539.12 П 855 Прыкина, Е. Н. Динамика сверхрешеток (GaAs)[n](Ga[1-x]Al[x]As)[m] в модели Китинга [Текст] / Е. Н. Прыкина, Ю. И. Полыгалов, А. В. Копытов // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N8. - Аннотация . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): акустические фононы -- модель Китинга -- сверхрешетки Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Полыгалов, Ю.И.; Копытов, А.В. |
539.2 Б 825 Борисенко, С. И. (???? 1). Влияние дисперсии минизоны на неупругое рассеяние электронов сверхрешетки акустичискими фотонами [Текст] / С. И. Борисенко // Известия вузов. Физика. - 2003. - N3. - Библиогр.: 12 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): акустические фононы -- уравнение Больцмана -- электроны сверхрешетки Аннотация: В рамках уравнения Больцмана получены формулы для расчета эффективного времени релаксации и подвижности электронов сверхрешетки с учетом неупругого рассеяния на акустических фотонах и дисперсии энергитического спектра минизоны по продольному волновому вектору. Проведен численый анализ зависимости пролольной и поперечной подвижности невырожденного газа электронов сверхрешетки. Показано, что учет неупругости рассеяния и дисперсии минизоны может привести к существенному увеличению подвижности электронов и к усилению ее температурной зависимости в области низких температур Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml/ |
530.1 Я 843 Яссиевич, И. Н. Каскадная теория захвата электронов в квантовые ямы [Текст] / И. Н. Яссиевич, П. С. Алексеев, М. С. Кипа, В. И. Перель // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 133, вып. 4. - С. 921-934. - Библиогр.: с. 934 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): захват электронов -- электроны -- квантовые ямы -- акустические фононы -- каскадная теория -- мелкие квантовые ямы Аннотация: Построена каскадная теория захвата электронов в мелкие квантовые ямы, когда процесс захвата определяется взаимодействием с акустическими фононами. Доп.точки доступа: Алексеев, П. С.; Кипа, М. С.; Перель, В. И. |
534 К 493 Клингер, М. И. Происхождение бозонного пика и уширения акустических фононов в стеклах, связанное с мягкими модами [Текст] / М. И. Клингер // Теоретическая и математическая физика. - 2008. - Т. 154, N 1. - С. 77-90. - Библиогр.: с. 90 (28 назв. ) . - ISSN 0564-6162
Рубрики: Физика Акустика Химическая технология Общие вопросы химической технологии Кл.слова (ненормированные): акустические фононы -- стекла -- кроссоверы Иоффе-Регеля -- Иоффе-Регеля кроссоверы -- бозонный пик -- динамика стекол -- мягкие моды Аннотация: Происхождение связано с кроссовером Иоффе-Регеля для неупругого (резонансного) рассеяния акустических фононов на колебаниях гармонических мягких мод. |
Максимова, Л. А. К теории эффекта Холла в диэлектириках в двумерной модели [Текст] / Л. А. Максимов, Т. В. Хабарова // Доклады Академии наук. - 2008. - Т. 423, N 4, декабрь. - С. 465-469. - Библиогр.: с. 468-469 (15 назв. ) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): эффект Холла -- Холла эффект -- диэлектрики -- двумерные модели -- акустические фононы -- снин-фононовые воздействия -- теория эффекта Холла Аннотация: Рассмотрена теория эффекта Холла в двумерной модели, найден спектр и поляризация фононов с учетом спин-фоннового взаимодействия, кратко воспроизведены вычисления из поперечного коэффицента теплопроводности и недиагональной матрицы плотности с учетом специфики двумерного случая. Доп.точки доступа: Хабарова, Т. В. |
Зайцева, Л. А. Скорость акустических фононов в кристаллах с краевыми дислокациями и точечными примесями [Текст] / Л. А. Зайцева // Химическая физика. - 2007. - Т. 26, N 3. - С. 17-25. - Библиогр.: c. 25 (13 назв. ) . - ISSN 0207-401Х
Рубрики: Физика Акустика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): акустические фононы -- кристаллы -- краевые дислокации -- примеси -- длинноволновые фононы -- уравнение Дайсона -- Дайсона уравнение -- точечные примеси -- дислокации Аннотация: Показано, что скорость продольных длинноволновых фононов в кристаллах с малым числом случайно расположенных статистических краевых дислокаций такая же, как в идеальных кристаллах. |
Быков, А. А. Температурная зависимость магнетофононных осцилляций сопротивления в GaAs/AlAs гетероструктурах при больших факторах заполнения [Текст] / А. А. Быков, А. В. Горан // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып: вып. 8. - С. 630-633
