621.315.592 Б 401 Безотосный, В. В. Мощные лазерные диоды с длиной волны излучения 808 нм на основе различных типов асимметричных гетероструктур со сверхшироким волноводом [Текст] / В. В. Безотосный, В. В. Васильева [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 3. - С. 357-360 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): ассиметричные гетероструктуры -- многомодовые лазерные диоды -- оптическая катастрофическая деградация зеркал -- сверхширокие волноводы Аннотация: Проведено сравнение параметров мощных многомодовых лазерных диодов с длиной волны излучения 808 нм, полученных на основе асимметричных гетероструктур со сверхшироким волноводом в системах твердых растворов AlGaAs/GaAs и (Al) GaInP/GaInAsP/GaAs. В лазерах на основе системы AlGaAs/GaAs максимальная оптическая мощность была ограничена катастрофической оптической деградацией зеркал SiO[2]/Si и составила 4. 7 Вт. В лазерах на основе системы (Al) GaInP/GaInAsP/GaAs максимальная оптическая мощность была ограничена термическим насыщением и составила 7 Вт. Полученные результаты показали, что с точки зрения увеличения максимальной оптической мощности и срока службы лазеров более надежной является система (Al) GaInP/GaInAsP/GaAs. Доп.точки доступа: Васильева, В. В.; Винокуров, Д. А.; Капитонов, В. А.; Крохин, О. Н.; Лешко, А. Ю.; Лютецкий, А. В.; Мурашова, А. В.; Налет, Т. А.; Николаев, Д. Н.; Пихтин, Н. А.; Попов, Ю. М.; Слипченко, С. О.; Станкевич, А. Л.; Фетисова, Н. В.; Шамахов, В. В.; Тарасов, И. С. |
О селекции мод в поперечных волноводах полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур [Текст] / С. О. Слипченко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 1. - С. 119-123 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): ассиметричные гетероструктуры -- эпитаксия -- волноводы -- квантовый выход -- полупроводниковые лазеры -- лазерные диоды -- лазерные гетероструктуры Аннотация: Исследованы асимметричные Al[0. 3]Ga[0. 7]As/GaAs/InGaAs-гетероструктуры с расширенным волноводом, изготовленные методом МОС-гидридной эпитаксии. Установлено, что прецизионное смещение активной области к одному из эмиттеров обеспечивает генерацию выбранной моды высшего порядка в поперечном расширенном волноводе. Экспериментально доказано, что это приводит к увеличению внутренних оптических потерь и снижению внутреннего квантового выхода стимулированного излучения. Экспериментально установлено, что смещение активной области к p-эмиттеру определяет сублинейный характер ватт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров, при смещении активной области к p-эмиттеру лазерные диоды демонстрировали линейную зависимость оптической мощности во всем интервале токов накачки. Доп.точки доступа: Слипченко, С. О.; Бондарев, А. Д.; Винокуров, Д. А.; Николаев, Д. Н.; Фетисова, Н. В.; Соколова, З. Н.; Пихтин, Н. А.; Тарасов, И. С. |