол (плотность, микротвердость, температура стеклования и энергия активации электропроводности) практически не изменяются при облучении. Доп.точки доступа: Кастро, Р. А.; Марченко, А. В.; Немов, С. А.; Серегин, П. П. |
539.2 Ж 742 Житинская, М. К. Анизотропия термоэдс слоистого соединения PbSb[2]Te[4] [Текст] / М. К. Житинская, С. А. Немов [и др.] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 1. - С. 8-10. - Библиогр.: с. 10 (4 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): термоэдс -- анизотропия -- термоэдс слоистого соединения -- слоистые соединения -- анизотропия термоэдс -- коэффициент Зеебека -- Зеебека коэффициент Аннотация: Проведен анализ возможной причины возникновения значительной анизотропии коэффициента Зеебека в кристаллах многокомпонентного слоистого соединения p-PbSb[2]Te[4]. Показано, что полученные экспериментальные данные по анизотропии термоэдс p-PbSb[2]Te[4] совместно с температурными зависимостями электропроводности вдоль тригональной оси и в плоскости скола удается объяснить в рамках однозонной модели зонного спектра и смешанного механизма рассеяния дырок в предположении, что в плоскости скола доминирует рассеяние на акустических фононах, а в направлении тригональной оси C[3] - рассеяние на ионах примеси. Доп.точки доступа: Немов, С. А.; Шелимова, Л. Е.; Свечникова, Т. Е.; Константинов, П. П. |
Мессбауэровские U\{-\}-центры как инструмент исследования бозе-конденсации в полупроводниках [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 10. - С. 1172-1179
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): мессбауэровские двухэлектронные центры -- корреляционная энергия -- бозе-конденсация -- сверхпроводящие фазовые переходы -- двухэлектронные процессы Аннотация: Продемонстрировано, что мессбауэровские двухэлектронные центры с отрицательной корреляционной энергией являются эффективным инструментом исследования процессов бозе-конденсации электронных пар при сверхпроводящем фазовом переходе. Такие зонды чувствительны к двухэлектронным процессам, что и определяет их высокую чувствительность к изменению электронной плотности при фазовом переходе. Показано, что изменение электронной плотности при фазовом переходе зависит от критической температуры T[c] и оно различно в различных подрешетках. Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Немов, С. А.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П.; Зайцева, А. В. |
Число Лоренца и фактор Холла в вырожденных полупроводниках при резонансном рассеянии носителей тока [Текст] / Л. В. Прокофьева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 10. - С. 1180-1189
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): вырожденные полупроводники -- резонансное рассеяние носителей тока -- число Лоренца -- Лоренца число -- фактор Холла -- Холла фактор Аннотация: В сильно вырожденных полупроводниках вследствие сильной зависимости времени релаксации от энергии при резонансном рассеянии носителей число Лоренца L и фактор Холла A[R] существенно отличаются от универсальных постоянных пи\{2\}/3 и 1 соответственно. Величины L и A[R] вычисляются при различных значениях ширины резонансной примесной полосы, заполнения полосы носителями тока и относительного вклада резонансного рассеяния. Обсуждаются имеющиеся в литературе данные о ширине полосы примесных состояний таллия в теллуриде свинца, где наблюдалось сильное резонансное рассеяние дырок. Ранее полученные данные об энергии резонансных состояний Tl в PbTe корректируются с учетом вычисленного фактора Холла. Анализ экспериментальных данных по зависимости теплопроводности PbTe : Tl от температуры и содержания дополнительной примеси Na, во-первых, показывает, что рассеяние фононов на областях поляризации вокруг заряженных примесных атомов пренебрежимо мало, во-вторых, подтверждает результаты теоретических расчетов числа Лоренца при доминирующем резонансном рассеянии дырок. Доп.точки доступа: Прокофьева, Л. В.; Шабалдин, А. А.; Корчагин, В. А.; Немов, С. А.; Равич, Ю. И. |
