538.915 Ж 911 Журавлев, Ю. Н. Электронное строение оксидов и сульфидов щелочных металлов [Текст] / Ю. Н. Журавлев, Ю. М. Басалаев, А. С. Поплавной // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N4. - Библиогр.: с.60 (8 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): электронная плотность -- псевдопотенциал -- зонная структура -- электронные состояния -- антифлюорит Аннотация: В формализме функционала локальной электронной плотности с использованием нелокальных псевдопотенциалов рассчитаны энергетическая зонная структура, плотность электронных состояний, мнимая часть комплексной диэлектрической проницаемости и распределение валентного заряда в различных кристаллических плоскостях 8 соединений М[2]A(M:Li,Na,K,Rb;A:O,S). Установлены рядовые зависимости параметров зонной структуры и показано, что зонная структура этих кристаллов существенно различается как по аниону, так и по катиону. Из особенностей строения верхней валентной зоны сделан вывод о различном характере переноса дырок в (Li,Na)[2]A и (K,Rb)[2]A. Обсуждаются общие закономерности и отличительные особенности спектральной зависимости епсилон[2](E) в изученных рядах M[2]A. Максимумы валентной плотности сосредоточены на анионах и в межузельном пространстве так, что образуются цепочки из вторых анионных соседей, ковалентно связанные за счет заряда между анионами Доп.точки доступа: Басалаев, Ю.М.; Поплавной, А.С. |
537:226 Ж 911 Журавлев, Ю. Н. Электронная структура нитратов щелочных металлов [Текст] / Ю. Н. Журавлев, Н. А. Кравченко, А. С. Поплавной // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N5. - Аннотация . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): зонная структура -- электронные состояния -- оптические функции -- нитрат лития -- нитрат натрия Доп.точки доступа: Кравченко, Н.А.; Поплавной, А.С. |
535 С 60 Соловьев, К. Н. Внутримолекулярный эффект тяжелого атома в фотофизике органических молекул [] / К. Н. Соловьев, Е. А. Борисевич // Успехи физических наук. - 2005. - Т. 175, N 3. - С. 247-270. - Библиогр.: с. 268-269 (152 назв. ). - ил.: 3 табл., 15 рис. . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): фотофизика -- внутримолекулярный эффект -- эффект тяжелых атомов -- электронные состояния -- тяжелые атомы Аннотация: Усиление излучательных и безызлучательных интеркомбинационных переходов при эффекте тяжелого атома приводит к тушению флуоресценции и сокращению длительности фосфоресценции. Фотофизические исследования показывают, что вероятности переходов в разных каналах дезактивации возбужденных электронных состояний специфически зависят от строения молекул, содержащих тяжелые атомы. Доп.точки доступа: Борисевич, Е. А. |
621.3 Т 48 Ткач, Н. В. Электронные свойства открытых полупроводниковых квантовых точек [Текст] / Н. В. Ткач, Ю. А. Сети, Г. Г. Зегря // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 1. - С. 70-80 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- полупроводниковые квантовые точки -- энергетический спектр -- электронные состояния Аннотация: На основе S-матрицы рассеяния исследуется энергетический спектр и время жизни электронных состояний в открытой полупроводниковой квантовой точке. Показано, что время жизни электронных состояний очень чувствительно к изменению радиуса квантовой точки и толщины внешнего покрытия квантовой точки. При изменении толщины покрывающего слоя от одного до пяти монослоев время жизни электрона увеличивается в 20-60 раз. Доп.точки доступа: Сети, Ю. А.; Зегря, Г. Г. |
538.9 Б 828 Борман, В. Д. Наблюдение локализации электронов в шероховатых нанокластерах золота на поверхности графита [Текст] / В. Д. Борман, П. В. Борисюк [и др.] // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып. 6. - С. 450-455 . - ISSN 0370-274X
