539.2 К 63 Комолов, С. А. Фотоэлектронные свойства органических пленок на поверхности кремния [Текст] / С. А. Комолов, Н. Б. Герасимова [и др.] // Журнал технической физики. - 2006. - Т. 76, N 7. - С. 76-80. - Библиогр.: c. 79-80 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гетеропереходы; кремний; органические пленки; слоистые структуры; сэндвичные структуры; фоточувствительность Аннотация: Исследованы фотоэлектронные свойства сэндвичных структур, содержащих гетеропереходы органический полупроводник-кремний: PTCDA-Si; CuPc-Si; OPV-Si. Измерены вольт-амперные характеристики и спектральные зависимости фотопроводимости и фотопотенциала. Фоточувствительность обнаружена как в области поглощения кремния, так и органических пленок. Наибольшая величина фотопотенциала (до 0. 25 V) зарегистрирована на гетеропереходе PTCDA-Si. На гетеропереходе OPV-Si обнаружен эффект изменения знака фотопотенциала при облучении в разных частях оптического диапазона. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2006/07/p76-80.pdf Доп.точки доступа: Герасимова, Н. Б.; Аляев, Ю. Г.; Лазнева, Э. Ф.; Комолов, А. С.; Логинов, Б. А.; Потюпкин, Н. В. |
Лазнева, Э. Ф. Лазерная десорбция с поверхности пленок фталоцианина меди на кремнии и сульфиде кадмия [Текст] / Э. Ф. Лазнева // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 21. - С. 63-71 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): лазерная десорбция -- фталоцианин меди -- сульфид кадмия Аннотация: Исследованы масс-спектры лазерной десорбции с поверхности вакуумно-осажденных пленок фталоцианина меди (CuPc) на поверхности кремния и сульфида кадмия. Десорбция возбуждалась под действием импульсного (10 ns) излучения неодимового лазера (энергия кванта 2. 34 eV) в диапазоне плотности энергий в импульсе (0. 1 mJ/cm2. Показано, что лазерное воздействие вызывает фрагментацию молекул CuPc и десорбцию фрагментов. Проведена идентификация основных наблюдаемых в масс-спектрах фрагментов. Прослежено изменение интенсивности основных десорбционных компонент в зависимости от плотности энергии в лазерном импульсе. На поверхности сульфида кадмия обнаружен эффект внедрения компонент подложки в виде атомов Cd и молекул S2 в объем осажденной пленки фталоцианина. |
Электропроводность пленок кремнийорганических полигомосопряженных полимеров при адсорбции летучих органических соединений [Текст] / А. С. Комолов [и др. ] // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 2. - С. 135-138. - Библиогр.: c. 138 (13 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): электропроводность -- кремнийорганические полимеры -- пологомосопряженные полимеры -- адсорбция -- летучие органические соединения Аннотация: Приведены результаты исследования электрофизических характеристик пленок кремнийорганических полигомосопряженных полимеров, а также результаты изменения электропроводности этих пленок при воздействии паров воды, толуола и аммиака. Исследуемые пленки толщиной 1-2 mum изготавливались методом полива из раствора поли[2, 2-диметил-2-сила-1, 3-пропилен- (4, 4'-бифенилен) ]a ( I) и поли[2-н-бутил-2-фенил-2-сила-1, 3-пропилен- (4, 4'-бифенилен) ]a ( II). Адсорбция летучих органических соединений (ЛОС) и воды проводилась в процессе измерения электропроводности пленок путем пошагового изменения давления над поверхностью образца в пределах от 10{-3} до 10{-1} Torr. Исходные значения удельного сопротивления пленок полимеров I и II были оценены как 4*10{9} Omega cm. В результате экспозиции тестируемых пленок в парах ЛОС и воды отчетливо наблюдалось обратимое изменение их проводимости. В случае пленок I электропроводность при адсорбции паров аммиака, толуола и воды превышала исходную в 150, 10 и 600 раз. Пленки II показали чувствительность, меньшую в полтора--два раза. Время изменения электропроводности в процессе напуска и откачки паров не превышало 10 и 30 s соответственно. Проведено сравнение механизма адсорбции ЛОС и воды на поверхности кремнийорганических полигомосопряженных полимеров с механизмами адсорбции на поверхности pi-полисопряженных органических пленок. Доп.точки доступа: Комолов, А. С.; Герасимова, Н. Б.; Лазнева, Э. Ф.; Гусаров, А. А.; Осадчев, А. Ю.; Шаманин, В. В. |
Комолов, С. А. Формирование и электронные свойства интерфейса между органическим материалом на основе тетрафенил бипиридина и поверхностью оксида цинка [Текст] / С. А. Комолов, Э. Ф. Лазнева, И. С. Бузин // Письма в журнал технической физики. - 2009. - Т. 35, вып: вып. 8. - С. 28-34
