Драпак, С. И. Токовая неустойчивость с Z- и N-образной вольт-амперной характеристикой в неоднородных кристаллах In[2]Se[3] [Текст] / С. И. Драпак, С. В. Гаврилюк, З. Д. Ковалюк // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 12. - С. 66-73 : ил. - Библиогр.: с. 72-73 (17 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): токовая неустойчивость -- кристаллы -- слоистые кристаллы -- неоднородные кристаллы -- In[2]Se[3] -- вольт-амперные характеристики -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- стехиометрические расплавы -- расплавы -- сверхрешетки -- потенциальные ямы -- структуры -- ток -- напряжение -- наноразмерные включения -- матрицы -- широкозонные матрицы -- модификации -- alpha-модификации -- Z-образные вольт-амперные характеристики -- N-образные вольт-амперные характеристики Аннотация: Показано, что слоистые кристаллы дефектного In[2]Se[3], выращенные методом Бриджмена из стехиометрического расплава, характеризуются типичной для сверхрешеток и структур с многочисленными потенциальными ямами токовой неустойчивостью с Z- и N-образной вольт-амперной характеристикой. Обнаружено, что причиной реализации такой зависимости тока от напряжения является наличие наноразмерных включений In[6]Se[7] в более широкозонной матрице In[2]Se[3] alpha-модификации. Доп.точки доступа: Гаврилюк, С. В.; Ковалюк, З. Д. |