530.1 В 253 Вдовин, Е. Е. Одноэлектронный спин-зависимый транспорт в структурах с расщепленным затвором, содержащих самоорганизованные квантовые точки InAs [Текст] / Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, вып. 1. - С. 166-170. - Библиогр.: с. 170 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика--Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): электронный транспорт; одноэлектронный спин-зависимый транспорт; расщепленные затворы; квантовые точки; самоорганизованные квантовые точки; гетероструктуры Аннотация: Результаты исследования электронного транспорта в структурах с расщепленным затвором, созданных на основе гетероструктур, в которых самоорганизующиеся квантовые точки InAs расположены вблизи двумерного электронного газа. Доп.точки доступа: Ханин, Ю. Н.; Шабельникова, П. Л.; Левин, А.; Ивс, Л.; Дубонос, С. В.; Хенини, М. |
530.1 Х 191 Ханин, Ю. Н. Индуцированная магнитным полем ферми-краевая сингулярность в туннельном токе через самоорганизованную квантовую точку InAs [Текст] / Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, вып. 1. - С. 175-177. - Библиогр.: с. 177 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика--Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): магнитное поле; ферми-краевая сингулярность; сингулярность; туннельный ток; ток; квантовые точки; самоорганизованные квантовые точки Аннотация: Рассмотрена индуцированная магнитным полем ферми-краевая сингулярность в туннельном токе через самоорганизованную квантовую точку InAs. Доп.точки доступа: Вдовин, Е. Е.; Ивс, Л.; Ларкин, И. А.; Патанэ, А.; Макаровский, О. Н.; Хенини, М. |
530.1 Х 191 Ханин, Ю. Н. Наблюдение низкотемпературного пика межслоевой туннельной проводимости в двухслойных электронных системах в отсутствие магнитного поля [Текст] / Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, вып. 1. - С. 200-204. - Библиогр.: с. 204 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика--Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): низкотемпературный пик; межслоевая туннельная проводимость; проводимость; электронные системы; двухслойные электронные системы; магнитное поле; отсутствие магнитного поля; туннельная проводимость Аннотация: Проведено наблюдение низкотемпертурного пика межслоевой туннельной проводимости в двухслойных электронных системах в отсутствие магнитного поля. Доп.точки доступа: Вдовин, Е. Е.; Григорьев, М. В.; Ивс, Л.; Макаровский, О. Н.; Хенини, М. |
Вдовин, Е. Е. Исследование пространственного распределения плотности вероятности волновых функций донорных пар Si в GaAs квантовой яме [Текст] / Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып: вып. 6. - С. 494-500
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): туннелирование -- квантовые ямы -- резонансно-туннельный диод -- изолированные мелкие доноры -- донорные пары кремния Аннотация: Исследовано туннелирование через локализованные электронные состояния в слаболегированной кремнием GaAs квантовой яме резонансно-туннельного диода, залегающие глубже уровней изолированных мелких доноров. С помощью метода визуализации волновых функций получены контурные карты пространственного распределения плотности вероятности электронных волновых функций этих состояний. Обнаружено, что их волновые функции обладают аксиальной симметрией и формой, подобной основному состоянию молекулы водорода, а характерные размеры волновых функций совпадают с предсказываемыми теорией размерами водородоподобных состояний донорных пар кремния в GaAs квантовой яме с соответствующими энергиями связи. Доп.точки доступа: Ханин, Ю. Н. |
Ханин, Ю. Н. Детектирование индивидуальных фотонов резонансно-туннельной гетероструктурой со слоем квантовых точек [Текст] / Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 138, вып: вып. 2. - С. 302-310. - Библиогр.: с. 310 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): детектирование индивидуальных фотонов -- индивидуальные фотоны -- фотоны -- резонансно-туннельная гетероструктура -- гетероструктуры -- резонансное туннелирование -- квантовые точки -- слои квантовых точек -- туннелирование Аннотация: Исследовано поглощение света гетероструктурами GaAs/AlAs со слоем самоорганизованных квантовых точек InAs при резонансном туннелировании через выделенную по энергии квантовую точку. Доп.точки доступа: Вдовин, Е. Е. |