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): органические пленки -- термическое осаждение -- неорганический полупроводник -- электронные состояния в пленке -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- формирование интерфейса Аннотация: Начальная стадия формирования органического покрытия N, N'-Bis (3-methylphenyl) -N, N'-diphenylbezidine (TPD) на кристаллической поверхности исследована в процессе термического осаждения молекул TPD в условиях высокого вакуума с использованием низкоэнергетической спектроскопии полного тока (СПТ). Изменение работы выхода и плотности незаполненных электронных состояний в энергетическом диапазоне 0-20 eV выше уровня вакуума прослежено при увеличении толщин органического покрытия до 8 nm. Определено энергетическое положение зон незаполненных электронных состояний в пленке TPD: пи*-зона в интервале 7-9 eV, сигма*[1]-зона - 10-12 eV, сигма*[2]-зона - 14-16 и 18-20 eV выше уровня Ферми. Доп.точки доступа: Лазнева, Э. Ф.; Бузин, И. С. |
Лазнева, Э. Ф. Лазерная стимулированная фрагментация и десорбция с поверхности органических пленок: 1-производные перилена [Текст] / Э. Ф. Лазнева, А. М. Туриев, С. А. Комолов // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 16. - С. 88-94 : ил. - Библиогр.: с. 94 (15 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Газы и жидкости Кл.слова (ненормированные): фрагментация молекул -- лазерная десорбция молекул -- лазерно-стимулированная десорбция молекул -- лазерно-стимулированная фрагментация молекул -- молекулы -- пленки -- органические пленки -- поверхность органических пленок -- масс-спектры -- вакуумно-осажденные органические пленки -- перилен -- диангидрид тетракарбоксильной кислоты перилена -- PTCDA -- подложки (физика) -- импульсное излучение -- лазеры -- неодимовые лазеры -- энергия -- лазерное воздействие -- идентификация наблюдаемых фрагментов -- карбоксилдиангидридные группы -- декомпозиция молекул -- периленовые ядра -- фотостимулированные механизмы -- производные перилена Аннотация: Исследованы масс-спектры лазерной десорбции с поверхности вакуумно-осажденных органических пленок диангидрида тетракарбоксильной кислоты перилена (PTCDA) на подложках InAs и GaAs. Десорбция возбуждалась под действием импульсного (10 ns) излучения неодимового лазера (энергия кванта 2. 34 eV) в диапазоне плотности энергий в импульсе (0. 5 Доп.точки доступа: Туриев, А. М.; Комолов, С. А. |
Электропроводность смешанных структур на основе сопряженных органических материалов и оксидов металлов при адсорбции летучих органических соединений [Текст] / А. С. Комолов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 8. - С. 1653-1656. - Библиогр.: с. 1656 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электрофизические свойства пленок -- адсорбция -- летучие органические соединения -- датчики на основе оксидов металлов -- высокочувствительные химические сенсоры -- пленки фталоцианина меди Аннотация: Приводятся результаты исследования электрофизических характеристик пленок на основе сопряженных органических молекул фталоцианина меди (CuPc) и производной перилена 3, 4, 9, 10-perylenetetracarboxylic acid dianhydride, смешанных с микрочастицами TiO[2] и наночастицами SnO[2]. Значения удельного сопротивления исследованных смешанных пленок находились в пределах от 5 10{8} до 5 10{9} Omega cm. Для исследования электропроводности при адсорбции на поверхности исследуемых пленок использовали пары воды и летучих органических соединений: этанола, аммиака, толуола и ацетона при давлении в пределах от 10{-1} до 10 Pa. Адсорбция паров ацетона и толуола не вызвала значительных изменений электропроводности пленок, в то время как экспозиция к парам воды, этанола и аммиака приводила к обратимому многократному увеличению электропроводности исследованных пленок. В случае смешанных пленок CuPc/TiO[2] электропроводность при адсорбции паров аммиака превышала исходную приблизительно в 2500 раз. Обсуждаются механизмы наблюдавшихся изменений электропроводности с учетом увеличения электронной плотности в пленках за счет электронного обмена с адсорбированными молекулами восстанавливающих газов. Доп.точки доступа: Комолов, А. С.; Ахремчик, С. Н.; Лазнева, Э. Ф.; Герасимова Н. Б. |