Об анизотропии рассеяния дырок в слоистом соединении PbSb[2]Te[4] по данным коэффициента Нернста-Эттингсгаузена [Текст] / С. А. Немов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 7. - С. 1166-1168. - Библиогр.: с. 1168 (3 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): анизотропия рассеяния дырок -- коэффициент Нернста-Эттингсгаузена -- Нернста-Эттингсгаузена коэффициент -- слоистые тетрадимитоподобные халькогениды -- халькогениды Аннотация: На анизотропном монокристалле слоистого соединения p-PbSb[2]Te[4] экспериментально измерены три независимые компоненты тензора Нернста-Эттингсгаузена Q[ijk], причем компоненты Q[123] и Q[132] отрицательны, а Q[321] > 0. Полученные экспериментальные данные по анизотропии коэффициента Нернста-Эттингсгаузена обсуждаются вместе с литературными данными по термоэдс, эффекту Холла и электропроводности. Выполненный анализ показывает, что экспериментальные данные по кинетическим эффектам в p-PbSb[2]Te[4] в основных чертах могут быть объяснены в рамках однозонной модели зонного спектра и смешанного механизма рассеяния дырок, если предположить, что в плоскости скола доминирует рассеяние на акустических фононах, а в направлении тригональной оси c[3] - рассеяние на ионах примеси. Доп.точки доступа: Немов, С. А.; Житиннская, М. К.; Шелимова, Л. Е.; Свечникова, Т. Е. |
Низкотемпературная проводимость и эффект Холла в полупроводниковых твердых растворах (Pb[z]Sn[1-z]) [0. 84]In[0. 16]Te [Текст] / Д. В. Шамшур [и др. ] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 11. - С. 1948-1952. - Библиогр.: с. 1952 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): низкотемпературная проводимость -- эффект Холла -- Холла эффект -- полупроводниковые твердые растворы -- твердые растворы Аннотация: В сильнолегированных поликристаллических образцах полупроводниковых твердых растворов (Pb[z]Sn[1-z]) [0. 84]In[0. 16]Te при изменении содержания свинца 0 < = z < = 0. 9 проведено исследование температурных зависимостей сопротивления и эффекта Холла. При x < = 0. 65 в материале наблюдается сверхпроводящий переход с критической температурой T[c] < = 4. 2 K и магнитным полем H[c2] (0K) около 50 kOe. При увеличении концентрации свинца до z < = 0. 9 при гелиевых температурах обнаружена ярко выраженная тенденция к переходу материала в диэлектрическое состояние. Наблюдаемые зависимости связаны с изменением зонной структуры твердых растворов при вариации состава материала, уровня легирования и положения примесной зоны индия. Прослежена связь между температурными и композиционными зависимостями сопротивления, коэффициента Холла и сверхпроводящими характеристиками полупроводниковых твердых растворах (Pb[z]Sn[1-z]) [0. 84]In[0. 16]Te и изменением его зонного спектра при замене атомов олова на свинец в металлической подрешетке соединения. Доп.точки доступа: Шамшур, Д. В.; Немов, С. А.; Парфеньев, Р. В.; Конончук, М. С.; Nizhankovskii, V. I. |
Анизотропия проводимости в легированных монокристаллах Bi[2]Te[3] [Текст] / Н. А. Абдуллаев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 2. - С. 156-162
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- легирование -- анизотропия проводимости -- удельное сопротивление -- гальваномагнитные эффекты -- эффект Холла -- Холла эффект -- магнитосопротивление Аннотация: Исследованы температурные зависимости (диапазон температур T=0. 5-300 K) удельного сопротивления в плоскости слоев и в направлении, перпендикулярном слоям, а также гальваномагнитные эффекты в нелегированных и легированных монокристаллах Bi[2]Te[3] (магнитное поле H меньше 80 кЭ, T=0. 5-4. 2 K). Доп.точки доступа: Абдуллаев, Н. А.; Кахраманов, С. Ш.; Керимова, Т. Г.; Мустафаева, К. М.; Немов, С. А. |
Фотоструктурные перестроения полупроводниковых стекол As-S и As-Se [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 3. - С. 369-371
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): эмиссионная мессбауэровская спектроскопия -- матрица стекла -- халькогенидные стеклообразные полупроводники Аннотация: Приведены результаты экспериментального исследования фотоиндуцированных изменений оптических свойств полупроводниковых стекол систем As-Se и As-S. С использованием данных эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе \{129\}Te (\{129\}I) обнаруженные изменения оптических свойств объясняются перестройкой матрицы стекла под действием излучения. Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Немов, С. А.; Анисимова, Н. И.; Дземидко, И. А.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П. |