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): магнетополевые осцилляции -- акустические фононы -- магнетофононные осцилляции -- электрон-электронное рассеяние -- электрическое сопротивление -- факторы заполнения -- гетероструктуры Аннотация: Изучена температурная зависимость магнетополевых осцилляций сопротивления, индуцированных акустическими фононами в 2D системе со средней подвижностью и высокой электронной плотностью в диапазоне T = 7. 4-25. 4 K. Установлено, что в изучаемой системе амплитуда магнетофононных осцилляций сопротивления определяется квантовым временем жизни, модифицированным электрон-электронным рассеянием, в согласии с результатами, полученными недавно в GaAs/AlGaAs гетероструктуре с ультравысокой подвижностью и малой электронной плотностью. Обнаружен сдвиг основного максимума магнетофононных осцилляций сопротивления с ростом температуры в более сильные магнитные поля. Доп.точки доступа: Горан, А. В. |
Природа низкоэнергетических возбуждений зарядово-упорядоченной фазы манганитов La[0. 25]Ca[0. 75]MnO[3] [Текст] / Б. П. Горшунов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 7. - С. 363-368
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): зарядовое упорядочение -- зарядово-упорядоченная фаза -- манганиты -- электродинамический отклик -- коллективные возбуждения -- акустические фононы -- структурные фазовые переходы -- оптическая активность Аннотация: С целью исследования механизмов зарядового упорядочения в манганитах выполнены систематические исследования природы низкоэнергетических возбуждений поликристаллических и нано-структурированных образцов La[0. 25]Ca[0. 75]MnO[3]. Установлено, что в интервале энергий 0. 5-90 мэВ и температур 5-300 К в спектрах электродинамического отклика La[0. 25]Ca[0. 75]MnO[3] отсутствуют резонансные особенности, которые могли бы быть связаны с коллективными возбуждениями зарядово-упорядоченной фазы. Доп.точки доступа: Горшунов, Б. П.; Жукова, Е. С.; Максимов, Е. Г.; Прохоров, А. С.; Торгашев, В. И.; Жанг, Т.; Ву, Д.; Дрессель, М. |
Тензор Нернста-Эттингсгаузена в монокристалле Sb[2]Te[3] [Текст] / С. А. Немов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 12. - С. 1629-1633 : ил. - Библиогр.: с. 1632 (6 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- Sb[2]Te[3] -- температурная зависимость -- тензор Нернста-Эттингсгаузена -- Нернста-Эттингсгаузена тензор -- эффект Нернста-Эттингсгаузена -- Нернста-Эттингсгаузена эффект -- анизотропия -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- R[ikl] -- коэффициент Зеебека -- Зеебека коэффициент -- S[ij] -- коэффициент электропроводности -- sigma[ii] -- рассеяние -- фононы -- акустические фононы -- ионы примесей -- температура -- время релаксации (физика) -- экспериментальные данные -- заряженные ионы -- валентные зоны -- тригональная ось -- заряженные ионы Аннотация: На одном монокристалле Sb[2]Te[3] в диапазоне температур 85-450 K измерены температурные зависимости всех трех независимых компонент тензора Нернста-Эттингсгаузена (Q[ikl]), все три компоненты отрицательны. Наряду с эффектом Нернста-Эттингсгаузена была исследована также анизотропия коэффициентов Холла (R[ikl]), Зеебека (S[ij]) и электропроводности (sigma[ii]). Выполненный анализ экспериментальных данных по эффектам Нернста-Эттингсгаузена и Зеебека свидетельствует о смешанном механизме рассеяния с участием акустических фононов и ионов примеси, причем относительные вклады этих механизмов изменяются с температурой. В приближении тензора времени релаксации определены значения эффективного параметра рассеяния (r). Полученные значения свидетельствуют о доминирующем рассеянии на акустических фононах в плоскости скола и существенном вкладе в рассеяние заряженных ионов вдоль тригональной оси c3. Показано, что основные особенности экспериментальных данных по эффекту Нернста-Эттингсгаузена можно объяснить в рамках двухзонной модели строения валентной зоны с участием в явлениях переноса нескольких групп дырок. Доп.точки доступа: Немов, С. А.; Тарантасов, Г. Л.; Прошин, В. И.; Житинская, М. К.; Иванова, Л. Д.; Гранаткина, Ю. В. |
