537.311.1 : 538.975 П 688 Праздников, Ю. Е. Эмиссионные свойства линейно-цепочечного углерода [Текст] / Ю. Е. Праздников, А. Д. Божко, М. Б. Гусева, Н. Д. Новиков // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2004. - N 5. - Библиогр.: с. 40-41 (21 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): углерод линейно-цепочечный -- диэлектрики -- эффективная эмиссия электронов -- вакуум -- метод катодолюминесценции -- термоактивация -- эффект Шоттки Аннотация: При исследовании эмиссионных свойств пленок линейно-цепочечного углерода на слое диэлектрика обнаружено явление эффективной эмиссии электронов в вакуум. С помощью метода катодолюминесценции проведены эксперименты, подтвердившие факт эмиссии электронов в вакуум. Вольт-амперные характеристики имеют экспоненциальный характер и в совокупности с температурными зависимостями свидетельствуют о термоактивации. Отсутствие эффекта Шоттки объяснено геометрией барьера, на котором происходит активация; предположительно им является межцепочечный барьер. Доп.точки доступа: Божко, А. Д.; Гусева, М. Б.; Новиков, Н. Д. |
Анализ механизмов эмиссии носителей в p-i-n-структурах с квантовыми точками In (Ga) As [Текст] / Е. С. Шаталина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 10. - С. 1352-1356 : ил. - Библиогр.: с. 1356 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- КТ -- спектроскопия фототоков -- фототоки -- эмиссия носителей зарядов -- носители зарядов -- энергетические уровни -- спейсерные слои -- термическая активация -- термоактивация -- p-i-n структуры -- In (Ga) As Аннотация: С помощью спектроскопии фототока исследованы механизмы эмиссии носителей заряда с энергетических уровней квантовых точек (In, Ga) As/ (Al, Ga) As различной конструкции. Показано, что для изолированных слоев квантовых точек, разделенных широкими спейсерными слоями (Al, Ga) As, основным механизмом эмиссии носителей из квантовых точек является термическая активация. При малой ширине спейсерного слоя (Al, Ga) As, когда происходит электронное связывание отдельных слоев квантовых точек в вертикальном направлении, возрастает роль туннельного механизма эмиссии носителей между вертикально связанными квантовыми точками. Доп.точки доступа: Шаталина, Е. С.; Блохин, С. А.; Надточий, А. М.; Паюсов, А. С.; Савельев, А. В.; Максимов, М. В.; Жуков, А. Е.; Леденцов, Н. Н.; Ковш, А. Р.; Михрин, С. С.; Устинов, В. М. |
544.56 С 750 Сравнительный анализ влияния фото- и термоактивации на сенсорные свойства пленок этиопорфирина кобальта (II) [Текст] / М. А. Гольдштрах [и др.] // Журнал физической химии. - 2009. - Т. 83, N 10. - С. 1960-1965. - Библиогр.: c. 1965 (13 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Химия Магнетохимия Кл.слова (ненормированные): Co (II) EP -- газочувствительный слой -- газы -- металлокомплексы порфиринов -- молекулы кислорода -- органические полупроводники -- сенсорные свойства пленок -- сорбция -- термоактивация -- фотовоздействие -- фотопроводимость -- этиопорфирин кобальта Аннотация: Проведен сравнительный анализ темновой и фотопроводимости тонких пленок этиопорфирина-II кобальта (II), Co (II) EP в присутствии различных газов. В обоих случаях основной вклад в проводимость вносят молекулы кислорода, адсорбированные на поверхности газочувствительного слоя. Доп.точки доступа: Гольдштрах, М. А.; Дорофеев, С. Г.; Ищенко, А. А.; Киселев, Ю. М.; Кононов, Н. Н. |
621.375 В 586 Влияние примеси железа на люминесценцию и фотопроводимость кристаллов ZnSe в видимой области спектра [Текст] / Ю. Ф. Ваксман [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1171-1174 : ил. - Библиогр.: с. 1174 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотопроводимость -- фотолюминесценция -- кристаллы -- селенид цинка -- ZnSe -- оптические переходы -- примесные центры -- высокотемпературная фотопроводимость -- электроны -- энергетические уровни -- ионы -- термическая активация -- термоактивация -- внутрицентровая люминесценция -- собственное поглощение ионов -- примеси железа Аннотация: Исследована фотопроводимость и фотолюминесценция кристаллов ZnSe: Fe в видимой области спектра. Установлена схема оптических переходов, происходящих в пределах примесных центров Fe{2+}. Показано, что высокотемпературная фотопроводимость кристаллов ZnSe: Fe обусловлена оптическими переходами электронов из основного состояния {5}E (F) на более высокие возбужденные энергетические уровни иона Fe{2+} с их последующей термической активацией в зону проводимости. Эффективное возбуждение внутрицентровой люминесценции кристаллов ZnSe: Fe осуществляется светом из области собственного поглощения ионов Fe{2+}. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1171-1174.pdf Доп.точки доступа: Ваксман, Ю. Ф.; Ницук, Ю. А.; Яцун, В. В.; Насибов, А. С.; Шапкин, П. В. |
