539.2 Г 638 Гольцман, Б. М. Подавление собственной проводимости в p-Bi[0. 5]Sb[1. 5]Te[3] пластической деформацией [Текст] / Б. М. Гольцман, В. А. Кутасов, Л. Н. Лукьянова // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 2. - С. 227-228. - Библиогр.: с. 228 (4 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): проводимость -- собственная проводимость -- пластическая деформация -- коэффициент термоэдс -- дислокации -- микротрещины Аннотация: Установлен эффект подавления собственной проводимости в узкозонном полупроводнике p-Bi[0. 5]Sb[1. 5]Te[3] пластической деформацией. Эффект проявляется в ослаблении снижения коэффициента термоэдс при повышенных температурах, вызванного собственной проводимостью. Возможные причины эффекта - усиление разориентации кристаллических зерен, образование линейных дефектов структуры (дислокации, микротрещины), приводящие к снижению подвижности преимущественно неосновных носителей заряда. Доп.точки доступа: Кутасов, В. А.; Лукьянова, Л. Н. |
Электропроводность и термоэдс в сульфидах Co[x]Mn[1-x]S [Текст] / Г. И. Маковецкий [и др. ] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 10. - С. 1754-1756. - Библиогр.: с. 1756 (6 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- электропроводность -- термоэдс -- дырочный тип проводимости -- коэффициент термоэдс Аннотация: Представлены результаты исследования структурных, электрических и термоэлектрических свойств сульфидов Co[x]Mn[1-x]S (0 < = x < = 0. 4) в области температур 80-950 K. Обнаружено значительное уменьшение коэффициента термоэдс альфа с увеличением концентрации кобальта x в решетке альфа-MnS. Составы с 0 < = x < = 0. 3 являются полупроводниками с дырочным типом проводимости (альфа > 0), в то время как состав с x = 0. 4 имеет металлическую проводимость (альфа < 0). Определена ширина запрещенной зоны E[g], которая изменяется от 1. 46 eV для альфа-MnS (x = 0) до 0. 26 eV для Co[x]Mn[1-x]S (x = 0. 4). Доп.точки доступа: Маковецкий, Г. И.; Галяс, А. И.; Демиденко, О. Ф.; Янушкевич, К. И.; Рябинкина, Л. И.; Романова, О. Б. |
Особенности структурных, электрокинетических и магнитных свойств сильно легированного полупроводника ZrNiSn. Акцепторная примесь Dy [Текст] / В. А. Ромака [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 1. - С. 11-17 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): акцепторные примеси -- интерметаллические полупроводники -- коэффициент термоэдс -- металлическая проводимость -- донорные примеси -- электронная структура Аннотация: Исследованы структурные, энергетические, электрокинетические и магнитные характеристики интерметаллического полупроводника ZrNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Dy (уровень легирования 9. 5 х 10\{19\}-3. 8 х 10\{21\} см\{-3\}) в температурном диапазоне T=80-380 K. Установлена связь между концентрацией примеси, амплитудой крупномасштабной флуктуации, а также степенью заполнения носителями тока потенциальной ямы мелкомасштабной флуктуации (тонкой структурой). Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса. Доп.точки доступа: Ромака, В. А.; Fruchart, D.; Ромака, В. В.; Hlil, E. K.; Стаднык, Ю. В.; Гореленко, Ю. К.; Аксельруд, Л. Г. |
Механизм генерации дефектов донорной и акцепторной природы в полупроводнике n-TiNiSn, сильно легированном примесью Co [Текст] / В. А. Ромака [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1165-1171 : ил. - Библиогр.: с. 1170-1171 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- n-TiNiSn -- легирование -- примеси -- Co -- генерация -- дефекты -- дефекты донорной природы -- дефекты акцепторной природы -- удельное сопротивление -- коэффициент термоэдс -- структурные характеристики -- электрокинетические характеристики -- энергетические характеристики -- плотность электронных состояний -- DOS -- амплитуда флуктуации -- флуктуации -- крупномасштабные флуктуации -- полупроводники Шкловского-Эфроса -- Шкловского-Эфроса полупроводники -- интерметаллические полупроводники -- легированные полупроводники -- компенсированные полупроводники -- кобальт Аннотация: Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления, коэффициента термоэдс, структурные характеристики, а также произведен расчет распределения плотности электронных состояний интерметаллического полупроводника n-TiNiSn, сильно легированного примесью Со (концентрации Со N{Co} ~9. 5 x 10{19}-1. 9 x 10{21}см{-3}), в температурном диапазоне 80-380К. Показано, что в TiNi[1-x]Co[x]Sn с x < 0. 03 атомы примеси одновременно в разных соотношениях занимают кристаллографические позиции атомов Ti и Ni, генерируя дефекты донорной и акцепторной природы соответственно. Установлена связь между концентрацией примеси, амплитудой крупномасштабной флуктуации, а также степенью заполнения носителями тока потенциальной ямы мелкомасштабной флуктуации (тонкой структурой). Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса. Доп.точки доступа: Ромака, В. А.; Стаднык, Ю. В.; Fruchart, D.; Доминюк, Т. И.; Ромака, Л. П.; Rogl, P.; Горынь, А. М. |