Тензор Нернста-Эттингсгаузена в монокристалле Sb[2]Te[3] [Текст] / С. А. Немов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 12. - С. 1629-1633 : ил. - Библиогр.: с. 1632 (6 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- Sb[2]Te[3] -- температурная зависимость -- тензор Нернста-Эттингсгаузена -- Нернста-Эттингсгаузена тензор -- эффект Нернста-Эттингсгаузена -- Нернста-Эттингсгаузена эффект -- анизотропия -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- R[ikl] -- коэффициент Зеебека -- Зеебека коэффициент -- S[ij] -- коэффициент электропроводности -- sigma[ii] -- рассеяние -- фононы -- акустические фононы -- ионы примесей -- температура -- время релаксации (физика) -- экспериментальные данные -- заряженные ионы -- валентные зоны -- тригональная ось -- заряженные ионы Аннотация: На одном монокристалле Sb[2]Te[3] в диапазоне температур 85-450 K измерены температурные зависимости всех трех независимых компонент тензора Нернста-Эттингсгаузена (Q[ikl]), все три компоненты отрицательны. Наряду с эффектом Нернста-Эттингсгаузена была исследована также анизотропия коэффициентов Холла (R[ikl]), Зеебека (S[ij]) и электропроводности (sigma[ii]). Выполненный анализ экспериментальных данных по эффектам Нернста-Эттингсгаузена и Зеебека свидетельствует о смешанном механизме рассеяния с участием акустических фононов и ионов примеси, причем относительные вклады этих механизмов изменяются с температурой. В приближении тензора времени релаксации определены значения эффективного параметра рассеяния (r). Полученные значения свидетельствуют о доминирующем рассеянии на акустических фононах в плоскости скола и существенном вкладе в рассеяние заряженных ионов вдоль тригональной оси c3. Показано, что основные особенности экспериментальных данных по эффекту Нернста-Эттингсгаузена можно объяснить в рамках двухзонной модели строения валентной зоны с участием в явлениях переноса нескольких групп дырок. Доп.точки доступа: Немов, С. А.; Тарантасов, Г. Л.; Прошин, В. И.; Житинская, М. К.; Иванова, Л. Д.; Гранаткина, Ю. В. |
Влияние примесей на транспортные свойства слоистого анизотропного соединения PbBi[4]Te[7]. Эксперимент и расчеты [Текст] / М. К. Житинская [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 759-763 : ил. - Библиогр.: с. 763 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- анизотропные соединения -- PbBi[4]Te[7] -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- легирование -- анизотропия -- термоэлектрические свойства -- коэффициент Нернста - Эттингсгаузена -- Нернста - Эттингсгаузена коэффициент -- эффект Зеебека -- Зеебека эффект -- эффект Холла -- Холла эффект -- электропроводность -- экспериментальные исследования Аннотация: Проведены экспериментальные исследования комплекса кинетических коэффициентов на высококачественных монокристаллах тройных слоистых соединений PbBi[4]Te[7] n-типа в интервале температур 77-400 K. Эти кристаллы, легированные электроактивными примесями Cd и Ag, были выращены методом Чохральского с подпиткой жидкой фазой из плавающего тигля. Найдена значительная анизотропия термоэлектрических свойств. Установлен механизм вхождения электроактивных примесей в решетку тройных соединений. Экспериментальные результаты по коэффициенту Нернста-Эттингсгаузена проанализированы совместно с данными по эффектам Зеебека, Холла и электропроводности. Показано, что вся совокупность данных по явлениям переноса в PbBi[4]Te[7] может быть объяснена в рамках однозонной модели энергетического спектра зоны проводимости с учетом непараболичности и смешанного механизма рассеяния электронов на акустических фононах и кулоновском потенциале примесей. Предполагается, что вдоль плоскости скола преобладает рассеяние на акустических фононах, а вдоль тригональной оси становится существенным примесное рассеяние. Доп.точки доступа: Житинская, М. К.; Немов, С. А.; Мухтарова, А. А.; Шелимова, Л. Е.; Свечникова, Т. Е.; Константинов, П. П. |
