539.1/.18 Д 246 Дворянкин, В. Ф. Исследование свойств фотовольтаических детекторов рентгеновского излучения на основе эпитаксиальных структур GaAs [Текст] / В. Ф. Дворянкин, Ю. М. Дикаев, А. А. Кудряшов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 6. - Библиогр.: c. 128 (3 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- детекторы излучения -- рентгеновское излучение -- фотовольтаические детекторы -- эпитаксиальные структуры Аннотация: Представлены результаты исследования под действием тормозного рентгеновского излучения нового фотовольтаического детектора на основе эпитаксиальных структур GaAs, работающего без напряжения смещения и при комнатной температуре. Из измерений фотоотклика детектора рассчитана эффективность преобразования поглощенной энергии в ток короткого замыкания в диапазоне энергий фотонов от 12 до 120 keV. В этом диапазоне энергий процесс поглощения в GaAs определяется фотоэлектрическим эффектом. Максимальное значение эффективности преобразования в GaAs для тормозного рентгеновского излучения находится при энергии 80 keV. Для увеличения поглощения рентгеновских фотонов предложена и рассчитана схема наклонного облучения тонкого 50 mum детектора. При этом значительный эффект проявляется для жесткого рентгеновского излучения. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/06/page-126.html.ru Доп.точки доступа: Дикаев, Ю. М.; Кудряшов, А. А. |
Фотовольтаические детекторы рентгеновского излучения на основе кристаллов CdTe с p-n-переходом [Текст] / В. Ф. Дворянкин [и др. ] // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 7. - С. 156-158. - Библиогр.: c. 158 (7 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Рентгеновские лучи. Гамма-лучи Экспериментальные методы и аппаратура ядерной физики Кл.слова (ненормированные): детекторы рентгеновского излучения -- рентгеновское излучение -- рентгеновские детекторы -- напряжение смещения -- фотовольтаические детекторы -- теллурид кадмия -- p-n-переходы Аннотация: Изготовлены детекторы рентгеновского излучения на основе CdTe с p-n-переходами, полученными диффузией In в p-CdTe. Впервые исследованы основные характеристики детектора. Показана высокая чувствительность детектора к рентгеновскому излучению при малых напряжениях смещения (до -50 V) в диапазоне эффективных энергий рентгеновского излучения 28-72 keV. Продемонстрировано преимущество фотовольтаических детекторов на основе CdTe c p-n-переходами перед рентгеновскими детекторами на основе Cd[0. 9]Zn[0. 1]Te. Доп.точки доступа: Дворянкин, В. Ф.; Дворянкина, Г. Г.; Иванов, Ю. М.; Кудряшов, А. А.; Петров, А. Г. |
535.2/.3 Ф 815 Фотовольтаический детектор на основе гетероструктуры II типа с глубокой квантовой ямой AlSb/InAsSb/AlSb в активной области для среднего инфракрасного диапазона [Текст] / М. П. Михайлова [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - С. 251-255 : ил. - Библиогр.: с. 255 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): фотодетекторы -- ФД -- фотовольтаические детекторы -- гетероструктуры II типа -- квантовые ямы -- AlSb/InAsSb/AlSb -- гетерограницы -- газофазная эпитаксия -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- люминесцентные характеристики -- фотоэлектрические характеристики -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- люминесценция -- спектры люминесценции -- высокие температуры -- фоточувствительность -- спектры фоточувствительности -- квантовая эффективность -- квантово-каскадные лазеры -- инфракрасная спектроскопия -- фотодиоды Аннотация: Созданы и исследованы фотодетекторы для спектрального диапазона 2-4 мкм на основе асимметричной гетероструктуры II типа p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/ (p, n) GaSb с глубокой одиночной или тремя глубокими квантовыми ямами на гетерогранице, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Исследованы транспортные, люминесцентные, фотоэлектрические, вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики таких структур. Интенсивная положительная и отрицательная люминесценция наблюдались в спектральном диапазоне 3-4 мкм при высоких температурах (300-400 K). Спектры фоточувствительности лежали в диапазоне 1. 2-3. 6 мкм (T=77 K). Высокая квантовая эффективность eta=0. 6-0. 7, токовая чувствительность S[lambda]=0. 9-1. 4 А/Вт и обнаружительная способность D{*}[lambda]=3. 5 x 10{11}-10{10} см x Гц{1/2}/Вт были получены в области T=77-200 K. Низкое значение емкости (C=1. 5 пФ при V=-1 В, T=300 K) позволило оценить быстродействие фотодетектора tau=75 пс, что соответствует ширине полосы частот около 6 ГГц. Такие фотодетекторы перспективны для гетеродинного приема излучения квантово-каскадных лазеров и инфракрасной спектроскопии. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/02/p251-255.pdf Доп.точки доступа: Михайлова, М. П.; Андреев, И. А.; Моисеев, К. Д.; Иванов, Э. В.; Коновалов, Г. Г.; Михайлов, М. Ю.; Яковлев, Ю. П. |