Теплоемкость и коэффициент термоэдс биоуглеродной матрицы дерева сапели [Текст] / Л. С. Парфеньева [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 11. - С. 2123-2127. - Библиогр.: с. 2127 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): теплоемкость -- коэффициент термоэдс -- биоуглероды -- биоуглеродные матрицы -- пробег фононов -- анизотропия Аннотация: В интервале температур 80-300 K проведены измерения теплоемкости при постоянном давлении Cp, а при 5-300 K коэффициента термоэдс S биоуглеродной матрицы дерева сапели, полученной при температуре карбонизации 1000 градусов Цельсия. По результатам измерения Cp (T), наших предыдущих данных по фононной теплопроводности и литературных сведений о скорости звука вычислена длина свободного пробега фононов l (T) для этого материала. Показано, что в интервале температур 200-300 K lconst и равна 11 Angstrem, что совпадает с размерами нанокристаллитов ("графитовых осколков"), принимающих участие в формировании углеродного каркаса биоуглеродной матрицы сапели. Установлено, что высокотемпературные участки S (T) имеют линейный вид, характерный для диффузионной термоэдс для вырожденного состояния носителей заряда с одним типом носителей тока. Оценена величина анизотропии коэффициента термоэдс. Доп.точки доступа: Парфеньева, Л. С.; Wlosewicz, D; Смирнов, Б. И.; Arellano-Lopez, A. R.; Martinez-Fernandez, J.; Смирнов, И. А.; Misiore, H.; Sulkowsk, Cz.; Jezowski, A. |
Теплопроводность и теплоемкость волоконных монолитов Si[3]N[4]/BN [Текст] / Л. С. Парфеньева [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 11. - С. 2144-2150. - Библиогр.: с. 2150 (32 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): теплоемкость -- коэффициент термоэдс -- керамические поликристаллы -- поликристаллы -- пробег фононов -- ползучесть материалов -- волоконные монолиты -- композиты на керамической основе Аннотация: В интервале температур 5-300 K измерена теплопроводность поликристаллических керамических образцов Si3N4 и BN и волоконных монолитов (FM) Si[3]N[4]/BN с различной "архитектурой" расположения в них волокон: [0], [90] и [0/90], когда волокна располагаются соответственно вдоль и поперек оси образца и когда соблюдается послойное чередование волокон [0] и [90]. В интервале 3. 5-300 K измерены теплоемкость при постоянном давлении, а при 77 K --- скорость звука в поликристаллических образцах Si[3]N[4], BN и FM Si[3]N[4]/BN [0]. Показано, что с достаточной степенью достоверности, но для некоторых составов с небольшими допущениями, можно утверждать, что в случае FM Si[3]N[4]/BN для определения расчетных значений их теплопроводностей и теплоемкостей можно в определенных температурных интервалах использовать простые модели для смесей компонентов Si[3]N[4] и BN с соответствующими вкладами их в формирование FM Si[3]N[4]/BN. Установлено, что в области низких температур (5-25 K) в FM Si[3]N[4]/BN [0], [90] и [0/90] преимущественное рассеяние фононов происходит на дислокациях. Такой эффект отсутствует в керамических образцах Si[3]N[4] и BN. С помощью полученных экспериментальных данных для теплопроводности, теплоемкости и скорости звука вычислены длины свободных пробегов фононов в поликристаллических образцах Si[3]N[4] и BN и эффективная длина свободного пробега в FM Si[3]N[4]/BN [0]. Доп.точки доступа: Парфеньева, Л. С.; Wlosewicz, D; Смирнов, Б. И.; Mucha, J.; Krivchikov, A. I.; Смирнов, И. А.; Misiorek, H.; Singh, D.; Jezowski, A. |