536.42 М 744 Модификация электронных свойств при адсорбции сопряженных органических молекул на поверхности поликристаллического SnO[2] [Текст] / А. С. Комолов [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 2. - С. 99-104. - Библиогр.: c. 103-104 (17 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): электронная структура -- адсорбция -- сопряженные органические молекулы -- ультратонкие покрытия -- фталоцианин меди -- тетра-диангидрид карбоксильной кислоты перилена -- PTCDA -- диоксид олова -- оже-электронная спектроскопия -- атомный состав поверхности -- электронная спектроскопия полного тока -- спектры полного тока -- интерфейсные слои -- органические пленки Аннотация: Прослежена модификация электронной структуры при адсорбции ультратонких покрытий фталоцианина меди (CuPc) и 3, 4, 9, 10-тетра-диангидрид карбоксильной кислоты перилена (PTCDA) на поверхность поликристаллического диоксида олова. С помощью оже-электронной спектроскопии установлены изменения атомного состава поверхности. По методу низкоэнергетической электронной спектроскопии полного тока при использовании тестирующего пучка электронов с энергиями до 30 eV определено, что спектры полного тока, характерные для органических пленок, формируются при толщинах осаждаемого покрытия 2-7 nm. Обнаружено формирование интерфейсного слоя толщиной 1. 5-2 nm, в котором наблюдается ослабление интенсивности структуры спектров полного тока и проявляется эффект взаимодействии молекул PTCDA с поверхностью SnO[2]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/02/p99-104.pdf Доп.точки доступа: Комолов, А. С.; Комолов, С. А.; Лазнева, Э. Ф.; Гавриков, А. А.; Репин, П. С. |
537.311.33 В 586 Влияние азотсодержащих заместителей на фрагментацию производных перилена при лазерном облучении [Текст] / А. С. Комолов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 1. - С. 3-8 : ил. - Библиогр.: с. 8 (7 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Химия Физическая химия поверхностных явлений Кл.слова (ненормированные): азотсодержащие заместители -- перилен -- производные перилена -- молекулы перилена -- фрагментация молекул -- лазерное облучение -- исследования -- фенилимиды -- актилимиды -- лазерные воздействия -- лазерно-стимулированная десорбция -- метод лазерно-стимулированной десорбции -- кислород -- атомы кислорода -- ангидриды карбоксильной группы -- перилен тетракарбоксильной кислоты диангидрид -- PTCDA -- азот -- атомы азота -- десорбционные сигналы -- углерод -- окись углерода -- ароматические заместители -- алифатические заместители -- десорбционные потоки Аннотация: Исследовано влияние азотсодержащих заместителей, таких как фенилимид и актилимид, на характер фрагментации молекул производных перилена при лазерном воздействии методом лазерно-стимулированной десорбции. Замена центрального атома кислорода в ангидриде карбоксильной группы в составе молекулы перилен тетракарбоксильной кислоты диангидрид (PTCDA) на атом азота сопровождается подавлением десорбционного сигнала CO[2] и преимущественной десорбцией окиси углерода. В десорбционном сигнале обнаружены частицы, соответствующие фрагментам периленового ядра молекул и фрагментам ароматических и алифатических заместителей. В незначительном количестве в десорбционном потоке наблюдались частицы, соответствующие целым молекулам. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/01/p3-8.pdf Доп.точки доступа: Комолов, А. С.; Комолов, С. А.; Лазнева, Э. Ф.; Туриев, А. М. |
621.315.592 Л 175 Лазерно-стимулированная десорбция атомных и молекулярных фрагментов с поверхности диоксида олова, модифицированной тонким органическим покрытием фталоцианина меди [Текст] / А. С. Комолов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 1. - С. 48-52 : ил. - Библиогр.: с. 51 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): лазерная десорбция -- поверхность диоксида олова -- диоксид олова -- пленки диоксида олова -- наносекудные лазерные импульсы -- лазерные импульсы -- лазеры -- энергия кванта -- плотность энергии -- масс-спектры -- молекулярный кислород -- пленки фталоцианина меди -- фталоцианин меди -- CuPc -- десорбция -- подложки -- энергетические пороги -- органические пленки -- осаждение пленок Аннотация: Исследованы закономерности лазерно-стимулированной десорбции с поверхности SnO[2] при воздействии 10-нс импульсного излучения неодимового лазера при энергии кванта 2. 