Поперечный эффект Нернста-Эттингсгаузена, резонансное рассеяние и сверхпроводимость в SnTe: In [Текст] / С. А. Немов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 3. - С. 461-464. - Библиогр.: с. 464 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): поперечный эффект Нернста-Эттингсгаузена -- Нернста-Эттингсгаузена поперечный эффект -- резонансное рассеяние -- сверхпроводимость -- квазилокальные примесные состояния -- узкозонные полупроводники Аннотация: В образцах SnTe: In с различным содержанием индия (1 - 16 at. %) исследованы температурные зависимости коэффициента поперечного эффекта Нернста-Эттингсгаузена в диапазоне 100-300 K и удельное сопротивление при температурах 1. 2 - 4. 2 K в магнитных полях до 10 kOe. Полученные данные свидетельствуют о наличии резонансного рассеяния дырок в полосу квазилокальных примесных состояний In в образцах Sn[1-x]In[x]Te с содержанием In x >/= 0. 05 и перехода в сверхпроводящее состояние с критической температурой T[c] около 1. 5 - 2. 2 K. В образцах SnTe: In со степенью заполнения примесных состояний электронами, близкой к 1/2, и уровнем Ферми, находящимся вблизи минимума энергетической зависимости времени релаксации, наблюдается новый тип неоднородностей - неоднородности параметра рассеяния вследствие флуктуаций степени заполнения электронами квазилокальных состояний. Доп.точки доступа: Немов, С. А.; Прошин, В. И.; Тарантасов, Г. Л.; Парфеньев, Р. В.; Шамшур, Д. В.; Черняев, А. В. |
Влияние гидростатического сжатия на индуцированный примесью индия сверхпроводящий переход в Pb[0. 3]Sn[0. 7]Te [Текст] / Г. О. Адрианов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 9. - С. 1688-1692. - Библиогр.: с. 1692 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гидростатическое сжатие -- низкотемпературная проводимость -- параметры сверхпроводящего состояния Аннотация: Представлены результаты изучения низкотемпературной проводимости и параметров сверхпроводящего состояния --- критической температуры T[c] и второго критического магнитного поля H[c2] - в полупроводниковом твердом растворе (Pb[0. 3]Sn[0. 7]) [0. 95]In[0. 05]Te в условиях гидростатического сжатия P Доп.точки доступа: Андрианов, Г. О.; Немов, С. А.; Парфеньев, Р. В.; Шамшур, Д. В.; Черняев. А. В. |
Низкотемпературная электропроводность и переход сверхпроводник-диэлектрик в твердых растворах (Pb[0. 5]Sn[0. 5]) [1-x]In[x]Te, связанный с примесными состояниями индия [Текст] / Д. В. Шамшур [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 9. - С. 1693-1697. - Библиогр.: с. 1697 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): низкотемпературные электрофизические характеристики -- полупроводниковый твердый раствор -- твердые растворы Аннотация: Исследованы низкотемпературные электрофизические характеристики (включая сверхпроводящие) в полупроводниковом твердом растворе (Pb[0. 5]Sn[0. 5]) [1-x]In[x]Te с переменным содержанием индия x = 0. 05-0. 2. Обнаружено, что уменьшение количества примеси x в материале приводит к уменьшению температуры сверхпроводящего перехода T[c] и "диэлектрическому" состоянию материала. Эти эффекты проявляются в увеличении низкотемпературного (T = 4. 2 K) сопротивления (Pb[0. 5]Sn[0. 5]) [0. 95]In[0. 05]Te более чем на три порядка по сравнению с (Pb[0. 5]Sn[0. 5]) [0. 8]In[0. 2]Te. Уменьшение количества In в твердом растворе приводит также к принципиальному изменению вида температурной зависимости сопротивления от металлической в материале с x = 0. 2 (уменьшение сопротивления с понижением температуры в интервале 300-4. 2 K) к полупроводниковой в образце с x = 0. 05 (экспоненциальный рост сопротивления при T<25 K). Эффект "диэлектризации" материала при уменьшении количества примеси связан со смещением примесной полосы квазилокальных состояний индия к потолку валентной зоны легких дырок соединения и выходом ее в область запрещенной зоны твердого раствора. Доп.точки доступа: Шамшур, Д. В.; Парфеньев, Р. В.; Черняев, А. В.; Немов, С. А. |
621.315.592 М 533 Мессбауэровские исследования двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией в кристаллических и аморфных полупроводниках [Текст] / Г. А. Бордовский [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 1. - С. 3-23 : ил. - Библиогр.: с. 21-23 (70 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): мессбауэровские исследования -- эмиссионная мессбауэровская спектроскопия -- донорные центры (физика) -- халькогениды свинца -- свинец -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- корреляционная энергия -- результаты исследований -- пространственная неоднородность -- полуметаллические металлоксиды меди -- медь -- электронная плотность -- кристаллические решетки -- фазовые переходы -- металлоксиды меди -- аморфные полупроводники -- кристаллические полупроводники -- олово -- мышьяк -- германий Аннотация: Обсуждаются результаты исследования донорных U{-}-центров олова и германия в халькогенидах свинца методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии. Рассмотрены литературные данные по