539.2 А 465 Александров, С. Е. Сегнетоэлектрики-релаксоры как материалы для ИК фотоприемников [Текст] / С. Е. Александров, Г. А. Гаврилов [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 9. - Библиогр.: c. 76 (15 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): ИК фотоприемники -- пироэлектрический эффект -- сегнетоэлектрики -- сегнетоэлектрики-релаксоры Аннотация: На основе экспериментальных исследований диэлектрических и пироэлектрических свойств типичного сегнетоэлектрика-релаксара 0. 9PbMg[1/3[Nb[2/3]O[3]-0. 1PbTiO[3] (PMN-PT) определены значения пирокоэффициента и факторы качества материала при использовании его для детектирования ИК излучения. Приведены их зависимости от температуры и внешнего электрического поля. Рассчитаны значения токовой, вольтовой чувствительности и детектирующей способности ИК фотоприемников на основе исследованных материалов, проведено их сравнение с аналогичными характеристиками пироприемников и диэлектрических болометров, использующих в качестве активного элемента известные пироэлектрические материалы, а также других неохлаждаемых фотоприемников. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/09/page-72.html.ru Доп.точки доступа: Гаврилов, Г. А.; Капралов, А. А.; Смирнова, Е. П.; Сотникова, Г. Ю.; Сотников, А. В. |
537.226.4 М 209 Малышкина, О. В. Пироэлектрический эффект и доменная структура в беспримесном кристалле SBN и SBN C примесью Cr [Текст] / О. В. Малышкина, А. А. Мовчикова, С. С. Маркова, Б. Б. Педько // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 12. - С. 86-89 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): пироэлектрический эффект -- доменная структура -- ниобат бария-стронция -- примесь хрома -- хром -- беспримесный монокристалл Аннотация: Исследовано распределение поляризации в поверхностных слоях беспримесного монокристалла ниобата бария-стронция (SBN) и SBN с примесью хрома. Проведено наблюдение доменной структуры полярных и неполярных срезов кристаллов методом травления. Изучались неполяризованные и поляризованные (в поле 500 В/мм) образцы, а также образцы, подвергнутые высокотемпературному (Т= 200. С) отжигу. Выводы о состоянии поляризации в поверхностном слое кристаллов, сделанные на основе анализа частотных зависимостей пиротока, полностью подтверждены наблюдениями доменной структуры. Доп.точки доступа: Мовчикова, А. А.; Маркова, С. С.; Педько, Б. Б. |
539.21:537 Э 454 Электрический отклик слоистых магнитоэлектрических композитов системы керамика PZT-NiZn-феррит на импульсное тепловое воздействие / А. А. Богомолов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 7. - С. 70-78 : ил. - Библиогр.: с. 77-78 (9 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): электрический отклик -- магнитоэлектрические композиты -- импульсное воздействие -- тепловое воздействие -- ферриты -- структуры связей -- тепловые потоки -- частотная модуляция -- пироэлектрический эффект -- композитные системы -- сегнетоэлектрическая керамика -- PZT -- NiZn Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований электрических откликов магнитоэлектрических композитных структур связности 2-2 на импульсное тепловое воздействие. Наблюдаемый электрический отклик состоит из двух компонент, имеющих различные зависимости от частоты модуляции теплового потока. Показано, что в двухслойной композитной системе сегнетоэлектрическая керамика PZT-NiZn-феррит электрический сигнал является следствием как пироэлектрического эффекта, так и механического взаимодействия расширяющегося при нагревании феррита и пластины PZT. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/07/p70-78.pdf Доп.точки доступа: Богомолов, А. А.; Солнышкин, А. В.; Карпенков, Д. Ю.; Кислова, И. Л. |
