536.42 М 171 Максимов, Е. Г. "Комнатная сверхпроводимость", научная сессия (2007, октябрь). Комнатная сверхпроводимость - миф или реальность? [Текст] / Е. Г. Максимов // Успехи физических наук. - 2008. - Т. 178, N 2. - С. 175-179. - Библиогр.: с. 179 (19 назв. ). - Материалы научной сессии Отделения физических наук Российской академии наук "Комнатная сверхпроводимость" . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Кл.слова (ненормированные): сессии -- высокотемпературная сверхпроводимость -- энергия фотонов -- куперовские пары -- комнатная сверхпроводимость Аннотация: Вопрос, который крайне актуален и для проблемы сверхпроводимости в купратах, и при обсуждении возможности достижения комнатной сверхпроводимости, - эта природа взаимодействия, приводящего к спариванию электронов в куперовские пары. |
681.7 С 334 Сетейкин, Алексей Юрьевич (канд. физ.-мат. наук; докторант). Моделирование распространения оптического излучения в средах с пространственно варьируемыми параметрами [Текст] / А. Ю. Сетейкин, авт. А. М. Кривцун // Вестник Амурского государственного университета. - 2008. - Вып. 41. Сер. Естеств. и экон. науки. - С. 12-13. - Библиогр. в конце ст.
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура оптики Кл.слова (ненормированные): метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- фотоны -- функция Хени-Гринштейна -- Хени-Гринштейна функция -- среда с кусочной геометрией -- поглощенная энергия -- энергия фотонов -- математические модели -- компьютерные томограммы -- оптическое излучение -- пространственно варьируемые параметры Аннотация: В статье рассматривается моделирование процесса распространения фотонов в среде с пространственно варьируемыми оптическими свойствами, где свойства среды изменяются в пределах вексельной кубической сетки. Доп.точки доступа: Кривцун, Александр Михайлович (студент Амурского гос. ун-та) |
Капитонов, И. М. Сечения многочастичных фотоядерных реакций на изотопах {203, 205}Т1 [Текст] / И. М. Капитонов, И. В. Макаренко // Вестник Московского университета. Сер. 3. Физика. Астрономия. - 2009. - N 3. - С. 39-41. - Библиогр.: c. 40 (4 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): гигантские резонансы -- изотопы таллия -- фотоядерные реакции -- электромагнитные процессы -- энергия фотонов Аннотация: Проведен эксперимент по облучению естественной смеси изотопов {203, 205}Т1 тормозным пучком импульсного разрезного микротрона RТМ-70 НИИЯФ МГУ при энергии электронов 67. 7 [203, 205] МэВ. Измерены выходы и интегральные сечения многочастичных фотоядерных реакций на изотопах {203, 205}Т1. Доп.точки доступа: Макаренко, И. В. |
Кабышев, А. В. Влияние ионного облучения на критерии правила Урбаха в оксиде алюминия [Текст] / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 4. - С. 103-109
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): спектры поглощения -- широкозонные материалы -- кластеры квазидинамического беспорядка -- диэлектрические материалы -- энергия фотонов -- правило Урбаха -- Урбаха правило Аннотация: Показана правомерность применения обобщенного правила Урбаха для описания спектров поглощения облученного ионами моно- и поликристаллического оксида алюминия. Его выполнение в широкозонных материалах после ионной модификации является следствием индуцированного дефектами замещения и их кластерами квазидинамического беспорядка в кристаллической решетке. Установлено влияние собственных радиационных дефектов, дефектов замещения и их комплексов, а также неупорядоченных твердых растворов замещения на реализацию концепции фокуса Урбаха и на параметры фокальной точки спектров поглощения. Определенный вклад в выполнение критериев Урбаха вносят композиционный беспорядок и изменение стехиометрии материалов. Параметры межзонного и экспоненциального поглощения свидетельствуют о формировании в оксиде алюминия нового сильно дефектного материала с шириной запрещенной зоны 4. 4-4. 6 эВ и краем поглощения 2. 0-4. 2 эВ, обусловленного локализованными состояниями кластеров дефектов. Доп.точки доступа: Конусов, Ф. В. |