Резонансное рамановское рассеяние и дисперсия полярных оптических и акустических фононов в гексагональном InN [Текст] / В. Ю. Давыдов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 170-179 : ил. - Библиогр.: с. 179 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): резонансное рамановское рассеяние -- дисперсия -- фононы -- полярные фононы -- оптические фононы -- акустические фононы -- волновые векторы -- колебательные спектры -- энергия -- центрозонные энергии -- зоны Бриллюэна -- Бриллюэна зоны Аннотация: Показано, что исследование зависимости примесного резонансного рамановского рассеяния 1-го порядка от частоты возбуждающего света позволяет наблюдать дисперсию полярных оптических и акустических ветвей колебательного спектра гексагонального InN в широкой области волновых векторов. Установлено, что величины волновых векторов возбуждаемых фононов однозначно связаны с энергией возбуждающего фотона. Проведены измерения частот продольных оптических фононов E[1] (LO) и A[1] (LO) гексагонального InN при изменении энергии возбуждающего света в диапазоне от 2. 81 до 1. 17 эВ и продольных акустических фононов - в диапазоне от 2. 81 до 1. 83 эВ. Полученные зависимости позволили экстраполировать дисперсии фононов A[1] (LO) и E[1] (LO) вплоть до точки Gamma зоны Бриллюэна и оценить центрозонные энергии этих ветвей, величины которых до сих пор не установлены однозначно. Доп.точки доступа: Давыдов, В. Ю.; Клочихин, А. А.; Смирнов, А. Н.; Страшкова, И. Ю.; Крылов, А. С.; Lu Hai; Schaff, William J.; Lee, H. -M.; Hong, Y. -L.; Gwo, S. |
Кипа, М. С. Кинетика двумерных электронов с учетом рассеяния на резонансном состоянии [Текст] / М. С. Кипа, П. С. Алексеев, И. Н. Яссиевич // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 210-217 : ил. - Библиогр.: с. 216 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- подзоны квантовых ям -- двумерные электроны -- кинетика -- акустические фононы -- оптические фононы -- электрические поля -- интерфейсы -- рассеяние -- резонансное рассеяние -- резонансные состояния -- модель Брейта-Вигнера -- Брейта-Вигнера модель -- метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- метод случайных блужданий -- функция распределения -- стримминговый режим -- электроны Аннотация: Изучена кинетика электронов в двух подзонах квантовой ямы при наличии сильного ускоряющего электрического поля вдоль интерфейсов, рассеяния на оптических и акустических фононах, а также рассеяния на резонансном квазистационарном состоянии, связанном с наличием мелких доноров. Резонансное рассеяние учитывается в рамках известной модели Брейта-Вигнера. Функция распределения строится при помощи метода "случайных блужданий" Монте-Карло. Рассеяние на резонансном состоянии приводит к накоплению электронов вблизи резонансного состояния и в целом к существенной модификации функции распределения стриммингового режима. Получена зависимость относительной заселенности рассматриваемых подзон от температуры решетки. Доп.точки доступа: Алексеев, П. С.; Яссиевич, И. Н. |
Смагин, В. В. Бризеры и составные солитонов в системе акустических фононов [Текст] / В. В. Смагин, А. П. Танкеев, М. А. Борич // Физика металлов и металловедение. - 2009. - Т. 108, N 5. - С. 451-460. - Библиогр.: с. 460 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Физика Акустика в целом Кл.слова (ненормированные): уравнения Кортевега-де Вриза -- Кортевега-де Вриза уравнения -- фононы -- акустические фононы -- уединение волны (физика) -- бризеры -- солитоны -- составные солитоны -- модифицированные уравнения -- МКдВ Аннотация: В рамках модифицированного уравнения Кортевега-де Вриза для системы акустических фононов построены нелинейные динамические состояния с тонкой внутренней структурой: для МКдВ с "притяжением" - бризеры, бризерные решетки и периодические модулированные структуры, для МКдВ с "отталкиванием" - кинки, связанные состояния кинк-антикинк (составные солитоны) и периодические решетки составных солитонов. Доп.точки доступа: Танкеев, А. П.; Борич, М. А. |
Шарков, А. И. Зондирование многослойной структуры Si/SiGe потоком неравновесных акустических фононов [Текст] / А. И. Шарков, Т. И. Галкина, А. Ю. Клоков // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 10. - С. 1924-1927. - Библиогр.: с. 1927 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): зондирования многослойных структур -- зондирования акустическими фононами -- акустические фононы -- квантовые ямы -- методы тепловых импульсов -- отраженные сигналы Аннотация: Двойные квантовые ямы Si/Si[0. 8]Ge[0. 2]/Si, выращенные на подложке кремния, зондировались потоком неравновесных акустических фононов терагерцевых частот при использовании метода тепловых импульсов в геометрии "на отражение". Сопоставление зарегистрированных сигналов прихода фононов с аналогичными измерениями для образца кремния без структуры квантовых ям позволяет выделить составляющую, обусловленную именно отражением фононов от квантовых ям. Обнаружена сильная анизотропия этого отраженного сигнала. Доп.точки доступа: Галкина. Т. И.; Клоков, А. Ю. |