Комарова, О. С. Определение параметров нормального состояния в легированных иттриевых ВТСП на основе анализа коэффициента термоэдс в рамках различных моделей электронного транспорта [Текст] / О. С. Комарова, В. Э. Гасумянц // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 4. - С. 625-632. - Библиогр.: с. 632 (21 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): высокотемпературные сверхпроводники -- ВТСП -- легированные иттриевые ВТСП -- термоэдс -- коэффициент термоэдс -- модели электронного транспорта Аннотация: Проведен анализ температурных зависимостей коэффициента термоэдс для двух систем легированных иттриевых ВТСП --- Y[1-x]Pr[x]Ba[2]Cu[3]O[y] (x=0. 1-0. 6) и Y[1-x]Ca[x]Ba[1. 5]La[0. 5]Cu[3]O[y] (x=0. 05-0. 3) --- на основе трех различных моделей электронного транспорта: двухзонной модели Ксина, двухзонной модели с дополнительным линейным по температуре членом и модели узкой зоны. Для схожих по физическому смыслу параметров различных моделей выявлены одинаковые тенденции в их изменении с ростом содержания примесей. Проанализированы механизмы воздействия исследованных примесей на параметры зонного спектра и системы носителей зарядов. Показано, что обнаруженные особенности динамики уровня Ферми в системе Y[1-x]Ca[x]Ba[1. 5]La[0. 5]Cu[3]O[y] объясняются формированием при легировании кальцием дополнительного пика в функции плотности состояний, и проведена оценка энергетического положения этого пика. Доп.точки доступа: Гасумянц, В. Э. |
621.315.592 Р 345 Резонансные состояния, тяжелые квазичастицы и термоэлектрическая эффективность материалов A{IV}B{VI} [Текст] / Л. В. Прокофьева [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 7. - С. 889-895 : ил. - Библиогр.: с. 895 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Молекулярная физика в целом Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- резонансные состояния -- примеси -- квазичастицы -- тяжелые квазичастицы -- термоэлектрическая эффективность -- дырки -- коэффициент термоэдс -- теплопроводность решетки -- экспериментальные данные -- энергетические спектры -- носители заряда -- теллурид германия -- GeTe -- дефекты Аннотация: На твердых растворах на основе GeTe с примесями Bi и Pb получена высокая термоэлектрическая эффективность ZT с максимумом для состава Ge[0. 9]Pb[0. 05]Bi[0. 05]Te ZT=1. 5 при 670-800 K. Достижению такого результата способствовали уменьшение концентрации дырок, повышение коэффициента термоэдс и понижение теплопроводности решетки. При интерпретации экспериментальных данных основное внимание уделено особенностям энергетического спектра дырок в исходном соединении GeTe. Дальнейшее развитие получила модель резонансных состояний, в формировании которых участвуют атомы Ge и вакансии металла. Рассмотрены виды дефектов и их трансформация в зависимости от температуры и концентрации сверхстехиометрического Te. Экспериментальные результаты дают основание полагать, что взаимодействие локализованных и свободных носителей заряда с повышением температуры приводит к сильной гибридизации их состояний и образованию тяжелых квазичастиц - ситуации, во многом схожей с наблюдаемой в материалах с тяжелыми фермионами. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/07/p889-895.pdf Доп.точки доступа: Прокофьева, Л. В.; Равич, Ю. И.; Пшенай-Северин, Д. А.; Константинов, П. П.; Шабалдин, А. А. |
621.315.592 Э 454 Электрические свойства монокристаллов PbTe с избытком теллура [Текст] / Г. З. Багиева [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 11. - С. 1446-1449 : ил. - Библиогр.: с. 1449 (6 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- теллурид свинца -- PbTe -- избыточные атомы -- термическая обработка -- термообработка -- электропроводность -- коэффициент термоэдс -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- температурные зависимости -- низкие температуры -- отжиг -- свинец -- теллур Аннотация: Исследованы влияния избыточных атомов Te (до 0. 1 ат%) и термической обработки при 473 и 573 K в течение 120 ч на электропроводность sigma, коэффициенты термоэдс alpha и Холла R монокристаллов PbTe. Показано, что избыточные атомы Te и отжиг существенно влияют на значения и характер температурных зависимостей этих параметров, а также на знак alpha и R при низких температурах, что обусловлено акцепторным действием избыточных атомов теллура и образованием антиструктурных дефектов в результате размещения атомов Te при отжиге в вакансиях подрешетки свинца. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/11/p1446-1449.pdf Доп.точки доступа: Багиева, Г. З.; Мустафаев, Н. Б.; Абдинов, Г. Дж.; Абдинов, Д. Ш. |