Чалдышев, В. В. Резонансная брэгговская структура (AlGaAs/GaAs/AlGaAs) [60] на основе второго уровня размерного квантования экситонов с тяжелыми дырками в квантовых ямах [Текст] / В. В. Чалдышев, Д. Е. Шолохов, А. П. Васильев // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1260-1265 : ил. - Библиогр.: с. 1264 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- оптическое отражение -- квантовые ямы -- резонансная брегговская структура -- AlGaAs/GaAs/AlGaAs -- резонансное отражение света -- квантование экситонов -- экситоны -- дырки -- тяжелые дырки -- РБС -- барьеры -- энергия фотонов -- фотоны -- поляризация -- температура -- энергия экситонов -- суперизлучательная оптическая мода Аннотация: Проведены исследования спектров фотолюминесценции и оптического отражения от периодической структуры, содержащей 60 квантовых ям GaAs, разделенных туннельно-непрозрачными барьерами AlGaAs. Особенность структуры состояла в том, что при определенном угле падения света (~23o) брэгговское условие резонансного отражения света выполнялось для энергий фотонов, равных энергии экситонов, образованных электронами с тяжелыми дырками на втором уровне размерного квантования в квантовых ямах. Экспериментально установлено, что в условиях двойного экситон-поляритонного и брэгговского резонанса происходит формирование суперизлучательной оптической моды. Изучены зависимости брэгговского и экситон-поляритонного отражения от угла падения света, поляризации и температуры. Доп.точки доступа: Шолохов, Д. Е.; Васильев, А. П. |
533.9 Т 608 Тормозное излучение быстрых электронов в длинных газовых промежутках [Текст] / Е. В. Орешкин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 12. - С. 80-87 : ил. - Библиогр.: с. 87 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): электроны -- быстрые электроны -- тормозное излучение -- газовые промежутки -- длинные промежутки -- длинные газовые промежутки -- результаты экспериментов -- разряды в газах -- газы -- воздух -- атмосферное давление -- амплитуды -- импульсы напряжения -- импульсы излучения -- фотоны -- энергия фотонов -- стримеры -- анодонаправленные стримеры -- расчетные спектры -- поглощение фотонов -- молекулы Аннотация: Проанализированы результаты экспериментов по разряду в длинных газовых промежутках в воздухе атмосферного давления при амплитуде импульса напряжения до 800 kV и времени его нарастания 150-200 ns. В экспериментах зарегистрирован импульс излучения длительностью 10-20 ns в диапазоне энергии фотонов >5 keV. Показано, что импульс излучения обусловлен переходом электронов в режим "убегания" с головки анодонаправленных стримеров. Расчетный спектр регистрируемого тормозного излучения имеет максимум, который соответствует энергии фотонов приблизительно 15 kV. Наличие максимума в спектре тормозного излучения обусловлено поглощением фотонов молекулами газа, в котором происходит разряд. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/12/p80-87.pdf Доп.точки доступа: Орешкин, Е. В.; Баренгольц, С. А.; Огинов, А. В.; Орешкин, В. И.; Чайковский, С. А.; Шпаков, К. В. |
539.21:535 В 818 Времяразрешенная люминесценция сцинтилляционных кристаллов LaBr[3]:Ce при возбуждении в ультрамягкой рентгеновской области [Текст] / В. А. Пустоваров [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 17. - С. 15-23 : ил. - Библиогр.: с. 23 (9 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Люминесценция Кл.слова (ненормированные): времяразрешенная люминесценция -- кристаллы -- сцинтилляционные кристаллы -- спектрометрические кристаллы -- фотоны -- энергия фотонов -- температуры -- синхротронное излучение -- рентгенолюминесценция -- остовные уровни -- фотоионизация -- гигантский резонанс -- спектры -- области спектров -- кинетика затухания -- ионы -- длины волн -- продукты взаимодействия -- гигроскопичные кристаллы -- атмосфера -- спектрально-кинетические характеристики Аннотация: При возбуждении синхротронным излучением с энергией фотонов 45-290 eV при температурах 7. 