621.37/.39 К 884 Кувандиков, О. К. Изучение парамагнитных свойств пирита, арсенопирита и халькопирита при высоких температурах [Текст] / О. К. Кувандиков, Х. О. Шакаров, З. М. Шодиев, Г. Р. Раббимова // Радиотехника и электроника. - 2007. - Т. 52, N 9. - С. 1149-1151. - Библиогр.: с. 1151 (7 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники Кл.слова (ненормированные): парамагнитные свойства; арсенопириты; халькопириты; магнитные свойства; закон Кюри-Вейса; Кюри-Вейса закон Аннотация: Методом Фарадея измерена температурная зависимость магнитной восприимчивости X (Т) пирита и арсенопирита в интервале температур 20-800{0}С, а халькопирита в 500-900{0}С. Объяснен сложный характер зависимости X (Т). Путем обработки методом наименьших квадратов этой зависимоти рассчитана парамагнитная характеристика образцов. Сделано заключение, что зависимости обратной восприимчивости Х{-1} (Т) образцов в парамагнитной фазе подчиняются закону Кюри-Вейсса, немагнитные элементы S, As, Cu ослабляют магнитные свойства железа. Доп.точки доступа: Шакаров, Х. О.; Шодиев, З. М.; Раббимова, Г. Р. |
539.2 К 682 Королева, Л. И. Магнитные и электрические свойства халькопирита ZnGeAs[2] : Mn [Текст] / Л. И. Королева, В. Ю. Павлов [и др.] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып. 11. - С. 2022-2026. - Библиогр.: с. 2026 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): кластеры -- легирование -- марганец -- намагниченность -- спинтроника -- спонтанная намагниченность -- ферромагнитные кластеры -- ФМ-кластеры -- халькопириты -- ширина запрещенной зоны Аннотация: Получены и исследованы новые соединения ZnGeAs[2] : Mn, температура Кюри которых достигает 367 K - рекордной величины для соединений типа A{II}B{IV}C{V}[2]. Рассматриваемое в работе соединение ZnGeAs[2] обладает следующими характеристиками: ширина запрещенной зоны 0. 85 eV; значения подвижности около 10{2} cm{2}/V*s (для дырок с концентрациями 10{18} - 5*10{19} cm{-3}; эффективная масса дырок 0. 4 - 0. 74. Таким образом, соединения A{II}B{IV}C{V}[2]: Mn являются перспективными материалами спинтроники. Доп.точки доступа: Павлов, В. Ю.; Защиринский, Д. М.; Маренкин, С. Ф.; Варнавский, С. А.; Шимчак, Р.; Добровольский, В.; Киллинский, Л. |
Новое гидротермальное рудное поле в осевой зоне Срединно-Атлантического хребта [Текст] / В. Е. Бельтенев и [др. ] // Доклады Академии наук. - 2004. - Т. 397, N 1. - С. 78-82 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Геология Геология полезных ископаемых Кл.слова (ненормированные): рудные поля -- гидротермальные поля -- гидротермальные оруденения -- гидротермальные плюмы -- халькопирит-сфалеритовые руды -- пирротин-халькопиритовые руды -- рифтовые долины -- тектонические деформации -- халькопириты Аннотация: В результате проведенных исследований установлено, что новое активное гидротермальное рудное поле расположено на поверхности тектонической ступени подножья западного борта рифтовой долины в области пересечения краевого глубинного разлома с зоной субширотных тектонических деформаций. Доп.точки доступа: Бельтенев, В. Е.; Нещеретов, А. В.; Иванов, В. Н.; Шилов, В. В.; Рождественская, И. И. |
535 И 889 Исследование рекомбинационного процесса на границах кристаллитов в пленках CuIn[1-x]Ga[x]Se[2] (CIGS) методом микроволновой фотопроводимости / К. В. Бочаров [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 310-315 : ил. - Библиогр.: с. 315 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): микроволновая фотопроводимость -- метод микроволновой фотопроводимости -- тонкопленочные солнечные элементы -- ТСЭ -- фотогенерированные носители заряда -- носители заряда -- поликристаллические тонкопленочные халькопириты -- тонкопленочные халькопириты -- халькопириты -- ампульные методы -- солнечные элементы -- СЭ -- метод вакуумного напыления -- вакуумное напыление -- метод магнетронного распыления -- магнетронное распыление -- мишени -- метод термического напыления -- термическое напыление -- фотопроводимость -- излучение лазеров -- азотные лазеры -- лазеры -- импульсы -- фотоны -- рентгеновская дифракция -- прекурсоры -- интерметаллические прекурсоры -- фотоотклик -- когерентное рассеяние -- пленки -- кристаллиты -- рекомбинация дырок -- свободные дырки -- интенсивность света -- электроны -- границы кристаллитов Аннотация: Методом микроволновой фотопроводимости (36 ГГц) изучена кинетика гибели фотогенерированных носителей заряда в поликристаллических тонкопленочных халькопиритах CuIn[1-x]Ga[x]Se[2] (CIGS), синтезированных ампульным методом и несколькими модификациями метода вакуумного напыления с последующей селенизацией: методом магнетронного распыления мишени, методом термического напыления, модифицированным методом термического напыления с использованием интерметаллических прекурсоров. Фотопроводимость возбуждали излучением азотного лазера с длительностью импульса 8 нс и максимальной интенсивностью 4 x 10{14} фотон/см за импульс. Измерения выполнены в температурном диапазоне 148-293 K. Обнаружено, что амплитуда фотоотклика линейно зависела от размеров областей когерентного рассеяния в зернах пленок, рассчитанных из данных рентгеновской дифракции. Спады фотоотклика были гиперболическими. Время полуспада фотоотклика возрастало с понижением как температуры, так и интенсивности света. Показано, что процесс рекомбинации свободных дырок с захваченными электронами очень эффективен вблизи границ кристаллитов. The loss kinetics of photo generated charge carriers was studied by time resolved microwave (36GHz) photoconductivity technique in polycrystalline chalcopyrites films CuIn[1-x]Ga[x]Se[2] (CIGS) prepared by a sealed-ampoule method and by three modifications of physical vapor deposition (PVD) method with selenization: sputtering, evaporation PVD with intermetallic precursors. Photoconductivity exited by 8 ns nitrogen laser pulses. Maximal incident light intensity (exposed dose) was 4 x 10{14} photon/cm per impulse. Measurements were carried out at temperature range 148-293K. It was found out that amplitude of photoconductivity response linearly depends on calculated from X-ray diffraction data sizes of coherent scattering regions in grains. The decay law of photoresponse was hyperbolic function. The half decay time of photoresponse increased with both light intensity and temperature decrease. It was shown that recombination process of free holes with trapped electrons is very effective near crystallite's boundaries. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p310-315.pdf Доп.точки доступа: Бочаров, К. В.; Новиков, Г. Ф.; Hsieh, T. Y.; Гапанович, М. В.; Jeng, M. J. |
621.382 Г 220 Гасанли, Ш. М. Электрофизические характеристики композитных нелинейных резисторов на основе полимера и твердых растворов CuInSe[2] + 10 mol % MnSe / Ш. М. Гасанли, авт. У. Ф. Самедова // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 10. - С. 132-134. - Библиогр.: c. 134 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): композитные нелинейные резисторы -- нелинейные резисторы -- композитные резисторы -- резисторы -- варисторы -- неполярный пропилен -- халькопириты -- твердые растворы -- композиты -- вольт-амперные характеристики -- удельное сопротивление -- полиэтилен Аннотация: Приведены результаты исследований вольт-амперной характеристики удельного сопротивления композитных резисторов (варисторов) на основе неполярного пропилена и твердого раствора на основе халькопирита CuInSe[2] + 10 mol % MnSe. Обнаружено влияние содержания компонентов композита на вольт-амперные характеристики, на величины удельного сопротивления. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/10/p132-134.pdf Доп.точки доступа: Самедова, У. Ф. |
