Новиков, Г. Ф. Роль подбарьерных переходов в процессах гибели избыточных носителей тока в полупроводниках A{II}B{VI} [Текст] / Г. Ф. Новиков, Е. В. Рабенок, М. В. Гапанович // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 600-605 : ил. - Библиогр.: с. 605 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые соединения -- теллурид кадмия -- сульфид кадмия -- сульфид цинка -- фотопроводимость -- СВЧ фотопроводимость -- метод СВЧ фотопроводимости -- фотоотклик -- спад фотоотклика -- температура -- подбарьерные переходы -- носители зарядов -- рекомбинация -- туннельная рекомбинация -- ловушки Аннотация: Методом СВЧ фотопроводимости изучена кинетика гибели носителей тока, генерируемых импульсами излучения азотного лазера, в полупроводниковых соединениях группы A{II}B{VI}: теллуриде кадмия n- и p-типа проводимости, сульфиде кадмия. Спады фотоотклика после выключения света состояли из быстрой (проявляющейся при временах <30 нс) и медленной (при временах >50 нс) компонент. Форма спада медленной компоненты практически не зависела от температуры и при больших временах, закон спада соответствовал линейной зависимости фотоотклика от логарифма времени. Результаты позволили предположить, что медленная компонента спада фотоотклика отражает процесс гибели захваченных в ловушки зарядов благодаря туннельной рекомбинации. Доп.точки доступа: Рабенок, Е. В.; Гапанович, М. В. |
539.21:537 О-110 О возможной роли туннельной рекомбинации в процессах гибели избыточных носителей тока в теллуриде кадмия [Текст] / Г. Ф. Новиков [и др.] // Журнал физической химии. - 2010. - Т. 84, N 5. - С. 969-972. - Библиогр.: c. 972 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): амплитуда спадов фотоотклика -- гибель зарядов -- избыточные носители тока -- интенсивность света -- логарифм времени -- теллурид кадмия -- туннельная рекомбинация Аннотация: Методом СВЧ-фотопроводимости изучена кинетика гибели носителей тока, генерируемых импульсами азотного лазера, в теллуриде кадмия n- и p-типа. Исследованы зависимости формы и амплитуды спадов фотоотклика от температуры и интенсивности света. Установлено, что спады фотоотклика состояли из "быстрой" (при t < 30 нс) и "медленной" (при t > 50 нс) компонент. При больших временах получена линейная зависимость фотоотклика от логарифма времени; форма спадов медленной компоненты практически не зависела от температуры. Предположено, что медленная компонента спада фотоотклика отражает процесс гибели захваченных в ловушки зарядов вследствие туннельной рекомбинации. Доп.точки доступа: Новиков, Г. Ф.; Маринин, А. А.; Гапанович, М. В.; Рабенок, Е. В. |