Вишняков, А. В. Моделирование проводимости a-Si : H тонкопленочного транзистора с барьерами Шоттки [Текст] / А. В. Вишняков, М. Д. Ефремов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1290-1293 : ил. - Библиогр.: с. 1292 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): тонкопленочные транзисторы -- ТПТ -- контакты Шоттки -- Шоттки контакты -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- численное моделирование -- проводимость a-Si Аннотация: Численным моделированием показано, что сток-истоковые контакты Шоттки существенно определяют проводимость тонкопленочного транзистора в надпороговой области. При высоте барьера больше 0. 75 эВ проявляется эффект сгущения, причиной которого является увеличение электрического поля на краю истокового электрода при росте тянущего напряжения, что приводит к локальному понижению барьера и росту тока через обратно смещенный барьер Шоттки. Эффективная подвижность тонкопленочного транзистора в области насыщения определяется пленкой и от высоты барьера не зависит. Доп.точки доступа: Ефремов, М. Д. |
621.315.592 G 58 Gogoi, P. Thermally deposited Ag-doped CdS transistors with rare-earth oxide Nd[2]O[3] as gate dielectric / P. Gogoi // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 316-319 : ил. - Библиогр.: с. 319 (21 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): тонкопленочные транзисторы -- легированные тонкие пленки -- тонкие пленки -- химические методы -- ультразвуковые стеклянные подложки -- стеклянные подложки -- подложки -- транзисторы Аннотация: The performance of thermally deposited CdS thin film transistors doped with Ag has been reported. Ag-doped CdS thin films have been prepared using chemical method. High dielectric constant rare earth oxide Nd[2]O[3] has been used as gate insulator. The thin film trasistors are fabricated in coplanar electrode structure on ultrasonically cleaned glass substrates with a channel length of 50 mum. The thin film transistors exhibit a high mobility of 4. 3 cm{2}V{-1}s{-1} and low threshold voltage of 1 V. The ON-OFF ratio of the thin film transistors is found as 10{5}. The transistors also exhibit good transconductance and gain band-width product of 1. 15 x 10{-3} mho and 71 kHz respectively. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p316-319.pdf |