546 У 754 Условия получения и свойства CuGaTe[2], легированного Fe / В. М. Новоторцев [и др.] // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2011. - Т. 54, вып. 12. - С. 62-65 : 4 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 65 (4 назв. ) . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Химия Общая и неорганическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): катионные подрешетки -- функции Ланжевена -- Ланжевена функции -- халькопириты -- магнитные полупроводники -- тройные алмазоподобные полупроводники -- суперпарамагнетики -- твердые растворы Аннотация: Работа посвящена условиям синтеза и магнитным свойствам легированного железом тройного алмазоподобного полупроводника CuGaTe[2]. Уточнены границы областей гомогенности в представленных системах. Согласно измерениям намагниченности оба ряда исследуемых твердых растворов относятся к суперпарамагнетикам. Магнитные моменты соответствующих кластеров и количество атомов железа в них оценены с привлечением функции Ланжевена. Доп.точки доступа: Новоторцев, В. М.; Ефимов, Н. Н.; Шабунина, Г. Г.; Аминов, Т. Г. |
544.6 С 873 Структура и свойства электроосажденных пленок и пленочных композиций для прекурсоров халькопиритных и кестеритных солнечных элементов / Н. П. Клочко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 4. - С. 539-548 : ил. - Библиогр.: с. 548 (25 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Химия Электрохимия Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электроосажденные пленки -- сравнительный анализ -- результаты анализа -- поверхность пленок -- пленки -- медь -- индий -- олово -- цинк -- морфология поверхности -- структура поверхности -- электрохимическое осаждение -- электролиты -- импульсный режим -- солнечные элементы -- кристаллические пленки -- селен -- халькопириты -- оптические свойства -- аморфные пленки -- прекурсоры -- отжиг Аннотация: Представлены результаты сравнительного анализа структуры и морфологии поверхности пленок меди, индия, олова, цинка и их слоевых композиций, изготовленных путем электрохимического осаждения в гальваностатическом стационарном режиме, в гальваностатическом режиме с ультразвуковым перемешиванием электролитов, в прямом импульсном и реверсивном импульсном режимах с прямоугольной формой импульсов потенциала. Изучено влияние режимов электроосаждения на структуру, оптические свойства и морфологию поверхности аморфных и кристаллических пленок селена. Путем последовательного электрохимического осаждения изготовлены пленочные композиции Cu/In/Se и Cu/Sn/Zn/Se, являющиеся моделями прекурсоров халькопирита CuInSe[2] и кестерита соответственно. Такие прекурсоры после их преобразования путем последующих отжигов в полупроводниковые материалы CuInSe[2] и Cu[2]ZnSnSe[4] будут использованы в качестве базовых слоев дешевых и эффективных тонкопленочных солнечных элементов нового поколения. A comparative analysis of structure and surface morphology of copper, indium, tin, zinc films and film stacks made by electrochemical deposition in galvanostatic steady-state conditions, in galvanostatic mode with ultrasonic agitation of electrolytes, in the forward pulse and reverse pulse modes with rectangular pulses has been performed. The influence of the modes of electrodeposition on the structure, optical properties and surface morphology of the amorphous and crystalline selenium films is presented. By sequential electrochemical deposition the film stacks Cu/In/Se and Cu/Sn/Zn/Se were obtained, which are models of chalcopyrite CuInSe[2] and kesterite Cu[2]ZnSnSe[4] precursors, respectively. These precursors after their conversion into CuInSe2 and Cu[2]ZnSnSe[4] semiconductors, respectively, by subsequent annealing will be used as base layers of cheap and efficient thin film solar cells of the new generation. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/04/p539-548.pdf Доп.точки доступа: Клочко, Н. П.; Хрипунов, Г. С.; Волкова, Н. Д.; Копач, В. Р.; Момотенко, А. В.; Любов, В. Н.; Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт"; Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт"; Национальный аэрокосмический университет "Харьковский авиационный институт"; Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт"; Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт"; Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт" |