Емельянов, А. М. Определение изменений ширины запрещенной зоны непрямозонных полупроводников по спектрам краевой люминесценции [Текст] / А. М. Емельянов // Письма в журнал технической физики. - 2009. - Т. 35, вып: вып. 6. - С. 9-16
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): запрещенная зона -- непрямозонные полупроводники -- спектр краевой люминесценции -- ширина запрещенной зоны Аннотация: Для определения температурных зависимостей ширины запрещенной зоны (E[g]) монокристаллического Si и кубического карбида кремния использован метод, основанный на аппроксимации прямыми линиями роста основного максимума на длинноволновом участке спектра краевой люминесценции и зависимости интенсивности электролюминесценции от энергии квантов, предшествующей появлению этого максимума. Показано хорошее совпадение полученной этим методом зависимости изменения E[g] кремния от температуры в области температур 80-300 K с результатами ее определения на основе измерений поглощения света. Найденный по этой методике температурный коэффициент линейного изменения E[g] для 3C-SiC в области температур 285-765 K составил -3. 5 x 10\{-4\} eV/K и находится в хорошем согласии с ранее опубликованными данными W. J. Choyke. |
Запрещенные зоны в спектрах терагерцовых поверхностных плазмонов на металлических дифракционных решетках [Текст] / A. В. Андреев [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып: вып. 3. - С. 195-198
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): запрещенная зона -- поверхностные плазмоны -- интерференция плазмонов -- металлические дифракционные решетки Аннотация: Экспериментально обнаружен и исследован эффект появления запрещенных зон в энергетических спектрах поверхностных терагерцовых плазмонов. Запрещенные зоны образуются в результате интерференционного взаимодействия поверхностных плазмонов, которые возбуждаются при помощи импульсного терагерцового излучения на металлических дифракционных решетках. Показано, что экспериментальные дисперсионные кривые поверхностных терагерцовых плазмонов хорошо согласуются с дисперсионными кривыми, полученными на основе численного моделирования. Доп.точки доступа: Андреев, A. В.; Назаров, М. М.; Прудников, И. Р.; Шкуринов, А. П. |
Яловега, Г. Э. Электронная и локальная структура свободных кластеров алмаза как функция размера кластера [Текст] / Г. Э. Яловега, М. А. Солдатов, А. В. Солдатов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 7. - С. 80-83
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кластеры алмаза -- метод полного функционала плотности -- локальная и электронная структура нанокластеров -- спектры рентгеновского поглощения -- метод конечных разностей -- алмазоиды -- запрещенная зона Аннотация: Для оптимизации геометрической структуры кластеров алмаза был применен метод полного функционала плотности (ADF2006). Исследование локальной и электронной структуры нанокластеров алмаза от адамантана до триамантана было проведено на базе теоретического анализа спектров рентгеновского поглощения (XANES) за К-краем углерода методом конечных разностей (FDMNES 2007). Определена локальная структура нанокластеров алмаза, и обнаружено изменение межатомных расстояний в кластерах по отношению к кристаллическому алмазу. Для анализа электронной структуры алмазоидов различного размера были получены парциальные плотности состояний углерода и обнаружено, что ширина запрещенной зоны увеличивается с уменьшением размера кластера. Доп.точки доступа: Солдатов, М. А.; Солдатов, А. В. |
Сравнительный анализ морфологии и оптические свойства слоев GaN на сапфире [Текст] / Е. А. Вопилкин [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 9. - С. 68-70
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): металлоорганическая газофазная эпитаксия -- нитрид галлия -- запрещенная зона -- спектр фотолюминесценции -- морфология слоев Аннотация: Проведено комплексное исследование слоев нитрида галлия, выращенных на подложках сапфира методом металлоорганической газофазной эпитаксии. Спектр фотолюминесценции этих слоев соответствует ширине запрещенной зоны нитрида галлия. Сравнительный анализ поверхности слоев методами интерферометрии, сканирующей электронной и атомно-силовой микроскопии выявил на ней характерные неоднородности. Напыление тонкой металлической пленки на поверхность позволило идентифицировать их как неоднородности работы выхода, а не рельефа. Доп.точки доступа: Вопилкин, Е. А.; Шашкин, В. И.; Хрыкин, О. И.; Дроздов, Ю. Н.; Гусев, С. А.; Востоков, Н. В.; Лукьянов, А. Ю. |
Левин, М. Н. Метод Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по L-кривой [Текст] / М. Н. Левин, А. В. Татаринцев, А. Э. Ахкубеков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 5. - С. 613-616
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- запрещенная зона -- глубокие уровни -- дефекты -- параметр регуляризации Аннотация: Метод DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) является одним из основных методов, широко используемых для определения параметров дефектов, приводящх к возникновению глубоких уровней в запрещенной зоне полупроводникового материала. Предложено использовать подход L-кривой при выборе параметра регуляризации в методе Laplace-DLTS для исключения некотролируемых ошибок и повышения достоверности получаемых результатов. Возможности метода продемонстрированы численным анализом модельного релаксационного сигнала, содержащего 3 экспоненты с близкими значениями показателей и малую шумовую составляющую. Показано, что предложенный вариант Laplace-DLTS с использованием L-кривой для выбора параметра регуляризации или LL-DLTS обладает большей надежностью по сравнению с методом Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по невязке. Доп.точки доступа: Татаринцев, А. В.; Ахкубеков, А. Э. |