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): нанокластеры золота -- Au -- графит -- электронные состояния -- вольт-амперные характеристики -- энергия Ферми -- Ферми энергия Аннотация: Представлены результаты исследования электронных состояний нанокластеров Au на поверхности графита методом сканирующей туннельной спектроскопии. Установлено, что туннельный ток в разных точках нанокластера с шероховатой поверхностью различается. Измеренная дифференциальная вольт-амперная характеристика кластеров вблизи энергии Ферми носит немонотонный характер, а туннельная проводимость уменьшается почти в два раза с изменением объема кластера от 1 до 0. 1 нм\{3\}, что может свидетельствовать об изменении плотности электронных состояний вблизи энергии Ферми. Обнаруженные особенности качественно описаны в рамках механизма локализации электронов в неупорядоченных системах. Доп.точки доступа: Борисюк, П. В.; Васильев, О. С.; Пушкин, М. А.; Тронин, В. Н.; Тронин, И. В.; Троян, В. И.; Скородумова, Н. В.; Йоханссон, Б. |
621.3 А 471 Алексеев, П. С. Влияние спин-орбитального взаимодействия на спектр двумерных электронов в магнитном поле [Текст] / П. С. Алексеев, М. В. Якунин, И. Н. Яссиевич // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 9. - С. 1110-1117 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): спин-орбитальное взаимодействие -- двумерные электроны -- спектр двумерных электронов -- магнитное поле -- полупроводники со структурой цинковой обманки -- электронные состояния Аннотация: Исследованы электронные состояния в полупроводниках со структурой цинковой обманки во внешнем магнитном поле с учетом собственного спинового расщепления. Гамильтониан спин-орбитального взаимодействия строится методом инвариантов. Рассмотрены эффекты модификации энергетического спектра двумерных электронов в одиночной и двойной квантовых ямах в магнитном поле, параллельном плоскости интерфейсов. Доп.точки доступа: Якунин, М. В.; Яссиевич, И. Н. |
537.6 К 317 Кащенко, М. П. Влияние одноосной деформации на число пар инверсно населенных электронных состояний [Текст] / М. П. Кащенко, Н. А. Скорикова, В. Г. Чащина // Физика металлов и металловедение. - 2008. - Т. 106, N 3. - С. 229-247. - Библиогр.: с. 247 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): деформация -- одноосная деформация -- электронные состояния -- электронные спектры -- электроны Аннотация: Рассматриваются простейшие электронные спектры сильной связи для случая однородной одноосной деформации. Доп.точки доступа: Скорикова, Н. А.; Чащина, В. Г. |
Червонный, А. Д. Термодинамические свойства некоторых галогенидов 4 (эф) -элементов. III. Термодинамические функции LnF[2] (газ) [Текст] / А. Д. Червонный, Н. А. Червонная // Журнал неорганической химии. - 2007. - Т. 52, N 10. - С. 1672-1678 : табл. - Библиогр.: с. 1678 (33 назв. ) . - ISSN 0044-457X
Рубрики: Химия Неорганическая химия Кл.слова (ненормированные): лантаноиды -- ик-спектры -- валентные углы -- электронные состояния -- частоты колебаний -- молекулярные постоянные -- термодинамические функции Аннотация: Из анализа имеющихся в литературе спектроскопических характеристик дифторидов редкоземельных элементов проведены оценки молекулярных постоянных LnF[2] (Ln=La,..., Lu). Эти постоянные использованы для расчета приведенной энергии Гиббса-[G{0} (T) -H{0} (O) ]/T рассматриваемых соединений в состоянии идеального газа для температур 298. 15-3000 K при стандартном давлении p{0}=0. 1 мПа. Рассчитана электронная составляющая в термодинамической функции. Доп.точки доступа: Червонная, Н. А. |
Червонный, А. Д. Термодинамические свойства некоторых галогенидов 4f-элементов. II. Термодинамические функции газообразных молекул LnX (Ln = Ce,..., Lu; X = F, Cl) [Текст] / А. Д. Червонный, Н. А. Червонная // Журнал неорганической химии. - 2007. - Т. 52, N 8. - С. 1314-1326 : ил. - Библиогр.: с. 1325-1326 (75 назв. ) . - ISSN 0044-457X
Рубрики: Химия Общая химия. Теоретическая химия Кл.слова (ненормированные): электронные состояния -- полиномы -- лантаноиды -- сжатие -- молекулярные константы -- расстояния -- возбужденные состояния -- лиганды -- термы -- расщепления Аннотация: Из анализа имеющихся в литературе спектроскопических характеристик монофторидов 4f-элементов проведены оценки их молекулярных постоянных для основного состояния. Приведены аналогичные данные для монохлоридов 4f-элементов. Доп.точки доступа: Червонная, Н. А. |
