Емельянов, А. М. Модуляция мощности краевой фотолюминесценции монокристаллического кремния изменением напряжения на p-n-переходе [Текст] / А. М. Емельянов // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 18. - С. 80-86 : ил. - Библиогр.: с. 86 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Люминесценция Кл.слова (ненормированные): кремниевые структуры -- фотолюминесценция -- краевая фотолюминесценция -- квазистационарная фотолюминесценция -- краевая квазистационарная фотолюминесценция -- модуляция мощности -- кремний -- Si -- монокристаллический кремний -- изменение напряжения -- p-n-переходы -- электронно-дырочные переходы -- солнечные элементы -- комнатная температура -- мощность -- квантовая эффективность -- лазеры -- импульсные излучения -- длины волн -- постоянный прямой ток -- пороговая мощность -- возбуждение фотолюминесценции -- обратное напряжение Аннотация: Для кремниевой структуры, полученной из высокоэффективного солнечного элемента, при комнатной температуре исследованы зависимости мощности и квантовой эффективности краевой квазистационарной фотолюминесценции (ФЛ) от мощности импульсного излучения лазера на длине волны 658 nm. Варьировались величины постоянного прямого тока или обратного напряжения на p-n-переходе. При пропускании постоянного прямого тока обнаружено значительное увеличение мощности и квантовой эффективности квазистационарной ФЛ, а также уменьшение пороговой мощности возбуждения ФЛ. Приложение обратного напряжения вызывало противоположные эффекты. Рассмотрены возможные физические причины наблюдаемых явлений. |