Ковальский, В. А. Формирование наноэлектростатических квантовых точек и двумерных подзон флуктуационным потенциалом доноров Mn в p-i-n резонансно-туннельных гетеросистемах [Текст] / В. А. Ковальский, Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 92, вып: вып. 5. - С. 357-363
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): резонансно-туннельные гетеросистемы -- Mn -- флуктуационный потенциал -- наноэлектростатические квантовые точки -- двумерные подзоны -- GaAs -- квантовые ямы Аннотация: Изучено влияние флуктуационного потенциала примесей Mn в p-i-n резонансно-туннельных структурах на электронный транспорт. Продемонстрирована возможность формирования минимумами такого потенциала как нульмерных состояний наноэлектростатических квантовых точек, так и двумерных подзон в области GaAs квантовой ямы. Доп.точки доступа: Вдовин, Е. Е.; Ханин, Ю. Н. |
537.311.322 Н 139 Наблюдение бозе-конденсации экситонов в двуслойных электронных системах в отсутствие магнитного поля [Текст] / Ю. Н. Ханин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 8. - С. 1155-1158. - Библиогр.: c. 1158 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): бозе-конденсация -- когерентность -- функция распределения -- магнитное поле -- межслоевая фазовая когерентность -- межслоевые экситоны -- низкие температуры -- экситоны -- экспериментальные данные -- эффект межслоевой фазовой когерентности Аннотация: При низких температурах в гетероструктурах с двумя близко расположенными электронными слоями наблюдается высокий узкий пик межслоевой дифференциальной туннельной проводимости в отсутствие магнитного поля. Анализ экспериментальных результатов позволяет считать, что этот пик есть следствие межслоевой фазовой когерентности, которая устанавливается в системе, благодаря бозе-конденсации межслоевых экситонов, т. е. пар из электрона и дырки, принадлежащих разным слоям, в соответствии с недавними теоретическими предсказаниями. Доп.точки доступа: Ханин, Ю. Н.; Вдовин, Е. Е.; Ивс, Л.; Хенини, М. |
537.311.322 О-439 Одноэлектронный спинзависимый транспорт в структурах с расщепленным затвором, содержащих самоорганизованные квантовые точки [Текст] / Е. Е. Вдовин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 8. - С. 1159-1161. - Библиогр.: c. 1161 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- когерентность -- кулоновские осцилляции -- осцилляции -- туннельный ток -- экспериментальные данные -- электронный транспорт -- эффект межслоевой фазовой когерентности Аннотация: В структурах с расщепленным затвором, в которых самоорганизующиеся квантовые InAs-точки были расположены вблизи двухмерного электронного газа, обнаружены кулоновские осцилляции туннельного тока через счетное количество квантовых InAs-точек в канале в зависимости от напряжения на затворе, соответствующие возбужденным состояниям квантовых точек с противоположными спинами. Доп.точки доступа: Вдовин, Е. Е.; Ханин, Ю. Н.; Шабельников, П. Л.; Eaves, L.; Henini, M. |
537.311.322 Ф 434 Ферми-краевая сингулярность в туннельном токе через самоорганизованную InAs-квантовую точку, индуцированная магнитным полем [Текст] / Ю. Н. Ханин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 8. - С. 1162-1164. - Библиогр.: c. 1164 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- магнитное поле -- магнитотуннельная спектроскопия -- низкие температуры -- однобарьерные гетероструктуры -- туннельный ток -- туннельный транспорт -- ферми-краевая сингулярность -- эмиттер Аннотация: Представлены результаты исследования туннельного транспорта через однобарьерную GaAs/ (Al-Ga) As/GaAs-гетероструктуру, содержащую самоорганизованные квантовые InAs-точки, при низких температурах. Доп.точки доступа: Ханин, Ю. Н.; Вдовин, Е. Е.; Ивс, Л.; Патанэ, А.; Хенини, М. |
538.9 В 253 Вдовин, Е. Е. Наблюдение аномальной температурной зависимости резонансного туннелирования через нульмерные состояния в квантовой яме в условиях динамического кулоновского взаимодействия между туннельными каналами / Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин, М. Хенини // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 8. - С. 581-587