536.42 И 860 Искандаров, А. М. Термоактивированное разрушение графена под действием растягивающих напряжений / А. М. Искандаров, авт. С. В. Дмитриев // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 4. - С. 1-8 : ил. - Библиогр.: с. 7-8 (15 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): термоактивное разрушение -- растяжение графена -- растягивающие напряжения -- графен -- молекулярная динамика -- методы разрушения -- температура растяжения -- температурная деформация -- термоактивация -- параметры разрушения -- анализ данных -- зависимость Аррениуса - Журкова -- Аррениуса - Журкова зависимость Аннотация: Графен привлекает внимание исследователей благодаря своим уникальным свойствам, в том числе рекордной прочности на растяжение. Методом молекулярной динамики исследуется время до разрушения бездефектного графена, подверженного деформации растяжения, при ненулевых температурах. Установлено, что время до термоактивируемого разрушения носит вероятностный характер и имеет экспоненциальное распределение. Среднее время до разрушения обратно пропорционально площади листа графена и подчиняется зависимости Аррениуса-Журкова от температуры и деформации. Зависимость энергии активации разрушения графена от приложенной деформации и от площади листа графена экстраполирована на величины этих параметров, интересные для практики. Проведен анализ механизма разрушения. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/04/p1-8.pdf Доп.точки доступа: Дмитриев, С. В. |
544 М 920 Мухамедзянов, Х. Н. Исследование характеристик фоторезисторов на основе гидрохимически осажденных пленок твердого раствора Pb[0.902]Sn[0.098]Se / Х. Н. Мухамедзянов, В. Ф. Марков, Л. Н. Маскаева // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 4. - С. 551-556 : ил. - Библиогр.: с. 555-556 (22 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Химия Физическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): фоторезисторы -- ФР -- полупроводниковые пленки -- твердые растворы -- экспериментальные образцы -- структура пленок -- морфология пленок -- пленки -- термоактивация -- термическая активация -- тонкопленочные композиции -- температурные зависимости -- темновое сопротивление -- частотные характеристики -- спектральные характеристики -- фотоответ -- метод послойного гидрохимического осаждения -- послойное гидрохимическое осаждение -- селенид свинца -- SnSe -- селенид олова -- PbSe Аннотация: Разработаны экспериментальные образцы фоторезисторов на основе полупроводниковой пленки твердого раствора Pb[0. 902]Sn[0. 098]Se, полученной по технологии послойного осаждения индивидуальных селенидов свинца и олова (II) с последующей термоактивацией. Исследованы структура и морфология тонкопленочных композиций (SnSe-PbSe) [2]. Изучены температурные зависимости темнового сопротивления, сигнала, шумов и их соотношения, а также частотные и спектральные характеристики фоторезисторов, изготовленных на основе пленок Pb[0. 902]Sn[0. 098]Se, в диапазоне 205-300 K. Определены оптимальные значения напряжения смещения. Показано, что для фоторезисторов на основе Pb[0. 902]Sn[0. 098]Se положение максимума и правой границы фотоответа сдвигается по сравнению с PbSe в длинноволновую область спектра на 0. 7 мкм. Полученное при 230 K максимальное значение обнаружительной способности исследованных фоторезисторов (2. 0x2. 0 мм) составило 9 x 10{9} см x Вт{-1}Гц{1/2}. Показаны преимущества использования фоторезисторов на основе пленок Pb[0. 902]Sn[0. 098]Se по сравнению с PbSe в спектральном диапазоне 3. 0-5. 5 мкм. Experimental samples of photoresistors (PR) made of semiconductor film of Pb[0. 902]Sn[0. 098]Se solid solution, obtained by the technology of level-by-level deposition of individual lead and tin (II) selenides with their subsequent heat treatment, have been developed. The structure and morphology of the thin film compositions (SnSe-PnSe) [2] have been investigated. On teperature dependencies of the dark resistance, signal, noise, signal-to-noise ratio, frequency and spectral characteristics of PR made of films of Pb[0. 902]Sn[0. 098]Se solid solutions have been investigated in the range pf 205-300K. Optimal voltage bias has been determined. It has been shown, that the maximum and the right edge of photosensitivity of PR made of Pb[0. 902]Sn[0. 098]Se is shifted on 0. 7 mum to the long-wave region of a spectra compared to PbSe. Maximal detectivity of the investigated PR (2. 0 ? 2. 0mm) has reached 9 x 10{9} cm · W{-1}Hz{1/2} at 230K. The advantages of photoresistors made of the films of Pb[0. 902]Sn[0. 098]Se compared to PnSe in 3. 0-5. 5 mum spectral range have been shown. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/04/p551-556.pdf Доп.точки доступа: Марков, В. Ф.; Маскаева, Л. Н. |