5 и 295 K исследована времяразрешенная рентгенолюминесценция (РЛ) сцинтилляционных спектрометрических кристаллов LaBr[3]: Ce. Обнаружена значительная непропорциональность выхода РЛ от энергии возбуждения в области фотоионизации 3d (Br), 4d (La) остовных уровней, и особенно в области гигантского резонанса. Кинетика затухания РЛ в области спектра, соответствующей если d, то f люминесценции ионов Ce{3+}, неэкспоненциальна, время затухания (менее 15 ns) зависит от энергии возбуждающих фотонов и длины волны излучения. Исследовано влияние продуктов взаимодействия этих гигроскопичных кристаллов с атмосферой на спектрально-кинетические характеристики РЛ. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/17/p15-23.pdf Доп.точки доступа: Пустоваров, В. А.; Иванов, В. Ю.; Выпринцев, Д. И.; Швалев, Н. Г. |
621.315.592 В 586 Влияние концентрации нескомпенсированных примесей на свойства детекторов рентгеновского и gamma-излучения на основе CdTe [Текст] / Л. А. Косяченко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 3. - С. 389-395 : ил. - Библиогр.: с. 395 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): спектры излучения -- изотопы -- фоточувствительность -- детекторы -- CdTe-детекторы -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- температурная зависимость -- удельное сопротивление -- нескомпенсированные примеси -- примеси -- рентгеновское излучение -- gamma-излучение -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- энергия фотонов -- фотоны -- носители заряда -- время жизни заряда -- детектирование -- доноры (физика) Аннотация: Из измерений спектров излучения изотопа {55}Fe и фоточувствительности CdTe-детекторов с диодом Шоттки, а также из температурной зависимости удельного сопротивления кристалла CdTe ( (2-3) x 10{9} Ом x см при 300 K) найдена концентрация нескомпенсированных доноров (1-3) x 10{12} см{-3}. Аналогичные измерения, проведенные на кристаллах Cd[0. 9]Zn[0. 1]Te с удельным сопротивлением (3-5) x 10{10} Ом x см при 300 K, показали, что концентрация нескомпенсированных доноров в этом случае примерно на 4 порядка ниже. Результаты расчетов показывают, что из-за столь значительного уменьшения концентрации нескомпенсированных доноров эффективность детектирования рентгеновского и gamma-излучения в интервале энергий фотонов от 59 до 662 кэВ может уменьшиться на 1-3 порядка (в зависимости от энергии фотонов и времени жизни носителей заряда в области пространственного заряда). Полученные результаты объясняют наблюдаемые неудовлетворительные детектирующие свойства Cd[0. 9]Zn[0. 1]Te-детекторов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/03/p389-395.pdf Доп.точки доступа: Косяченко, Л. А.; Склярчук, В. М.; Мельничук, С. В.; Маслянчук, О. Л.; Грушко, Е. В.; Склярчук, О. В. |
621.315.592 С 149 Саидов, А. С. Выращивание пленок твердого раствора Ge[1-x]Sn[x] и исследование их структурных и некоторых фотоэлектрических свойств [Текст] / А. С. Саидов, Ш. Н. Усмонов, У. П. Асатова // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 8. - С. 1111-1119 : ил. - Библиогр.: с. 1118 (24 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Химия Химия твердого тела Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- ТР -- пленки растворов -- выращивание пленок -- жидкофазная эпитаксия -- метод жидкофазной эпитаксии -- химические элементы -- зарядовые состояния -- растворы замещения -- рентгенограммы -- спектральная чувствительность -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- гетероструктуры -- энергия фотонов -- фотоны -- эпитаксиальные пленки -- экспериментальные результаты -- инжекция -- двойная инжекция -- омическая релаксация -- рекомбинационные комплексы -- структурные свойства -- фотоэлектрические свойства -- монокристаллические пленки Аннотация: На основе химических элементов IV группы, исходя из зарядового состояния и близости ковалентных радиусов молекул растворобразующих компонентов, предсказана возможность образования твердых растворов замещения, таких как: Si[1-x]Ge[x], Si[1-x]Sn[x], (Si2) [1-x] (SnC) [x], Ge[1-x]Sn[x], (Ge[2]) [1-x] (SiSn) [x], (SiC) [1-x] (GeC) [x], (GeC) [1-x] (SnC) [x], (SiGe) [1-x] (SnC) [x]. Выращены монокристаллические пленки твердого раствора замещения Ge[1-x]Sn[x] (0 меньше или равно x меньше или равно 0. 