539.2 М 294 Мартынова, О. А. Особенности изменения критической температуры и параметров энергетического спектра в YBa[2]Cu[3]O[y] под действием легирования празеодимом при наличии в решетке ионов кальция [Текст] / О. А. Мартынова, В. Э. Гасумянц, А. В. Бабичев // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 9. - С. 1679-1685. - Библиогр.: с. 1684-1685 (22 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): критическая температура -- энергетические спектры -- легирование -- ионы кальция -- экспериментальные исследования -- коэффициент термоэдс -- празеодим Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования особенностей изменения температурных и концентрационных зависимостей коэффициента термоэдс, а также значения критической температуры в системе Y[0. 85-x]Ca[0. 15]Pr[x]Ba[2]Cu[3]O[y] при увеличении содержания празеодима. Проведен анализ полученных результатов на основе модели узкой зоны, определены параметры энергетического спектра и системы носителей заряда и проанализирован характер их изменения с ростом уровня легирования. Обнаружено, что как сверхпроводящие свойства, так и параметры нормального состояния Y[0. 85-x]Ca[0. 15]Pr[x]Ba[2]Cu[3]O[y] изменяются по-разному в различных диапазонах легирования. На основе сопоставления полученных результатов с данными для случая одиночного легирования YBa[2]Cu[3]O[y] празеодимом сделаны выводы о механизме модификации энергетического спектра в исследованном соединении. Обнаружен эффект пиннинга уровня Ферми в области локального пика функции плотности состояний и определено энергетическое положение этого пика. Показано, что учет динамики уровня Ферми, вызванной особенностями строения и трансформации при легировании энергетического спектра Y[0. 85-x]Ca[0. 15]Pr[x]Ba[2]Cu[3]O[y], позволяет объяснить наблюдаемую зависимость критической температуры от содержания празеодима. Доп.точки доступа: Гасумянц, В. Э.; Бабичев, А. В. |
539.2 Т 352 Термоэлектрические свойства твердых растворов p-Bi[2-x]Sb[x]Te[3] под давлением [Текст] / С. В. Овсянников [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 2. - С. 246-251. - Библиогр.: с. 250-251 (22 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): термоэлектрические свойства -- твердые растворы -- коэффициент термоэдс -- параметры мощности Аннотация: Исследовано поведение коэффициента термоэдс и параметра мощности хи в твердых растворах p-Bi[2-x]Sb[x]Te[3] с различным содержанием атомов сурьмы в подрешетке висмута при x=0, 1. 4, 1. 5 и 1. 6 в зависимости от давления до 15 GPa. Для параболической модели энергетического спектра с изотропным рассеянием носителей заряда определены эффективная масса плотности состояний m/m[0] и подвижность мю[0], рассчитанная с учетом вырождения. Показано, что давление приводит к снижению эффективной массы m/m[0] и увеличению подвижности носителей заряда. В составе p-Bi[0. 6]Sb[1. 4]Te[3 ]при давлении P~4 GPa наблюдалось наибольшее увеличение параметра мощности varkappa вследствие слабого снижения эффективной массы m/m[0] и увеличения подвижности носителей заряда по сравнению с другими составами твердых растворов. Особенность изменения параметра мощности от давления в теллуриде висмута вблизи P~3 GPa, которая сопровождается перегибом зависимости m/m[0] от P, можно объяснить электронным топологическим переходом. Доп.точки доступа: Овсянников, С. В.; Григорьева, Ю. А.; Воронцов, Г. В.; Лукьянова, Л. Н.; Кутасов, В. А.; Щенников, В. В. |
539.2 М 294 Мартынова, О. А. Механизм формирования и модификации энергетического спектра в системе Nd[2-x]Ce[x]CuO[y] под действием легирования церием / О. А. Мартынова, авт. В. Э. Гасумянц // Физика твердого тела. - 2013. - Т. 55, вып. 2. - С. 219-226 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (22 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): ВТСП -- высокотемпературные сверхпроводники -- коэффициент термоэдс -- кристаллография в целом -- легирование -- церий -- энергетические спектры Аннотация: Показано, что модель асимметричной узкой зоны позволяет удовлетворительно описать все экспериментальные температурные зависимости коэффициента термоэдс в неодимовых ВТСП при x > 0. 06, что доказывает возможность применения данной модели в качестве универсального метода описания и анализа особенностей электронного транспорта в ВТСП различных систем. Доп.точки доступа: Гасумянц, В. Э.; Санкт-Петербургский государственный политехнический университетСанкт-Петербургский государственный политехнический университет |