Емельянов, А. М. Определение изменений ширины запрещенной зоны непрямозонных полупроводников по спектрам краевой люминесценции [Текст] / А. М. Емельянов // Письма в журнал технической физики. - 2009. - Т. 35, вып: вып. 6. - С. 9-16
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): запрещенная зона -- непрямозонные полупроводники -- спектр краевой люминесценции -- ширина запрещенной зоны Аннотация: Для определения температурных зависимостей ширины запрещенной зоны (E[g]) монокристаллического Si и кубического карбида кремния использован метод, основанный на аппроксимации прямыми линиями роста основного максимума на длинноволновом участке спектра краевой люминесценции и зависимости интенсивности электролюминесценции от энергии квантов, предшествующей появлению этого максимума. Показано хорошее совпадение полученной этим методом зависимости изменения E[g] кремния от температуры в области температур 80-300 K с результатами ее определения на основе измерений поглощения света. Найденный по этой методике температурный коэффициент линейного изменения E[g] для 3C-SiC в области температур 285-765 K составил -3. 5 x 10\{-4\} eV/K и находится в хорошем согласии с ранее опубликованными данными W. J. Choyke. |
Якимов, А. И. Экситоны в двойных квантовых точках Ge/Si [Текст] / А. И. Якимов, А. А. Блошкин, А. В. Двуреченский // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып: вып. 8. - С. 621-625
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): экситоны -- сила осциллятора -- межзонные оптические переходы -- экситонные переходы -- квантовые точки -- двойные квантовые точки -- непрямозонные полупроводники -- фотоприемные устройства -- светоизлучающие устройства Аннотация: Теоретически исследованы пространственная конфигурация экситонов и сила осциллятора, характеризующая интенсивность межзонных оптических переходов в двойных вертикально связанных квантовых точках Ge/Si. Обнаружено, что существуют условия (размеры квантовых точек, расстояние между точками), при которых происходит многократное (до 5 раз) увеличение вероятности экситонного перехода по сравнению со случаем одиночных квантовых точек. Ожидается, что полученные результаты позволят приблизиться к решению проблемы создания эффективных светоизлучающих и фотоприемных устройств на базе непрямозонных полупроводников Si и Ge. Доп.точки доступа: Блошкин, А. А.; Двуреченский, А. В. |
539.21:535 Б 892 Брус, В. В. Оптические свойства тонких пленок TiO[2]-MnO[2], изготовленных по методу электронно-лучевого испарения [Текст] / В. В. Брус, З. Д. Ковалюк, П. Д. Марьянчук // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 8. - С. 110-113. - Библиогр.: c. 113 (14 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- электронно-лучевое испарение -- непрямозонные полупроводники -- толщина пленок -- диоксид титана -- диоксид марганца -- легирование -- показатель преломления -- коэффициенты поглощения -- коэффициенты экстинкции -- спектры пропускания Аннотация: Определены оптические постоянные и толщина пленок TiО[2]-MnO[2] (содержание MnO[2]: 0, 1, 5%), изготовленных методом электронно-лучевого испарения. Наблюдалась существенная зависимость оптических свойств тонких пленок TiО[2] от содержания марганца. Установлено, что тонкие пленки TiО[2]-MnO[2] являются непрямозонными полупроводниками с шириной запрещенной зоны Eg: 3. 43 eV (TiО2), 2. 89 eV (TiO[2]-MnO[2] (1%) ) и 2. 73 eV (TiO[2]-MnO[2] (5%) ). Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/08/p110-113.pdf Доп.точки доступа: Ковалюк, З. Д.; Марьянчук, П. Д. |
537.311.33 К 995 Кюрегян, А. С. Эволюция электронно-дырочных лавин и стримеров в непрямозонных полупроводниках [Текст] / А. С. Кюрегян // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 136, вып. 5. - С. 962-983. - Библиогр.: с. 982-983 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- стримеры -- эволюция -- электронно-дырочные лавины -- непрямозонные полупроводники -- численное моделирование эволюции Аннотация: Проведено численное моделирование зарождения и эволюции стримеров в полупроводниках. |