34 эВ в диапазоне плотности энергий в импульсе от 1 до 50 мДж/см{2}. По достижении порогового значения энергии в импульсе 28 мДж/см{2} в масс-спектрах десорбции с поверхности SnO[2] обнаружено присутствие молекулярного кислорода O[2], а по достижении порогового значения энергии в импульсе 42 мДж/см{2} наблюдается десорбция олова Sn и частиц SnO и (SnO) [2]. Измерены масс-спектры лазерной десорбции с поверхности SnO[2], покрытой органической пленкой фталоцианина меди (CuPc) толщиной 50 нм. Показано, что лазерное воздействие вызывает фрагментацию молекул CuPc и десорбцию молекулярных фрагментов в диапазоне плотности энергий лазерного импульса от 6 до 10 мДж/см{2}. Наряду с десорбцией молекулярных фрагментов, в этом же энергетическом диапазоне наблюдается слабый десорбционный сигнал компонент подложки O[2], Sn, SnO и (SnO) [2]. Энергетические пороги десорбции атомных компонент подложки с поверхности органической пленки примерно в 5 раз ниже порогов их десорбции с атомно-чистой поверхности SnO[2], что свидетельствует о диффузии атомных компонент SnO[2] подложки в объем осаждаемой органической пленки. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/01/p48-52.pdf Доп.точки доступа: Комолов, А. С.; Комолов, С. А.; Лазнева, Э. Ф.; Туриев, А. М. |
539.2 Ф 815 Фотовольтаические свойства интерфейсов органической пленки замещенного перилена с поверхностью TiO[2] и SnO[2] [Текст] / А. С. Комолов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - С. 173-177 : ил. - Библиогр.: с. 177 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотовольтаические свойства -- интерфейсы -- органические пленки -- пленки -- перилен -- диоксиды титана -- диоксиды олова -- метод электронного зонда -- спектральные распределения -- энергетические состояния -- барьеры -- переходные характеристики -- экспериментальные исследования Аннотация: Фотовольтаический эффект обнаружен и исследован в структурах на основе сверхтонких вакуумно-осажденных органических пленок 3, 4, 9, 10-тетра-диангидрид карбоксильной кислоты перилена на поверхности диоксидов титана и олова. Методом низкоэнергетической электронной спектроскопии полного тока проведены исследования формы интерфейсного потенциального барьера в исследованных структурах. Изменение потенциала поверхности при освещении в оптическом диапазоне регистрировалось in situ методом электронного зонда с помощью падающего пучка электронов с энергией в диапазоне от 0 до 25 эВ. Фотопотенциал обнаружен при энергиях падающего кванта 1. 5-2. 5 эВ, что соответствует области поглощения органической пленки и одновременно области прозрачности диоксидов титана и олова. Анализ спектральных распределений и переходных характеристик показал возможность различить 2 компонента наблюдаемого фотопотенциала. Обсуждается взаимосвязь одного из компонент с возбуждением межзонных переходов в органической пленке, а другого - с электронными переходами с участием интерфейсных энергетических состояний. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/02/p173-177.pdf Доп.точки доступа: Комолов, А. С.; Лазнева, Э. Ф.; Комолов, С. А.; Бузин, И. С.; Зимина, М. В. |
621.315.592 П 641 Потенциальный барьер и фотопотенциал на интерфейсах пленок фторозамещенного и незамещенного фталоцианина меди на поверхности диоксида олова [Текст] / А. С. Комолов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 8. - С. 1012-1016 : ил. - Библиогр.: с. 1015-1016 (20 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Химия Физическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): потенциальные барьеры -- ультратонкие покрытия -- фталоцианин меди -- CuPc -- диоксид меди -- поверхность диоксида меди -- интерфейсы пленок -- длина волны -- фотопотенциал поверхности -- органические пленки -- осаждение пленок -- подложки -- спектральные зависимости -- спектры поглощения -- органические материалы -- пучки электронов -- электроны -- спектроскопия полного тока -- СПТ -- электронная плотность -- носители заряда -- фотовольтаические свойства Аннотация: Исследовано формирование потенциального барьера при осаждении ультратонких покрытий фталоцианина меди (CuPc) и 16-фторозамещенного гексадекафлюро-фталоцианина меди (F[16]CuPc) на поверхность поликристаллического диоксида олова, а также при осаждении F[16]CuPc-покрытия поверх пленки CuPc. При освещении приготовленных структур в видимом диапазоне длин волн обнаружено фотоиндуцированное изменение потенциала поверхности. Фотопотенциал поверхности исследованных органических пленок имеет положительный знак относительно подложки, его спектральные зависимости соответствуют спектрам поглощения органических материалов CuPc и F[16]CuPc. Измерения потенциала поверхности проводили с помощью тестирующего пучка медленных электронов на основе методики спектроскопии полного тока. В процессе осаждения пленки CuPc толщиной до 8 нм на подложку SnO[2] обнаружено суммарное уменьшение работы выхода на 0. 2 эВ, а в случае F[16]CuPc/SnO[2] интерфейса обнаружено увеличение работы выхода на 0. 55 эВ. При этом на начальной стадии осаждения при толщине органических пленок на 1. 5 нм пограничный потенциальный барьер соответствовал переносу электронной плотности от органической пленки в подложку как в случае CuPc/SnO[2], так и в случае F[16]CuPc/SnO[2]. Предположено, что фотоиндуцированное изменение потенциала поверхности вызвано разделением носителей заряда в пограничной области толщиной до 1. 5 нм. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/08/p1012-1016.pdf Доп.точки доступа: Комолов, А. С.; Лазнева, Э. Ф.; Комолов, С. А.; Репин, П. С.; Гавриков, А. А. |