539.2 Ш 181 Шалдин, Ю. В. Пироэлектрические свойства широкозонного полупроводника CdS в области низких температур / Ю. В. Шалдин, S. Matyjasik // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 5. - С. 582-589 : ил. - Библиогр.: с. 588-589 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пироэлектрические свойства -- широкозонные полупроводники -- линейные пироэлектрики -- пироэлектрики -- газовые фазы -- аргон -- сигнетоэлектрики -- монокристаллы -- сульфид кадмия -- спонтанная поляризация -- термостимулированная проводимость -- ТСП -- электрические поля -- энергетические спектры -- донорно-акцепторные пары -- температурные зависимости -- термостимулированная деполяризация -- ТСД -- пироэлектрический эффект -- катионная проводимость -- экспериментальные исследования Аннотация: На нестехиометричных кристаллах CdS n-типа, выращенных из газовой фазы в атмосфере аргона при T=1450 K, проведены комплексные исследования спонтанной поляризации, термостимулированных проводимости и деполяризации в интервале от 4. 2 до 300 K. Объектом исследований служили исходные образцы и образцы, поляризованные слабым электрическим полем при T=4. 2 K. Поляризация образца приводит к уменьшению проводимости sigma[33] вследствие перестройки всего энергетического спектра уровней, связанного с образованием донорно-акцепторных пар. Процессы образования донорно-акцепторных пар вносят свои вклады и в температурные зависимости спонтанной поляризации и пироэлектрического эффекта, характеризуемые возникновением аномалий ниже 15 K и образованием термоэлектрета. Обсуждается роль неконтролируемой примеси кислорода в возникновении катионной проводимости CdS свыше 270 K, связанной с распадом части донорно-акцепторных пар. В области температур от 20 до 250 K величины пирокоэффициента и спонтанной поляризации в пределах ошибки эксперимента не зависят от внешних воздействий и при T=200 K равны: Delta P[s]=- (6. 1±0. 2) x 10{-4} C/m{2}, gamma[s]=- (4. 1±0. 3) x 10{-5} C/m{2} K. On the nonstoichiometric crystals of CdS of the n-type which have been grown up from a gas phase in the atmosphere of argon at T = 1450K, complex researches of spontaneous polarization, thermostimulated conductivity and depolarization in the range of 4. 2 to 300K are conducted. As object of researches initial samples and the samples polarized by weak electric field at T = 4. 2K. Polyarization of a sample served leads to conductivity reduction sigma[33] owing to reorganization of all power range of the levels connected with formation of DAP. Processes of formation of DAP make the contributions and to temperature dependences of spontaneous polarization and the pyroelectric effect, characterized by emergence of anomalies lower than 15K and formation of a thermoelectret. The role of uncontrollable impurity of oxygen in emergence of cationic conductivity of CdS over 270K, the part of DAP connected with disintegration is discussed. In the range of temperatures from 20K up to 250K sizes pyrocoefficient and spontaneous polarization within an error of experiment don’t depend on external influences and at T = 200K are equal: Delta P[s] = - (6. 1 ± 0. 2) x 10{-4} C/m{2}, gamma[s] = - (4. ± 0. 3) x 10{-5} C/m{2} K. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/05/p582-589.pdf Доп.точки доступа: Matyjasik, S.; Институт кристаллографии Российской академии наук (Москва)International Laboratory High Magnetic Fields and Low Temperatures (Poland) |
621.315.592 Д 138 Давыдов, В. Н. Пиро- и пьезокоэффициенты структуры множественных квантовых ям / В. Н. Давыдов // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 8. - С. 70-72 : рис. - Библиогр.: c. 72 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Полупроводниковые материалы и изделия Энергетика Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- множественные квантовые ямы -- пирокоэффициент -- пироэлектрическая поляризация -- пироэлектрический эффект -- поляризационные коэффициенты структур -- пьезоэлектрическая поляризация -- пьезоэлектрический эффект Аннотация: Из рассмотрения зарядовых свойств пары "квантовая яма - барьер", каждое вещество которой обладает пиро- или пьезополяризацией, получено выражение для расчета поляризационных коэффициентов (пирокоэффициентов, пьезомодулей). Данное выражение аналитически простое, физически наглядное и позволяет вычислить требуемые коэффициенты для множественных квантовых ям с любым числом пар "квантовая яма - барьер". Приведенные численные оценки параметров множественных квантовых ям для различных соотношений толщин квантовой ямы и барьера согласуются с ожидаемыми из физического рассмотрения значениями. |