03) на подложках Ge методом жидкофазной эпитаксии. Исследованы рентгенограммы, спектральная фоточувствительность и вольт-амперные характеристики полученных гетероструктур n-Ge-p-Ge[1-x]Sn[x]. Получены значения параметров решетки эпитаксиальной пленки af=5. 6812 Angstrem и подложки as=5. 6561 Angstrem. Спектральная фоточувствительность гетероструктур n-Ge-p-Ge[1-x]Sn[x] охватывает даиапазон энергии фотонов от 0. 4 до 1. 4 эВ. Показано, что прямая ветвь вольт-амперных характеристик исследованных структур при малых напряжениях (до 0. 5 В) описывается экспоненциальной зависимостью I=I[0]exp (qV/ckT), а при больших (V больше 0. 5 В) степенной зависимостью I пропорционально Valpha, со значениями: alpha=2 при V= (0. 5-0. 9) В, alpha=1. 3 при V= (0. 9-1. 4) В и alpha=2 при V больше 1. 4 В. Экспериментальные результаты объясняются на основе модели двойной инжекции для n-p-p-структуры с помощью дрейфового механизма переноса тока в режиме омической релаксации с учетом инерционности электронного обмена внутри рекомбинационного комплекса. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/08/p1111-1119.pdf Доп.точки доступа: Усмонов, Ш. Н.; Асатова, У. П. |
621.315.592 О-627 Оптические переходы в MnGa[2]Se[4] [Текст] / Б. Г. Тагиев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 6. - С. 725-727 : ил. - Библиогр.: с. 726-727 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Электрический ток Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- энергия фотонов -- фотоны -- коэффициент поглощения -- электронные состояния -- оптические переходы -- энергетические спектры Аннотация: В интервале температур 110-295 K исследована зависимость коэффициента поглощения от энергии падающих фотонов в монокристалле MnGa[2]Se[4]. С использованием теоретико-группового анализа симметрии электронных состояний и сопоставления симметрии энергетического спектра MnGa[2]Se[4] и его изоэлектронных аналогов сделан вывод о характере оптических переходов. Показано, что особенности при 2. 31 и 2. 45 эВ связаны с внутрицентровыми переходами {6}A{1}[1]->{4}T[2] ({4}G) и {6}A{2}[1]->{4}T[2] ({4}G). Состояние {6}A[1] расщеплено кристаллическим полем. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/06/p725-727.pdf Доп.точки доступа: Тагиев, Б. Г.; Керимова, Т. Г.; Тагиев, О. Б.; Асадуллаева, С. Г.; Мамедова, И. А. |
539.2 О-754 Особенности фотолюминесцентных свойств квантовых точек селенида кадмия с примесью меди [Текст] / Г. И. Целиков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1219-1222 : ил. - Библиогр.: с. 1221 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Люминесценция Кл.слова (ненормированные): фотолюминесцентные свойства -- квантовые точки -- КТ -- фотолюминесценция -- ФЛ -- селенид кадмия -- CdSe -- примеси меди -- легирование -- кинетика фотолюминесценции -- энергия фотонов -- излучательные центры -- легированные образцы -- спектры фотолюминесценции -- релаксация (физика) Аннотация: Исследовано влияние легирования медью на фотолюминесцентные свойства квантовых точек селенида кадмия со средним размером 4 нм. Наблюдается тушение экситонной полосы фотолюминесценции квантовых точек и появление примесной полосы фотолюминесценции в ближнем инфракрасном диапазоне после легирования квантовых точек медью. Установлено, что при легировании квантовых точек происходит существенное изменение кинетики фотолюминесценции. В то время как кинетика фотолюминесценции нелегированных квантовых точек хорошо описывается суммой экспоненциальных кривых релаксации, для образцов, легированных медью, в области примесной полосы наблюдается кинетика, описываемая "растянутой" экспонентой, со средними временами жизни 0. 3-0. 6 мкс для энергий фотонов в диапазоне 1. 47-1. 82 эВ. Указанные изменения в фотолюминесцентных свойствах объясняются трансформацией излучательных центров в квантовых точках после легирования атомами меди. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1219-1222.pdf Доп.точки доступа: Целиков, Г. И.; Дорофеев, С. Г.; Тананаев, П. М.; Тимошенко, В. Ю. |
