Аверкиев, Н. С. Анизотропия спиновой релаксации в двумерных полупроводниках [Текст] / Н. С. Аверкиев // Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180, N 7. - С. 777-780 : 3 рис. - Библиогр.: с. 780 (12 назв. ). - Материалы научной сессии Отделения физических наук Российской академии наук . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): эффект Рашбы -- Рашбы эффект -- эффект Дрессельхауза -- Дрессельхауза эффект -- полупроводники -- спинтроника -- спин-орбитальное взаимодействие -- электроны -- электрические поля -- сессии Аннотация: В статье рассмотрены особенности анизотропии спиновой релаксации для электронов в низкоразмерных полупроводниках. Показано, что анизотропия возникает вследствие как естественных причин, так и взаимного действия эффектов Рашбы и Дрессельхауза. |
621.315.592 С 721 Спиновое расщепление Рашбы и обменное усиление g-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом [Текст] / С. С. Криштопенко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 9. - С. 1186-1193 : ил. - Библиогр.: с. 1192-1193 (35 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): спиновое расщепление Рашбы -- Рашбы спиновое расщепление -- гетероструктуры -- InAs/AlSb -- двумерный электронный газ -- 2D электронный газ -- электронный газ -- квазичастицы -- осцилляции Шубникова - де Гааза -- Шубникова - де Гааза осцилляции -- эффект Рашбы -- Рашбы эффект Аннотация: C использованием 8-зонного k x p гамильтониана исследовано обменное усиление g-фактора квазичастиц в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом со спиновым расщеплением Рашбы. Показано, что в слабых магнитных полях учет спинового расщепления Рашбы приводит к значительному увеличению амплитуды осцилляций g-фактора квазичастиц, перенормированного обменным взаимодействием. Из анализа осцилляций Шубникова--де Гааза при температуре 250 мK определена величина расщепления Рашбы и g-фактора квазичастиц. Полученные экспериментальные значения находятся в хорошем согласии с теоретическими расчетами, выполненными с учетом асимметричного "встроенного" электрического поля в гетероструктурах InAs/AlSb. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/09/p1186-1193.pdf Доп.точки доступа: Криштопенко, С. С.; Калинин, К. П.; Гавриленко, В. И.; Садофьев, Ю. Г.; Goiran, M. |