539.21:537 М 550 Механизм переноса заряда в тонких пленках твердых растворов Bi[2](Te[0.9]Se[0.1])[3] / Н. А. Абдуллаев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 5. - С. 586-590 : ил. - Библиогр.: с. 589-590 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- тонкие пленки -- перенос заряда -- электропроводность -- эффект Холла -- Холла эффект -- температурные интервалы -- магнитные поля -- высокие температуры -- термоактивация -- низкие температуры -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- магнитосопротивление -- радиусы локализации Аннотация: Исследованы электропроводность, эффект Холла и магнитосопротивление в тонких пленках Bi[2] (Te[0. 9]Se[0. 1]) [3] в широком интервале температур 2. 5-300 K и в сильных магнитных полях вплоть до 8 Тл. Обнаружено, что, в то время как в объемных монокристаллах проводимость имеет "металлический" характер, в тонких пленках Bi[2] (Te[0. 9]Se[0. 1]) [3] проводимость "диэлектрического" типа. Предложено, что при высоких температурах 100-300 K проводимость определяется в основном термоактивированными носителями заряда по протяженным состояниям зоны проводимости с энергией активации примерно равной 15 мэВ. При более низких температурах 2. 5-70 K доминирует проводимость, обусловленная прыжками носителей заряда по локализованным состояниям, лежащим в узкой полоске энергий вблизи уровня Ферми. Из данных магнитосопротивления и электропроводности оценены радиус локализации, а также плотность локализованных состояний и средняя длина прыжка носителей заряда. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/05/p586-590.pdf Доп.точки доступа: Абдуллаев, Н. А.; Абдуллаев, Н. М.; Алигулиева, Х. В.; Керимова, А. М.; Мустафаева, К. М.; Мамедова, И. Т.; Мамедов, Н. Т.; Немов, С. А.; Буланчук, П. О. |
539.2 Б 874 Брантов, С. К. Полупроводниковое поведение нанокристаллического углерода / С. К. Брантов // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 5. - С. 667-670 : ил. - Библиогр.: с. 670 (6 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): нанокристаллические пленки -- пленки углерода -- углерод -- пиролиз -- метан -- электрические поля -- подложки -- монокристаллический кремний -- кремний -- Si -- нанокластеры -- термоактивация -- композиты -- электрические свойства Аннотация: Исследование характеристик нанокристаллических пленок углерода, полученных осаждением из пара при пиролизе метана в электрическом поле на подложках из монокристаллического кремния, показало наличие обратимого перехода из полуметаллического в полупроводниковое состояние начиная с температуры 560°C. Полученный материал содержит значительное количество тетраэдрических нанокластеров в матрице пиролитического углерода. Массовая плотность материала превышает 2. 7 г/cм{3}. Основной причиной многократного увеличения проводимости композита при нагреве является переход кластеров в область собственной проводимости. Оценка энергии термоактивации проводимости композита дает значение 0. 78 эВ. Research has been made of the properties of nanocrystalline carbon films produced on single crystal silicon substrates by the chemical vapor deposition technique involving methane pyrolysis in electric field. Reversible semimetal-semiconductor transition has been discovered at temperatures above 560°C. The material contained a significant amount of tetrahedral nanoclusters in the pyrolytic carbon matrix. The mass density of the material exceeded 2. 7 g/cm{3}. The manifold heat-induced increase in the conductivity of the composite was mainly due to transition of clusters into the intrinsic conductivity region. The estimated thermal activation energy of the composite conductivity was 0. 78 eV. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/05/p667-670.pdf Доп.точки доступа: Институт физики твердого тела Российской академии наук (Черноголовка) |
662.62 М 594 Микова, Н. М. (кандидат химических наук). Щелочная термоактивация лигнина и свойств получаемых углеродных материалов / Н. М. Микова, И. П. Иванов, Н. В. Чесноков // Химическая технология. - 2014. - № 9. - С. 528-535. - Библиогр.: с. 535 (23 назв. ) . - ISSN 1684-5811
Рубрики: Химическая технология Технология переработки твердых горючих ископаемых Кл.слова (ненормированные): лигнин -- лигнин соломы пшеницы -- карбонизация -- щелочная активация -- углеродные материалы -- адсорбционные свойства -- щелочная термоактивация лигнина -- карбонизация лигнина -- сорбционная активность Аннотация: В результате проведенных исследований щелочной термоактивации лигнина, выделенного из соломы пшеницы, выяснено, что предварительная карбонизация лигнина при 800 °C повышает микропористость активированных КОН и NaOH углеродных образцов, развивая удельную поверхность. Полученные углеродные материалы обладают высокой сорбционной активностью по отношению к бензолу и водороду. Доп.точки доступа: Иванов, И. П. (кандидат технических наук); Чесноков, Н. В. (доктор химических наук); Институт химии и химической технологии СО РАН (Красноярск); Институт химии и химической технологии СО РАН (Красноярск)Институт химии и химической технологии СО РАН (Красноярск) |