+ И 608 Индутный, И. З. Градиентные светопоглощающие покрытия SiO{x}-Me для дисплейных экранов [Текст] / И. З. Индутный, П. Е. Шепелявый [и др.] // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N6. - Библиогр.: с. 72 (10 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Оптика Кл.слова (ненормированные): градиентные слои -- дисплеи -- светопоглощающие покрытия Аннотация: Показана возможность получения с помощью термического испарения в вакууме тонких градиентных покрытий SiO[x]-Ti (толщина <0.5 мкм), характеризующихся низким коэффициентом зеркального отражения (=<1%) в видимой области спектра. Проведены исследования оптических параметров, распределения компонент состава по толщине покрытия. Выполнено моделирование оптических характеристик градиентных слоев, результаты сопоставлены с экспериментальными данными. Показана возможность формирования на основе таких покрытий черных (светопоглощающих) матриц кинескопов и плоских дисплеев Доп.точки доступа: Шепелявый, П.Е.; Михайловская, Е.В.; Парк, Ч.В.; Ли Д, ж.Б.; До, Я.Р. |
+ П 442 Подласкин, Б. Г. Построение двойной синтезированной апертуры на фотоприемниках Мультискан для определения положения фронта перепада яркости слабоконтрастных оптических сигналов [Текст] / Б. Г. Подласкин, Е. Г. Гук, Е. В. Носенко // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N6. - Библиогр.: с. 78 (10 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Оптика Кл.слова (ненормированные): Мультискан-фотоприемник -- оптическая граница сред -- синтезированная апертура -- фотоприемники -- яркость Аннотация: Предложена модель двойной синтезированной апертуры на основе фотоприемников Мультискан, позволяющая определять и отслеживать в реальном времени положение фронта перепада яркости слабоконтрастных сигналов. Показано, что с помощью такой апертуры определение координаты фронта сводится к интегральной операции измерения медианы распределения фототоков модифицированных сигналов Доп.точки доступа: Гук, Е.Г.; Носенко, Е.В. |
+ Б 898 Брюшинин, М. А. Объемная и контактная фотоэдс в адаптивных фотоприемниках на основе арсенида галлия [Текст] / М. А. Брюшинин, В. В. Куликов, И. А. Соколов // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N10. - Библиогр.: с.86 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Оптика Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- фотоприемники -- фотоэдс Аннотация: Исследуются особенности генерации нестационарной фотоэдс в адаптивном фотоприемнике на основе полуизолирующего кристалла GaAs. Рассматриваются одно- и двухчастотные режимы возбуждения. Обнаружено, что для малых пространственных частот интерференционной картины и малых частот фазовой модуляции в датчике возникает значительная контактная составляющая фототока. Так как контактный сигнал оказывается чувствительным к медленному дрейфу фазы интерференционной картины, его присутствие негативно сказывается на адаптивных свойствах устройства. Экспериментально и теоретически показано, что выбором специальных значений амплитуды дополнительной фазовой модуляции и пространственной частоты можно эффективно подавлять сигнал контактной эдс на частоте основной фазовой модуляции. Приведен расчет спектральных компонент сигнала нестационарной фотоэдс при двухчастотном режиме возбуждения Доп.точки доступа: Куликов, В.В.; Соколов, И.А. |