535 Ф 815 Фотоэлектрические и люминесцентные свойства наногетероструктур на основе GaSb с глубокой квантовой ямой Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений / М. П. Михайлова [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 8. - С. 1037-1042 : ил. - Библиогр.: с. 1041 (15 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): люминесцентные свойства -- фотоэлектрические свойства -- наногетероструктуры -- подложки -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- люминесценция -- оптическая мощность -- фотоны -- энергия фотонов -- фотоэлектрические характеристики -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- емкостные характеристики -- наноструктуры -- фотодетекторы -- комнатная температура -- длина волны -- квантовая эффективность -- фотодиоды -- фотоотклик -- квантовые ямы Аннотация: Исследованы люминесцентные и фотоэлектрические свойства гетероструктур с глубокой квантовой ямой Al (As) Sb/InAsSb/Al (As) Sb, выращенных на подложках n-GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Наблюдалась интенсивная суперлинейная люминесценция и увеличение оптической мощности в зависимости от тока накачки в диапазоне энергий фотонов 0. 6-0. 8 эВ при температурах T=77 и 300 K. Детально изучены фотоэлектрические, вольт-амперные и емкостные характеристики исследуемых наноструктур. Фотоответ исследовался при работе фотодетектора в фотовольтаическом режиме в спектральном диапазоне 0. 9-2. 0 мкм. Максимум чувствительности при комнатной температуре наблюдался на длине волны 1. 55 мкм. Проведены оценки квантовой эффективности, обнаружительной способности и быстродействия фотодетекторов. Квантовая эффективность и обнаружительная способность в максимуме спектра при комнатной температуре достигали величин eta=0. 6-0. 7 и D{*}[lambda max]= (5-7) x 10{10} см x Гц{1/2} x Вт{-1} соответственно. Быстродействие фотодиода, определяемое по времени нарастания импульса фотоотклика на уровне 0. 1-0. 9, составляет величину 100-200 пс. Полоса пропускания фотодиодов достигает 2-3 ГГц. Фотодетекторы с глубокой квантовой ямой Al (As) Sb/InAsSb/Al (As) Sb, выращенные на подложках n-GaSb, перспективны для использования в системах гетеродинного приема и в информационных технологиях. The luminescent and photoelectrical properties of GaSb-based heterostructures with deep Al (As) Sb/InAsSb/Al (As) Sb quantum well were studied. The structures were grown by MOVPE (metal-organic vapor phase epitaxial) method. Intense superlinear luminescence and enhance of the optical power were observed in dependence on drive current in the spectral range of 0. 6-0. 8 eV at the temperaturesT = 77 and 300K. Spectral response of the photodetectorwas studied at the photovoltaic mode in the range of 0. 9-2. 0 mum with maximum sensetivity at lambda = 1. 55 mum (T = 300K). High quantum efficiency eta = 0. 6-0. 7 and detectivityD{*}[lambda max] = (5-7) x 10{10} W{-1} x cm x Hz{1/2} were achieved at room temperature. The speed of response is estimated as 100-200 ps. The photodetector bandwidth of 2-3GHz was reached. These quantum well photodetectors are prospective for heterodyne spectroscopy and information technology. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/08/p1037-1042.pdf Доп.точки доступа: Михайлова, М. П.; Андреев, И. А.; Иванов, Э. В.; Коновалов, Г. Г.; Гребенщикова, Е. А.; Яковлев, Ю. П.; Hulicius, E.; Hospodkova, A.; Pangrac, Y. |
