Набиев, Г. А. О механизмах эффекта аномально больших фотонапряжений в пленках CdTe [Текст] / Г. А. Набиев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 926-927 : ил. - Библиогр.: с. 927 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): аномально большие напряжения -- АФН -- эффект аномально больших наряжений -- АНФ-эффект -- пленки CdTe -- пленки теллурида кадмия -- n-p переходы -- p-n-p структуры -- p-n переходы -- теллурид кадмия -- CdTe Аннотация: Предлагается метод определения вкладов асимметрии освещения и различия параметров p-n- и n-p-переходов p-n-p-структуры на эффект аномально больших фотонапряжений в пленках теллурида кадмия. |
621.315.592 К 995 Кюрегян, А. С. Краевые инверсионные каналы и поверхностные токи утечки в высоковольтных полупроводниковых приборах [Текст] / А. С. Кюрегян // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 372-378 : ил. - Библиогр.: с. 377-378 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): краевые каналы -- поверхностные токи -- высоковольтные полупроводниковые приборы -- электрические поля -- напряженность поля -- поверхность фаски -- заряды -- МДП транзистор -- p-n-p структуры -- пороговое напряжение -- поверхностные утечки (физика) -- область пространственного заряда -- ОПЗ Аннотация: Показано, что электрическое поле над поверхностью полупроводниковых приборов может оказаться достаточным для того, чтобы индуцировать краевые инверсионные каналы, если напряжение смещения велико, а плотность поверхностного заряда Q[s] мала. В этом случае краевая область приборов, содержащих p-n-p-структуру (например, тиристоров), функционирует как планарный p-канальный МДП транзистор, у которого затвор совмещен со стоком, а функцию подзатворного диэлектрика выполняет вся среда над поверхностью. Ток между истоком и стоком этого "краевого МДП транзистора" является током поверхностной утечки всего прибора. Построена аналитическая теория, описывающая вольт-амперную характеристику в подпороговом режиме. Показано, что этот новый механизм определяет полный ток утечки высоковольтных приборов, если |Q[s]| и температура T достаточно малы (|Q[s]|<4 нКл/см{2}, T<270 K для кремниевых и |Q[s]|<58 нКл/см{2}, T<600 K для карбид-кремниевых приборов). Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p372-378.pdf |