Эффекты переключения токовых каналов и новый механизм магнитосопротивления в туннельной структуре [Текст] / Н. В. Волков [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 21. - С. 33-41 : ил. - Библиогр.: с. 41 (7 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): транспортные свойства -- туннельные структуры -- La[0. 7]Sr[0. 3]MnO[3] -- токовые каналы -- эффекты переключения токовых каналов -- магнитосопротивление -- механизмы магнитосопротивления -- магниты -- проводящие слои -- обедненные слои -- потенциальные барьеры -- MnSi -- марганец -- ток -- интерфейсы структуры -- вольт-амперные характеристики -- положительное магнитосопротивление -- особенности транспортных свойств -- механизмы переключения -- сопротивление (физика) -- туннельные переходы -- магнитные поля Аннотация: Исследованы транспортные свойства туннельной структуры La[0. 7]Sr[0. 3]MnO[3]/обедненный слой манганита/MnSi. Роль потенциального барьера между проводящими слоями La[0. 7]Sr[0. 3]MnO[3] и MnSi играет обедненный марганцем слой манганита. Исследования проводились в геометрии, при которой ток параллелен плоскости интерфейсов структуры. Обнаружены нелинейность ВАХ структуры и положительное магнитосопротивление, величина которого зависит от тока через структуру. Предполагается, что особенности транспортных свойств связаны с эффектом переключения токового канала между проводящими слоями структуры. В основе механизма переключения - зависимость сопротивления туннельного перехода между проводящими слоями от смещения на нем и величины магнитного поля. Доп.точки доступа: Волков, Н. В.; Еремин, Е. В.; Цикалов, В. С.; Патрин, Г. С.; Ким, П. Д.; Yu, S. -C.; Kim, D. -H.; Chau, N. |
Бабич, А. В. Эффекты уширения уровней и перегрева электронов в туннельных структурах на металлических кластерах [Текст] / А. В. Бабич, В. В. Погосов // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 1. - С. 165-171. - Библиогр.: с. 171 (27 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): эффекты уширения уровней -- нарев электронного газа -- уширение уровней -- туннельные структуры -- металлические кластеры -- эффект перегрева электронов Аннотация: Исследовано влияние уширения уровней и перегрева электронной подсистемы золотых кластеров-островков дискообразной и сферической формы на характер вольт-амперной характеристики трехэлектродной структуры. Предложена схема расчета уширения электронных уровней в одномерном случае прямоугольных барьеров. В двухтемпературной электрон-ионной модели металлического кластера с учетом размерной зависимости дебаевской частоты оценена кинетическая температура электронов в зависимости от напряжения смещения. При низких температурах ионов эффекты уширения и перегрева электронов приводят к исчезновению ступеней квантовой и кулоновской лестниц, т. е. к сильной сглаженности вольт-амперной характеристики даже в структурах на кластерах, состоящих из счетного числа атомов, что и наблюдается в экспериментах. Доп.точки доступа: Погосов, В. В. |
539.21:537 В 269 Векслер, М. И. Моделирование электрических характеристик туннельных структур металл-диэлектрик-полупроводник сферической формы [Текст] / М. И. Векслер, авт. И. В. Грехов // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 21. - С. 33-40 : ил. - Библиогр.: с. 40 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): туннельные структуры -- металл-диэлектрик-полупроводник -- металлы -- диэлектрики -- полупроводники -- сферическая геометрия -- электрические характеристики -- вольт-амперные характеристики -- моделирование характеристик -- туннельные токи -- сферические структуры -- планарные структуры -- легированные подложки Аннотация: Теоретически рассмотрены распределение потенциала и вольт-амперные характеристики туннельной структуры металл-диэлектрик-полупроводник в сферической геометрии. Показано, что из-за эффекта геометрии распределение напряжения, а значит, и туннельные токи претерпевают значительные изменения по сравнению с планарным случаем. Во многих деталях сферическая структура ведет себя как планарная, выполненная на более сильно легированной подложке. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/21/p33-40.pdf Доп.точки доступа: Грехов, И. В. |
538.9 Т 845 Туннельная аномалия при нулевом смещении в двумерной электронной системе с беспорядком / И. Н. Котельников [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 9. - С. 646-650
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): двумерные электронные системы -- системы с беспорядком -- туннельные структуры -- туннельная проводимость -- аномалии туннельной проводимости Аннотация: В туннельной структуре Al/дельта-GaAs с концентрацией 2D-электронов в дельта-слое 3. 5 х 10\{12\} см\{-2\} исследована зависимость аномалии туннельной проводимости при нулевом смещении от температуры. Доп.точки доступа: Котельников, И. Н.; Дижур, С. Е.; Морозова, Е. Н.; Девятов, Э. В.; Долгополов, В. Т. |
539.21:537 О-280 Общая процедура расчета электрических характеристик туннельных МДП-структур / М. И. Векслер [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 5. - С. 675-683 : ил. - Библиогр.: с. 683 (32 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): МДП-структуры -- туннельные структуры -- диэлектрики -- полупроводники -- физические модели -- алгоритмы -- результаты измерений -- электрические характеристики -- металлические детали -- поликремниевые детали -- многослойные диэлектрики -- легированные полупроводники Аннотация: Предлагается алгоритм расчета вольт-амперных характеристик системы металл-туннельно-тонкий диэлектрик-полупроводник, управляемой напряжением или током. Обсуждаются физические модели, взятые за основу. Работоспособность алгоритма подтверждается сопоставлением результатов моделирования с данными измерений, как полученными непосредственно авторами, так и заимствованными из литературы, для нескольких различных структур. Предполагается, что изложенных сведений достаточно для проведения расчетов электрических характеристик интересующих структур с самыми различными сочетаниями материалов: металлический или поликремниевый затвор, одно- или многослойный диэлектрик, любые тип и уровень легирования полупроводника. The algorithm for simulation of I-V characteristics of a current- or voltage-controlled metal-tunnel-thin insulator-semiconductor system is proposed. The basic underlying physical models are discussed. A functionality of the algorithm is confirmed by a comparison of the simulation results with the measurement data, obtained directly by the authors or borrowed from literature, for several different structures. The presented information is supposed to suffice for carrying out the calculation of the electrical characteristics of studied structures with the various material combinations: metal or poly-Silicon gate, single layer of stacked insulator, any type and doping level of a semiconductor. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/05/p675-683.pdf Доп.точки доступа: Векслер, М. И.; Тягинов, С. Э.; Илларионов, Ю. Ю.; Yew Kwang Sing; Ang Diing Shenp; Федоров, В. В.; Исаков, Д. В. |