Емельянов, А. М. Модуляция мощности краевой фотолюминесценции монокристаллического кремния изменением напряжения на p-n-переходе [Текст] / А. М. Емельянов // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 18. - С. 80-86 : ил. - Библиогр.: с. 86 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Люминесценция Кл.слова (ненормированные): кремниевые структуры -- фотолюминесценция -- краевая фотолюминесценция -- квазистационарная фотолюминесценция -- краевая квазистационарная фотолюминесценция -- модуляция мощности -- кремний -- Si -- монокристаллический кремний -- изменение напряжения -- p-n-переходы -- электронно-дырочные переходы -- солнечные элементы -- комнатная температура -- мощность -- квантовая эффективность -- лазеры -- импульсные излучения -- длины волн -- постоянный прямой ток -- пороговая мощность -- возбуждение фотолюминесценции -- обратное напряжение Аннотация: Для кремниевой структуры, полученной из высокоэффективного солнечного элемента, при комнатной температуре исследованы зависимости мощности и квантовой эффективности краевой квазистационарной фотолюминесценции (ФЛ) от мощности импульсного излучения лазера на длине волны 658 nm. Варьировались величины постоянного прямого тока или обратного напряжения на p-n-переходе. При пропускании постоянного прямого тока обнаружено значительное увеличение мощности и квантовой эффективности квазистационарной ФЛ, а также уменьшение пороговой мощности возбуждения ФЛ. Приложение обратного напряжения вызывало противоположные эффекты. Рассмотрены возможные физические причины наблюдаемых явлений. |
539.21:535 П 893 Пустоваров, В. А. Времяразрешенная люминесценция дефектов и примесных Cr{3+}-центров в наноструктурных кристаллах оксида алюминия при ВУФ-возбуждении [Текст] / В. А. Пустоваров, авт. В. С. Кортов // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 11. - С. 31-39 : ил. - Библиогр.: с. 39 (13 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Люминесценция Кл.слова (ненормированные): времяразрешенная люминесценция -- дефекты -- примесные центры -- кристаллы -- наноструктурные кристаллы -- алюминий -- оксид алюминия -- ВУФ-возбуждение -- ВУФ-спектроскопия -- ультрафиолетовая спектроскопия -- вакуумная спектроскопия -- методы вакуумной ультрафиолетовой спектроскопии -- временное разрешение -- температуры -- фотолюминесценция -- наноструктурные оксиды -- фазовые составы -- возбуждение фотолюминесценции -- спектры возбуждения -- трансформация спектров -- спектрально-кинетические параметры -- экситоны -- кристаллические структуры -- поверхностно-модифицированные дефекты -- экситонные состояния Аннотация: С использованием методов вакуумной ультрафиолетовой спектроскопии с временным разрешением при температурах 7. 5 и 295 K исследована фотолюминесценция (ФЛ) собственных дефектов и примесных Cr{3+}-центров в наноструктурном оксиде алюминия различного фазового состава (delta+theta и alpha-фазы). Обнаружена трансформация спектров возбуждения ФЛ и ее спектрально-кинетических параметров при изменении размера кристаллов alpha-фазы. В образцах alpha-Al[2]O[3] с размером зерна менее 100 nm даже при T=295 K обнаружены экситоны, локализованные на поверхностно-модифицированных дефектах кристаллической структуры или примесных Cr{3+}-центрах. Проявления таких экситонных состояний в характеристиках ФЛ имеют выраженную зависимость от размеров зерна. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/11/p31-39.pdf Доп.точки доступа: Кортов, В. С. |
539.21:535 М 545 Метод спектроскопии возбуждения фотолюминесценции, модифицированный для исследования структур с самоформирующимися Ge(Si)/Si(001) наноостровками [Текст] / Н. А. Байдакова [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 18. - С. 7-15 : ил. - Библиогр.: с. 14-15 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): методы спектроскопии -- модификация метода -- фотолюминесценция -- возбуждение фотолюминесценции -- свет -- поглощение света -- процессы поглощения -- носители заряда -- рекомбинация носителей -- излучательная рекомбинация -- наноостровки -- исследуемые структуры -- возбуждающее излучение -- кванты -- энергии кванта -- спектры фотолюминесценции -- смачивающие слои -- паразитные сигналы -- комбинационное рассеяние -- кремниевые подложки Аннотация: Описана модификация метода спектроскопии возбуждения фотолюминесценции, позволяющая исследовать процессы поглощения света и излучательной рекомбинации носителей заряда в структурах с Ge (Si) /Si (001) самоформирующимися наноостровками. Особенность развитого метода состоит в регистрации сигнала фотолюминесценции исследуемых структур с временным и спектральным разрешением при различных энергиях кванта возбуждающего излучения. Регистрация с временным разрешением позволила разделить в спектрах фотолюминесценции исследованных структур сигналы, связанные с излучательной рекомбинацией носителей заряда в островках и смачивающем слое, а также выявить паразитные сигналы, связанные с комбинационным рассеянием возбуждающего излучения в кремниевой подложке. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/18/p7-15.pdf Доп.точки доступа: Байдакова, Н. А.; Новиков, А. В.; Лобанов, Д. Н.; Яблонский, А. Н. |