539.2 С 121 Сабинина, И. В. Факторы, определяющие морфологию пленок Cd[x]Hg[1-x]Te при молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / И. В. Сабинина, А. К. Гутаковский [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 2. - С. 48-55 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): CdHgTe (301) -- пленки (физика) -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- микроморфология пленок -- микроструктура пленок -- атомно-силовая микроскопия Аннотация: С помощью атомно-силовой микроскопии исследована зависимость микроморфологии пленок CdHgTe (301), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, от условий выращивания и микроморфологии буферного слоя CdTe. Просвечивающая и высокоразрешающая электронная микроскопия были использованы для выявления взаимосвязи между микроморфологией и микроструктурой пленок CdHgTe (301). Доп.точки доступа: Гутаковский, А. К.; Сидоров, Ю. Г.; Варавин, В. С.; Латышев, А. В. |
Рентгеноспектроскопическое исследование тонких пленок HfO[2], синтезированных на Si (100) методами ALD и MOCVD [Текст] / А. А. Соколов [и др. ] // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 7. - С. 131-136. - Библиогр.: c. 136 (44 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- кремний -- ALD -- MOCVD -- гидридная эпитаксия -- молекулярное наслаивание -- метод ALD -- ALD метод -- метод MOCVD -- MOCVD метод -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- ионное травление -- рентгеновская рефлектометрия -- микроструктура пленок -- оксид гафния Аннотация: Пленки HfO[2] толщиной 5 nm, выращенные методами гидридной эпитаксии (МОCVD) и молекулярного наслаивания (ALD) на подложках Si (100), изучены методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии в сочетании с Ar+ ионным травлением и рентгеновской рефлектометрией. Установлено, что пленки, синтезированные разными методами, имеют разную микроструктуру (пленка HfO[2] (ALD) является аморфной, а пленка HfO[2] (MOCVD) имеет признаки кристаллизации) ; поверхность пленки, синтезированной методом ALD, является менее устойчивой к загрязнению и/или более химически активной; на интерфейсе пленки, синтезированной методом MOCVD, присутствует больше диоксида кремния по сравнению с пленкой, синтезированной методом ALD. Также показано, что травление поверхности пленки HfO[2] ионами аргона приводит к образованию вблизи интерфейса слоя металлического гафния. Последнее обстоятельство указывает на возможность использования HfO[2] не только в качестве подзатворного диэлектрика, но и материала, пригодного для создания наноразмерных проводников путем прямого разложения окисла. Доп.точки доступа: Соколов, А. А.; Овчинников, А. А.; Лысенков, К. М.; Марченко, Д. Е.; Филатова, Е. О. |
620.1/.2 И 889 Исследование пленок из сополимеров поликапроамида с ароматическими полиимидами методами АСМ и РЭМ [Текст] / А. М. Ломоносов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2005. - Т. 69, N 4. - С. 529-532. - Библиогр.: с. 532 (6 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Техника Материаловедение Кл.слова (ненормированные): электронная микроскопия -- ЭМ -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- полимерные пленки -- полиимиды -- ароматические полиимиды -- ПИ -- поликапроамиды -- ПКА -- сополимеры -- микроструктура пленок -- механические свойства пленок Аннотация: Методами атомно-силовой и растровой электронной микроскопии исследована микроструктура пленок из сополимеров поликапроамида с ароматическими полиимидами. Доп.точки доступа: Ломоносов, А. М.; Филатова, А. Г.; Баталова, Т. Л.; Волкова, Т. В.; Выгодский, Я. С.; Белавцева, Е. М. |
539.2 Д 427 Джумалиев, А. С. Формирование текстуры (200) и (110) в пленках железа, полученных магнетронным распылением / А. С. Джумалиев, Ю. В. Никулин, Ю. А. Филимонов // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 21. - С. 10-17 : ил. - Библиогр.: с. 16-17 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): железные покрытия -- тонкие пленки -- магнетронное распыление -- газовое давление -- давление рабочего газа -- текстурные изменения -- микроструктура пленок -- текстуры -- интервальные параметры Аннотация: Исследовано влияние давления рабочего газа на текстуру пленок железа, полученных на подложках Si (100) /SiO[2] магнетронным распылением на постоянном токе при комнатной температуре. Показано, что изменение давления рабочего газа от 1. 33 до 0. 09 Pa приводит к смене текстуры пленок от (110) к (200), что также сопровождается переходом от столбчатой микроструктуры пленок к квазиоднородной. Показано, что шероховатость поверхности пленки зависит от давления рабочего газа немонотонно и имеет максимум в интервале давлений, отвечающих сосуществованию в пленке фаз с текстурами (110) и (200). Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/21/p10-17.pdf Доп.точки доступа: Никулин, Ю. В.; Филимонов, Ю. А. |
541.6 В 586 Влияние наполнителя на усталостную прочность и микроструктуру свободных полимерных пленок покрытий при циклическом растяжении / В. А. Кузнецова [и др.]. // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2014. - Т. 80, № 5. - С. 35-39. - Библиогр.: с. 38-39 (11 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Техника Сопротивление материалов Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): дисперсные наполнители -- усталостная прочность покрытий -- микроструктура пленок -- полимерные пленки -- покрытия -- циклическое растяжение -- устойчивость к растяжению -- лакокрасочные покрытия -- дисперсно-армированные покрытия -- эрозионностойкие покрытия Аннотация: Приведены результаты методических и экспериментальных исследований устойчивости к циклическому растяжению образцов свободных наполненных полимерных пленок покрытий с различной формой частиц дисперсного наполнителя. Доп.точки доступа: Кузнецова, В. А.; Деев, И. С.; Кузнецов, Г. В.; Кондрашов, Э. К.; ФГУП "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (Москва); ФГУП "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (Москва); ФГУП "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (Москва); ФГУП "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (Москва) |