Боднева, В. Л. Влияние примесных центров на электронные состояния наноразмерных кластеров [Текст] / В. Л. Боднева, Г. К. Иванов // Химическая физика. - 2007. - Т. 26, N 3. - С. 70-78. - Библиогр.: c. 78 (18 назв. ) . - ISSN 0207-401Х
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): наноразмерные кластеры -- кластеры -- примесные центры -- электронные состояния -- гамильтонианы -- электронные переходы -- наноуглерод -- наноструктуры Аннотация: В приближениях, аналогичных используемым в гамильтонианах сильной связи, исследуются особенности электронного строения наноразмерных кластеров при наличии в них примесных центров. Доп.точки доступа: Иванов, Г. К. |
Радиационные характеристики электронно-колебательно-вращательных состояний молекулы водорода. IV. Относительные вероятности спонтанных переходов r{3}П[g]{-}, s{3}дельта[g]{-} - c{3}П[u]{+-} молекулы H[2] [Текст] / С. А. Асташкевич [и др. ] // Химическая физика. - 2008. - Т. 27, N 2. - С. 22-38. - Библиогр.: c. 37-38 (31 назв. ) . - ISSN 0207-401Х
Рубрики: Физика Молекулярная физика Кл.слова (ненормированные): изотопомеры -- изотопомеры водорода -- молекулы -- молекулы водорода -- принцип Ридберга-Ритца -- радиационные характеристики -- Ридберга-Ритца принцип -- спонтанные переходы -- триплетные 4d-состояния H[2] -- ЭКВ -- электронные состояния Аннотация: Проведен статистический анализ имеющихся в литературе и полученных в настощей работе экспериментальных данных о волновых числах линий, возникающих при триплет-триплетных электронно-колебательно-вращательных (ЭКВ) переходах молекулы H[2]. Доп.точки доступа: Асташкевич, С. А.; Лавров, Б. П.; Модин, А. В.; Умрихин, И. С. |
Звягин, И. П. Асимптотическое поведение электронных волновых функций в неупорядоченных гранулированных материалах [Текст] / И. П. Звягин, А. Г. Миронов, М. А. Ормонт // Вестник Московского университета. Сер. 3. Физика. Астрономия. - 2009. - N 3. - С. 66-68. - Библиогр.: c. 68 (7 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): гранулированный проводник -- длина затухания волновых функций -- неупорядоченные гранулированные материалы -- туннелирование -- электронные волновые функции -- электронные состояния -- электронные структуры Аннотация: Вычислена длина затухания волновых функций слабо локализованных электронов в неупорядоченном гранулированном материале, определяющая скорость пространственного убывания волновых функций в режиме суперлокализации. Установлена зависимость длины затухания от энергии и структурных параметров системы. Доп.точки доступа: Миронов, А. Г.; Ормонт, М. А. |
Журавлев, А. Г. Генерация и удаление адатом-индуцированных электронных состояний на поверхности Cs/GaAs (001) [Текст] / А. Г. Журавлев, В. Л. Альперович // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 88, вып: вып. 9. - С. 702-706
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): Cs/GaAs (001) -- электронные состояния -- адатом-индуцированные электронные состояния -- поверхностные электронные состояния Аннотация: На поверхности Cs/GaAs (001) наблюдалось немонотонное поведение изгиба зон фи[S] как функции цезиевого покрытия тэта в виде нескольких максимумов и минимумов, что свидетельствует о формировании квазидискретного спектра адатом-индуцированных поверхностных электронных состояний. Гистерезис зависимости фи[S] (тета) при адсорбции и последующей термодесорбции цезия указывает на метастабильность системы Cs/GaAs (001). Доп.точки доступа: Альперович, В. Л. |
Шеин, И. Р. Зонная структура (Sr[3]Sc[2]O[5]) Fe[2]As[2] как возможная базисная фаза новых FeAs сверхпроводников [Текст] / И. Р. Шеин, А. Л. Ивановский // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып: вып. 1. - С. 44-48 . - ISSN 0370-274Х
