Набиев, Г. А. О механизмах эффекта аномально больших фотонапряжений в пленках CdTe [Текст] / Г. А. Набиев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 926-927 : ил. - Библиогр.: с. 927 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): аномально большие напряжения -- АФН -- эффект аномально больших наряжений -- АНФ-эффект -- пленки CdTe -- пленки теллурида кадмия -- n-p переходы -- p-n-p структуры -- p-n переходы -- теллурид кадмия -- CdTe Аннотация: Предлагается метод определения вкладов асимметрии освещения и различия параметров p-n- и n-p-переходов p-n-p-структуры на эффект аномально больших фотонапряжений в пленках теллурида кадмия. |
Особенности рекомбинационных процессов в пленках CdTe, изготовленных при различных температурных режимах роста и последующих отжигах [Текст] / И. Б. Ермолович [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1016-1020 : ил. - Библиогр.: с. 1019-1020 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- пленки CdTe -- CdTe пленки -- фотопроводимость -- ФП -- фотолюминесценция -- ФЛ -- термостимулированная проводимость -- рекомбинация -- рекомбинационные процессы -- излучательная рекомбинация -- спектры проводимости -- температурный режим роста -- отжиг -- слои -- высокоомные слои -- фототоки -- d-электроны катиона Аннотация: Исследовались стационарные и кинетические характеристики фотопроводимости и фотолюминесценции, а также спектры термостимулированной проводимости в интервалах температур 4. 2-400 K, освещенностей 10{10}-10{23} квант/см{2} и длин волн 0. 4-2. 5 мкм слоев CdTe, осажденных испарением в вакууме на подогретую подложку в зависимости от температуры подложки. Был найден некоторый интервал оптимальных температур подложки T[s]~450-550oC, при которых свеженапыленные слои были высокоомными, фоточувствительными и наиболее совершенными по структуре. В этих слоях наряду с известной полосой фотолюминесценции с hnu[m]=1. 42 эВ обнаружена новая полоса люминесценции с hnu[m]=1. 09 эВ, которая, как установлено, не является рекомбинационной, а обусловлена внутрицентровыми переходами. Обсуждается природа центров излучательной рекомбинации в исследованных слоях. Высказано предположение о возможности принятия участия d-электронов катиона в образовании химических связей локальных центров в CdTe. Доп.точки доступа: Ермолович, И. Б.; Миленин, В. В.; Редько, Р. А.; Редько, С. М. |