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): резонансное туннелирование -- магнитотуннелирование -- квантовые ямы -- туннельные каналы -- кулоновское взаимодействие -- резонансно-туннельные диоды Аннотация: Исследовано магнитотуннелирование через нульмерные состояния в слаболегированной кремнием GaAs квантовой яме резонансно-туннельного диода, залегающие глубже уровней изолированных мелких доноров. Обнаружена аномальная температурная зависимость резонансов туннелирования через некоторые из таких состояний, которая не может быть объяснена с точки зрения традиционных представлений о туннелировании через невзаимодействующие каналы. Предложена модель, предполагающая наличие динамического кулоновского взаимодействия основного резонансно-туннельного канала с параллельным неупругим каналом, дающая качественное описание полученной в эксперименте аномальной зависимости. Приложение слабого магнитного поля разрушает режим динамической блокады канала туннелирования. Доп.точки доступа: Ханин, Ю. Н.; Хенини, М. |
537 П 440 Подавление магнитотуннелирования электронов между параллельными двумерными электронными системами GaAs/InAs корреляционным взаимодействием / Ю. Н. Ханин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 9. - С. 1227-1230 : ил. - Библиогр.: с. 1230 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): магнитотуннелирование электронов -- двумерные электронные системы -- ДЭС -- резонансно-туннельные гетероструктуры -- гетероструктуры -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- туннелирование -- энергетические параметры -- температурные параметры -- резонансное туннелирование -- квантовые ямы -- магнитные поля -- магнитополевые зависимости -- температурные зависимости Аннотация: Исследовано магнитотуннелирование между двумерными электронными системами GaAs/InAs в вертикальных резонансно-туннельных гетероструктурах GaAs/InAs/AlAs. Обнаружен новый тип особенности в туннельной плотности состояний (провал на уровне Ферми), радикально отличающийся от наблюдавшихся ранее при туннелировании между двумерными туннельными GaAs-системами как видом функциональной зависимости, так и энергетическими и температурными параметрами. Данный эффект, как и прежде, проявлялся в подавлении резонансного туннелирования в узком интервале вблизи нулевого смещающего напряжения в сильном магнитном поле, параллельном направлению тока. Получены магнитополевые и температурные зависимости параметров эффекта, и произведено сравнение с результатами существующих теоретических и экспериментальных работ. В качестве возможной причины эффекта предполагается наличие высокой степени беспорядка в коррелированных двумерных электронных системах в результате введения в них структурно несовершенных, напряженных слоев InAs. In this paper we investigate magnetotunneling between GaAs/InAs two-dimensional electron systems in vertical resonant tunneling GaAs/InAs/AlAs heterostructures. We found a new type of singularity in the tunneling density of states (dip on the Fermi level), which was radically defferent from that observed previously in tunneling between two-dimensional GaAs tunnel systems in kind of functional dependence, and energy and temperature parameters. This effect, as in the previous experiments, manifested itself in the suppression of resonant tunneling in a narrow range near zero bias voltage in a strong magnetic field parallel to the current direction. We investigated the magnetic field and temperature dependences of the effect parameters and compared them with the results of existing theoretical and experimental work. As a possible cause of the effect observed we assume a high degree of disorder in the correlated two-dimensional electron systems by introducing into them structurally imperfect, strained layers of InAs. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/09/p1227-1230.pdf Доп.точки доступа: Ханин, Ю. Н.; Вдовин, Е. Е.; Макаровский, О.; Хенини, М.; Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук (Черноголовка); Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук (Черноголовка); Школа физики и астрономии, Университет Ноттингема (Великобритания); Школа физики и астрономии, Центр нанотехнологий Университета Ноттингема (Великобритания) |