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): сверхпроводники -- зонная структура -- (Sr[3]Sc[2]O[5]) Fe[2]As[2] -- FeAs -- энергетические зоны -- электронные состояния -- поверхность Ферми -- Ферми поверхность -- коэффициент низкотемпературной электронной теплоемкости -- коэффициент молярной парамагнитной восприимчивости Паули -- Паули коэффициент молярной парамагнитной восприимчивости Аннотация: Представлены результаты первопринципных FLA W-GGA расчетов зонной структуры недавно синтезированного слоистого тетрагонального (пр. группа I4/mmm) арсенида (Sr[3]Sc[2]O[5]) Fe[2]As[2] как возможной базисной фазы для новой группы FeAs-сверхпроводников. Для (Sr[3]Sc[2]O[5]) Fe[2]As[2] определены энергетические зоны, распределения плотностей электронных состояний, топология поверхности Ферми, коэффициенты низкотемпературной электронной теплоемкости и молярной парамагнитной восприимчивости Паули, эффективные атомные заряды. Эти результаты обсуждаются в сопоставлении с аналогичными данными для слоистых тетрагональных кристаллов LaFeAsO, SrFeAsF, SrFe2As2 и LiFeAs - базисных фаз семейства недавно открытых высокотемпературных FeAs-сверхпроводников. Доп.точки доступа: Ивановский, А. Л. |
Экспериментальное наблюдение виртуальных электронных состояний мотт-хаббардовского диэлектрика FeBO[3] в спектрах инфракрасного поглощения [Текст] / C. Г. Овчинников [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып: вып. 7. - С. 569-573
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): электронные состояния -- виртуальные электронные состояния -- диэлектрики -- мотт-хаббардовские диэлектрики -- спектры поглощения -- монокристаллы -- многоэлектронная теория Аннотация: В спектрах поглощения монокристаллов FeBO[3] в инфракрасном диапазоне обнаружен ряд новых пиков, положение которых близко к предсказанным ранее энергиям виртуальных электронных состояний. Пик с энергией Омега\{o\} =0. 27 эВ отсутствовал в ранее описанной схеме, для его объяснения потребовалось развитие многоэлектронной теории с учетом низкоспинового терма \{2\}T[2] иона Fe\{3+\}. Доп.точки доступа: Овчинников, C. Г.; Гижевский, Б. А.; Казак, Н. В.; Руденко, В. В.; Телегин, А. В. |
Пороговое образование межмолекулярного комплекса с переносом заряда полупроводникового полимера [Текст] / О. Д. Паращук [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 7. - С. 379-384
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые полимеры -- сопряженные полимеры -- низкомолекулярные акцепторы -- органические акцепторы -- электронные состояния -- основные состояния -- кинематические модели -- межмолекулярные комплексы Аннотация: Обнаружено, что образование межмолекулярного комплекса с переносом заряда (Charge Transfer Complex - CTC) в основном электронном состоянии между модельным сопряженным полимером (поли[2-метокси-5- (2'-этил-гек-си-локси) -1, 4-фениленвениленом], MEH-PPV) и низкомолекулярным органическим акцептором (2, 4, 7-тринитрофлуореноном, TNF) происходит скачкообразно при увеличении концентрации акцептора в смеси, что наблюдалось по оптическим спектрам поглощения растворов. Пороговый характер зависимости поглощения CTC приписан скачкообразному изменению концентрации CTC, которое не объясняется стандартной моделью, описывающей оптические характеристики межмолекулярных CTC. Доп.точки доступа: Паращук, О. Д.; Сосорев, А. Ю.; Бруевич, В. В.; Паращук, Д. Ю. |
Лосев, С. А. Процессы в высокотемпературном воздухе с участием молекул и атомов в возбужденных электронных состояниях [Текст] / С. А. Лосев, В. Н. Ярыгина // Теплофизика высоких температур. - 2010. - Т. 48, N 1. - С. 44-51
Рубрики: Физика Физика высоких и низких температур Кл.слова (ненормированные): ударные волны -- фронт ударной волны -- кинетические процессы -- электронные состояния -- электронный обмен -- изоэнергетические переходы -- высоковозбужденные колебательные уровни Аннотация: Выполнен анализ кинетических процессов с участием электронных состояний атомов и молекул в воздухе за фронтом ударной волны. В высокотемпературном воздухе образование электронных состояний атомов и молекул происходит в результате диссоциации и рекомбинации, в процессах электронного обмена энергией при столкновениях частиц и в химических реакциях обмена. Наиболее быстрым является процесс образования возбужденных электронных состояний при рекомбинации атомов и при изоэнергетическом переходе колебательной энергии в электронную с высоковозбужденных колебательных уровней. Тушение метастабильных частиц происходит при столкновениях частиц, при диссоциации и рекомбинации и в химических реакциях обмена. Демонстрируется база данных по константам скорости реакций электронного энергообмена в высокотемпературном воздухе. Приведены примеры описания колебательного энергообмена в электронно-химических реакциях. Доп.точки доступа: Ярыгина, В. Н. |