539.2 В 586 Влияние разориентации подложки (100) GaAs на электрофизические параметры и морфологию поверхности метаморфных НЕМТ наногетероструктур In[0.7]Al0.3As/In[0.75]Ga[0.25]As/In[0.7]Al[0.3]As / Г. Б. Галиев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 1. - С. 67-72 : ил. - Библиогр.: с. 71-72 (24 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): результаты исследований -- разориентация подложек -- подложки -- GaAs -- арсенид галлия -- электрофизические параметры -- морфология поверхности -- метаморфные HEMT наногетероструктуры -- HEMT наногетероструктуры -- наногетероструктуры -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- МЛЭ -- двумерный электронный газ -- метаморфные буфера -- спектры фотолюминесценции -- фотолюминесценция -- энергия фотонов -- фотоны -- гетерограницы -- флуктуации -- квантовые ямы Аннотация: Представлены результаты исследования влияния разориентации подложек (100) GaAs на электрофизические параметры и морфологию поверхности наногетероструктур In[0. 7]Al[0. 3]As/In[0. 75]Ga[0. 25]As/In[0. 7]Al[0. 3]As/GaAs с высокой подвижностью электронов. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены две одинаковые структуры со ступенчатым профилем состава метаморфного буфера In[x]Al[1-x]As (Delta [x]=0. 05) на двух типах подложек: на сингулярной подложке GaAs с ориентацией (100) ±0. 5° и разориентированной на 2±0. 5° в направлении (011) подложке (100) GaAs. Обнаружено увеличение концентрации двумерного электронного газа на ~40% в случае использования разориентированной подложки. Выявленное уширение спектров фотолюминесценции и сдвиг пиков в сторону меньших энергий фотонов для случая разориентированной подложки связывается с увеличением шероховатости гетерограниц и флуктуаций ширины квантовой ямы. The effect of GaAs (100) substrate misorientation on electrophysical parameters and surface morphology of metamorphic In[0. 7]Al[0. 3]As/In[0. 75]Ga[0. 25]As/In[0. 7]Al[0. 3]As nanoheterostructuresis studied. Two identical structures with step-graded metamorphicbuffer InxAl[1-x]As (Delta [x] = 0. 05) are grown by MBE on (100) GaAs substrates exactly oriented and 2 ± 0. 5° misoriented towards (011) direction. The increase of two-dimensional electron gasconcentration by ~ 40% for the heterostructure grown on misorientedsubstrate is revealed. The photoluminescence spectra widthincreased and peak energy red shifted for misoriented substrates, which was induced by the increased heterointerface roughness andquantum well thickness flucktuations. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/01/p67-72.pdf Доп.точки доступа: Галиев, Г. Б.; Пушкарев, С. С.; Василевский, И. С.; Климов, Е. А.; Клочков, А. Н.; Мальцев, П. П.; Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва)Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва) |
535.37 Ф 815 Фотолюминесцентные исследования метаморфных наногетероструктур In[0.7]Al[0.3]As/In[0.75]Ga[0.25]As/In[0.7]Al[0.3]As на подложках GaAs / Г. Б. Галиев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 5. - С. 658-666 : ил. - Библиогр.: с. 665-666 (26 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): метаморфные наногетероструктуры -- электрофизические параметры -- фотолюминесцентные свойства -- гетероструктуры -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- подложки -- метаморфный буфер -- сверхрешетки -- фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- электроны -- дырки -- квантовые ямы -- энергия фотонов -- фотоны -- рекомбинация носителей -- барьерные слои Аннотация: Экспериментально исследовано влияние конструкции метаморфного буфера метаморфных наногетероструктур In[0. 7]Al[0. 3]As/In[0. 75]Ga[0. 25]As для HEMT на их электрофизические параметры и фотолюминесцентные свойства. Исследуемые гетероструктуры были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs (100) с использованием линейного или ступенчатого метаморфного буфера In[x]Al[1-x]As. В образцах с линейным метаморфным буфером внутрь буфера были введены сбалансированно-рассогласованные сверхрешетки или инверсные ступени. В области энергии фотонов 0. 