идентификации амфотерных U{-}-центров олова в стеклообразных бинарных халькогенидах мышьяка и германия с использованием эмиссионной мессбауэровской спектроскопии, а также в многокомпонентных халькогенидных стеклах с использованием метода абсорбционной мессбауэровской спектроскопии. Анализируются литературные данные по идентификации двухатомных U{-}-центров меди в решетках полуметаллических металлооксидов меди методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии. Приводятся литературные данные по обнаружению пространственной неоднородности бозе-конденсата в сверхпроводящих полупроводниковых и полуметаллических соединениях и по существованию корреляции между изменением электронной плотности в узлах кристаллической решетки и температурой сверхпроводящего перехода. Рассматриваются принципиальные возможности использования мессбауэровских U{-}-центров как инструмента исследования процессов бозе-конденсации электронных пар при сверхпроводящем фазовом переходе в полупроводниках и полуметаллах. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/01/p3-23.pdf Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Немов, С. А.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П. |
621.315.592 О-754 Особенности механизма переноса заряда в слоистых монокристаллах Bi[2]Te[3], легированных хлором и тербием [Текст] / Н. А. Абдуллаев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 1. - С. 38-43 : ил. - Библиогр.: с. 43 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- хлор -- тербий -- легирование -- удельное сопротивление -- температурная зависимость -- эффект Холла -- Холла эффект -- магнитосопротивление -- электропроводность -- перенос заряда Аннотация: Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления (T=5-300 K) в плоскости слоев и в направлении, перпендикулярном слоям, а также эффект Холла и магнитосопротивление (H<80 кЭ, T=0. 5-4. 2 K) в монокристаллах Bi[2]Te[3], легированных хлором и тербием. Показано, что легирование Bi[2]Te[3] атомами тербия оказывает акцепторное действие и приводит к увеличению концентрации дырок. Легирование атомами хлора меняет не только тип проводимости Bi[2]Te[3] на n-тип, но и характер проводимости. В температурной зависимости удельного сопротивления в направлении, перпендикулярном слоям, возникает участок с активационной проводимостью, обусловленной прыжковой проводимостью по локализованным состояниям. Предложен механизм переноса заряда в монокристаллах Bi[2]Te[3], легированных хлором. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/01/p38-43.pdf Доп.точки доступа: Абдуллаев, Н. А.; Абдуллаев, Н. М.; Алигулиева, Х. В.; Керимова, Т. Г.; Мехдиев, Г. С.; Немов, С. А. |
621.315.592 С 668 Состояния атомов сурьмы и олова в халькогенидах свинца [Текст] / Г. А. Бордовский [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 4. - С. 437-440 : ил. - Библиогр.: с. 440 (4 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): эмиссионная мессбауэровская спектроскопия -- метод эмиссионной мессбауэровской спектроскопии -- атомы сурьмы -- олово -- халькогениды свинца -- атомы олова -- сурьма -- подрешетки -- катионные подрешетки -- анионные подрешетки -- радиоактивный распад -- электронный обмен -- донорные центры (физика) -- ионизированные центры -- мессбауэровские спектры -- PbSe -- PbS -- PbTe Аннотация: Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе {119}Sb ({119m}Sn) показано, что примесные атомы сурьмы в решетках PbS, PbSe и PbTe распределяются между катионными и анионными подрешетками. В электронных образцах основная часть сурьмы локализована в анионной подрешетке, а в дырочных образцах основная часть сурьмы локализована в катионной подрешетке. Атомы олова, образующиеся после радиоактивного распада {119}Sb, в анионной подрешетке PbS и PbSe (антиструктурное состояние) электрически неактивны, тогда как в катионной подрешетке атомы олова образуют донорные U-центры. Наблюдался процесc электронного обмена между нейтральными и двукратно ионизованными U-центрами олова с использованием состояний разрешенных зон. Атомы олова, образующиеся после радиоактивного распада {119}Sb, в анионной и катионной подрешетках PbTe электрически неактивны. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/04/p437-440.pdf Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Немов, С. А.; Марченко, А. В.; Зайцева, А. В.; Кожокарь, М. Ю.; Серегин, П. П. |