Любутин, И. С. Современные достижения в исследовании фазовых превращений в оксидах 3d-металлов при высоких и сверхвысоких давлениях [Текст] / И. С. Любутин, А. Г. Гаврилюк // Успехи физических наук. - 2009. - Т. 179, N 10. - С. 1047-1078 : 21 рис. - Библиогр.: с. 1076-1078 (179 назв. ) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): магнитные системы -- диэлектрики -- фазовые переходы -- переходы диэлектрик-металл -- сверхвысокие давления -- кристаллические структуры -- спиновые состояния -- электронные состояния Аннотация: В магнитных системах с сильными электронными корреляциями теория предсказывает индуцированный давлением фазовый переход диэлектрик-металл, который сопровождается коллапсом локализованного магнитного момента и структурным фазовым переходом. Доп.точки доступа: Гаврилюк, А. Г. |
Талочкин, А. Б. Продольная фотопроводимость многослойных Ge/Si-структур с квантовыми точками Ge [Текст] / А. Б. Талочкин, И. Б. Чистохин, В. А. Марков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1034-1038 : ил. - Библиогр.: с. 1038 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- КТ -- квантовые точки Ge -- КТ Ge -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- структуры -- Ge/Si-структуры -- многослойные Ge/Si-структуры -- фотопроводимость -- продольная фотопроводимость -- латеральная фотопроводимость -- спектры фотопроводимости -- фотоотклик -- оптические переходы -- дырочные уровни -- электронные состояния -- энергетическая диаграмма -- квантовый ящик Аннотация: Исследованы спектры продольной фотопроводимости многослойных Ge/Si-структур с квантовыми точками Ge, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Наблюдался фотоотклик в диапазоне энергий 1. 1-0. 3 эВ при T=78 K, связанный с оптическими переходами между дырочными уровнями квантовых точек и электронными состояниями Si. Показано, что основной вклад в латеральную фотопроводимость дают электронные состояния, локализованные в области изгиба зон Si вблизи Ge/Si границы раздела. Применение модели квантового ящика для описания дырочных уровней квантовых точек позволило понять происхождение пиков, наблюдаемых в спектрах фотопроводимости. Построена подробная энергетическая диаграмма дырочных уровней квантовых точек и оптических переходов в Ge/Si-структурах с напряженными квантовыми точками Ge. Доп.точки доступа: Чистохин, И. Б.; Марков, В. А. |
Изменение спектра электронных состояний в поликристаллическом p-CdTe в результате отжига в Cd и естественного старения [Текст] / С. А. Колосов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1526-1533 : ил. - Библиогр.: с. 1532 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электронные состояния -- спектры электронных состояний -- p-CdTe -- поликристаллы -- низкотемпературный синтез -- отжиг -- естественное старение (физика) -- электрические свойства -- станционарная фотопроводимость -- кинетика фотопроводимости -- температурная зависимость -- временные зависимости -- дефекты -- затухания фототоков -- фототоки Аннотация: Исследованы электрические свойства, стационарная фотопроводимость и кинетика фотопроводимости образцов поликристаллического p-CdTe: исходного, полученного методом низкотемпературного синтеза из глубоко очищенных компонентов; отожженного в парах Cd и состаренного при комнатной температуре. Показано, что электрические свойства исходного p-CdTe определяются сложным дефектом с энергией E[v]+0. 16 эВ, который трансформируется в уровень E[v]+0. 25 эВ при отжиге в Cd и старении образцов. Обнаружены также глубокие центры E[v]+0. 6 эВ и E[v]+0. 86 эВ, определяющие процессы затухания фототока. Доп.точки доступа: Колосов, С. А.; Клевков, Ю. В.; Клоков, А. Ю.; Кривобок, В. С.; Шарков, А. И. |