6 меньше homega меньше0. 8 эВ спектры фотолюминесценции для всех образцов идентичны и соответствуют переходам из первой и второй подзон электронов в зону тяжелых дырок в квантовой яме In[0. 75]Ga[0. 25]As/In[0. 7]Al[0. 3]As. Обнаружено, что ширина на половине высоты соответствующей полосы пропорциональна двумерной концентрации электронов, а интенсивность люминесценции возрастает с увеличением холловской подвижности в гетероструктурах. В диапазоне энергий фотонов 0. 8 меньше homega меньше1. 3 эВ, соответствующем рекомбинации носителей в барьерной области InAlAs, обнаружены особенности в спектрах фотолюминесценции. Эти особенности связаны с различием профиля распределения индия в заглаживающих и нижних барьерных слоях образцов, обусловленным различной конструкцией метаморфного буфера. The influence of the metamorphic buffer designon the electrophysical and optical properties of metamorphic In[0. 7]Al[0. 3]As/In[0. 75]Ga[0. 25]As nanoheterostructures was experimentally studied by means of Hall effect and photoluminescence measurements. The investigated structures were grown by molecular beam epitaxy on the GaAs (100) substrates with different construction of linear or step-graded metamorphic In[x]Al[1-x]As buffers. For the samples with linear buffer the strain-compensated superlattices or inverse layers were incorporated inside the buffers. The photoluminescence spectra of the heterostructuresin the photon energy range 0. 6 less-than homega less-than 0. 8 eV are identical and correspond to the optical transitions between first and second electron subbands and heavy hole subband in the quantum well. It is found that the halfwidth of the corresponding peak is proportional to the sheet electron concentration and the photoluminescence intensity increases with the Hall mobility in the channel of the heterostuctures. The photoluminescence band in the0. 8 less-than homega less-than 1. 3 eV energy range corresponds to recombination of photogenerated charge carriers in the barrier and top parts of metamorphic buffer. In that energy range the peculiarities were observed and explained as associated with different indium spatial distribution in the barrier and smoothing InAlAs layers due to different metamorphic buffer constructions. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/05/p658-666.pdf Доп.точки доступа: Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Клочков, А. Н.; Лаврухин, Д. В.; Пушкарев, С. С.; Мальцев, П. П.; Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва) |
539.12 Ф 815 Фоторасщепление изотопов молибдена / Б. С. Ишханов [и др.] // Вестник Московского университета. Серия 3, Физика. Астрономия. - 2014. - № 1. - С. 35-43 . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Физика Элементарные частицы Кл.слова (ненормированные): изотопы молибдена -- молибден -- фоторасщепление -- фоторасщепление изотопов молибдена -- фотоядерная реакция -- фотоядерные реакции -- энергия фотонов Аннотация: Изучено фоторасщепление изотопов молибдена методом наведенной активности. Определены выходы изотопов, образующихся в результате фотоядерных реакций на естественной смеси изотопов молибдена при энергии ускорителя электронов 67. 7 МэВ. Сравнение экспериментальных результатов с теоретическим расчетом по комбинированной модели фотонуклонных реакций (КМФР) показывает, что модель хорошо описывает экспериментальные выходы фотонуклонных реакций на всех изотопах молибдена, кроме 92Mo. Высокие выходы протонных и низкие выходы нейтронных каналов фотоядерных реакций на изотопе 92Mo интерпретируются на основе оболочечной структуры изотопов молибдена. Перейти: http://www.pandia.ru/text/78/534/45923.php Доп.точки доступа: Ишханов, Б. С.; Капитонов, И. М.; Кузнецов, А. А.; Орлин, В. Н.; Хан Дон Ен |