539.21:537 Э 455 Электронные свойства пограничной области между пленками фторозамещенного и незамещенного фталоцианина меди / А. С. Комолов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 7. - С. 948-953 : ил. - Библиогр.: с. 952-953 (28 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): интерфейсы -- пограничные слои -- электронные свойства -- фталоцианин меди -- электролитическое осаждение -- пленки -- отражение -- регистрация -- медленные электроны -- спектроскопия -- падающие электроны -- токи -- максимумы -- энергетические диапазоны -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- метод теории функционала плотности -- переходные слои -- вакуум -- электронная плотность Аннотация: Приведены результаты исследования формирования интерфейса в процессе осаждения пленок незамещенного фталоцианина меди (CuPc) на поверхность пленок 16-фторозамещенного (гексадекафторо-) фталоцианина меди (F[16]-CuPc). Использовали методику регистрации отражения от поверхности тестирующего пучка медленных электронов (very low energy electron diffraction, VLEED), реализованную в режиме спектроскопии полного тока при изменении энергии падающего электрона от 0 до 25 эВ. Для пленок F[16]-CuPc установлена структура максимумов в спектрах полного тока, выявлены ее основные отличия от структуры максимумов, известной для пленок CuPc, в энергетическом диапазоне от 5 до 15 эВ выше уровня Ферми. Отличия в структуре вакантных электронных орбиталей для случаев CuPc и F[16]-CuPc обнаружены также в результате расчета методом теории функционала плотности. В результате анализа изменения интенсивностей спектров полного тока, исходящих от пленок CuPc и F[16]-CuPc, предположено, что в процессе формирования пограничной области между этими пленками образуется переходный слой толщиной до 1 нм, для которого характерно размытие особенностей в спектре полного тока. Для исследованного интерфейсного барьера F[16]-CuPc/CuPc установлены высота, протяженность и изменение работы выхода. В пограничной области происходит понижение уровня вакуума на 0. 7 эВ, что соответствует переносу электронной плотности от пленки CuPc в сторону подложки F[16]-CuPc. The interface formation during the deposition of the unsubstituted copper phthalocyanine film (CuPc) onto the surface of hexadecafluoro copper phthalocyanine (F[16]-CuPc) was studied. The incident low-energy electron beam with energies from 0 to 25 eV was used to test the surface under study according to the very low energy electron diffraction technique and to the total electron current spectroscopy measurement scheme. The peak structure of the total current spectra was determined for the F[16]-CuPc films studied and a comparison was made to the peak structure of the spectra known for the unsubstituted CuPc films within the energy region from 5 to 15 eV above the Fermi level. The differences of the orbital energies of CuPc and F[16]-CuPc molecules were obtained by means of the density functional theory calculations for the same energy region. During the CuPc film deposition the changes of the intensities of the spectra, which appear from the interface layer between CuPc and F[16]-CuPc films were analyzed. It was suggested that the interface layer with no significant total electron current peak structure was formed within 1 nm from the interface plane. The height of the interface barrier, its width and the work function changes at the F[16]-CuPc/CuPc boarder were determined. It was observed that the energy position of the vacuum level decreased by 0. 7 eV, which corresponds to the electron transfer from the CuPc film in the direction of the F[16]-CuPc film. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/07/p948-953.pdf Доп.точки доступа: Комолов, А. С.; Лазнева, Э. Ф.; Пшеничнюк, С. А.; Гавриков, А. А.; Чепилко, Н. С.; Томилов, А. А.; Герасимова, Н. Б.; Лезов, А. А.; Репин, П. С. |