Давыдов, С. Ю. Энергетические характеристики системы SiC (0001) -каналированный водород-графен [Текст] / С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 18. - С. 55-59. - Библиогр.: с. 59 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Математическая физика Кл.слова (ненормированные): энергетические характеристики -- водород -- графен -- каналированный водород -- система SiC (0001) -каналированный водород-графен -- кластеры -- атомы -- кремний -- подложки (физика) -- электронные структуры -- энергия связей -- орбитали Харрисона -- Харрисона орбитали -- метод связывающих орбиталей -- схемы влияния Аннотация: Для рассмотрения системы SiC (0001) -H-C (графен) выделяется кластер, содержащий 2 атома графена, 3 атома Si подложки и 2 (или 3) атома H. Расчеты электронной структуры и энергии связей выполнены в рамках метода связывающих орбиталей Харрисона. Анализируются две схемы влияния каналированного водорода на систему. Показано, что одна из схем (A-> B), где участвуют два атома водорода, энергетически невыгодна, тогда как при другой схеме (A-> C), в которую входят три атома водорода, имеем выигрыш в энергии. Доп.точки доступа: Лебедев, А. А. |