Фононы в ZrB[12] [Текст] / А. В. Рыбина [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 5. - С. 842-845. - Библиогр.: с. 845 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фононы -- акустические фононы -- сверхпроводники -- метод неупругого рассеяния -- кривые дисперсии фононов Аннотация: Представлены первые результаты измерений кривых дисперсии акустических фононов в сверхпроводнике ZrB[12]. Измерения проводились методом неупругого рассеяния нейтронов на трехосном спектрометре АТОС (ИР-8, РНЦ "Курчатовский институт") при комнатной температуре на монокристалле, выращенном с использованием изотопа 11B (99. 5% обогащения). Полученные резуьтаты проанализированы на основе модели динамики кристаллической решетки, предложенной ранее для додекаборидов редкоземельных элементов. В рамках этой модели определены константы силового взаимодействия атомов Zr друг с другом и борным каркасом. Доп.точки доступа: Рыбина, А. В.; Немковский, К. С.; Филиппов, В. Б.; Духненко, А. В. |
Талочкин, А. Б. "Свернутые" акустические фононы в сверхрешетках Si/Ge с квантовыми точками Ge [Текст] / А. Б. Талочкин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 138, вып: вып. 6. - С. 1135-1143. - Библиогр.: с. 1142-1143 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): свернутые акустические фононы -- акустические фононы -- фононы -- сверхрешетки Si/Ge -- квантовые точки гелия -- гелий -- псевдоморфные слои -- спектры -- рамановское рассеяние света -- свет Аннотация: Исследованы спектры рамановского рассеяния света на "свернутых" акустических фононах в сверхрешетках Si/Ge с псевдоморфными слоями квантовых точек Ge, полученными с помощью низкотемпературной (Т = 250°С) молекулярно-лучевой эпитаксии. |
Расчет подвижности носителей заряда в алмазе при низких температурах [Текст] / А. С. Батурин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 7. - С. 897-901 : ил. - Библиогр.: с. 901 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): заряды -- подвижность зарядов -- низкие температуры -- квазиупругие приближения -- КП -- функции распределения -- кинетическое уравнение Больцмана -- Больцмана кинетическое уравнение -- монокристаллы алмаза -- алмазы -- неупругое приближение -- НП -- акустические фононы -- электроны -- дырки -- низкотемпературные электрофизические эксперименты Аннотация: Проведены численные оценки различий квазиупругого и неупругого приближений для расчета подвижности электронов и дырок в алмазе при низких температурах, когда неупругость рассеяния носителей на акустических фононах становится существенной. Вычисления показали, что подвижность, отвечающая почти равновесной функции распределения, даже при температуре 20 K в несколько раз отличается от значения, получаемого в квазиупругом приближении. Полученные результаты важны для интерпретации низкотемпературных электрофизических экспериментов в высокочистых монокристаллах алмаза. Доп.точки доступа: Батурин, А. С.; Горелкин, В. Н.; Соловьев, В. Р.; Черноусов, И. В. |
Завьялов, Д. В. Численное моделирование эффекта выпрямления тока, индуцированного электромагнитной волной в графене [Текст] / Д. В. Завьялов, С. В. Крючков, Т. А. Тюлькина // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 7. - С. 910-914 : ил. - Библиогр.: с. 913-914 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электромагнитные волны -- численное моделирование -- графены -- метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- фононы -- акустические фононы -- оптические фононы -- рассеяния электронов -- эффект выпрямления тока Аннотация: С использованием прямого численного моделирования методом Монте-Карло изучен эффект возникновения постоянной (перпендикулярной тянущему постоянному электрическому полю) составляющей тока в ситуации, когда на образец графена нормально к его поверхности падает эллиптически поляризованная электромагнитная волна. Исследована зависимость тока от частоты падающей электромагнитной волны и сдвига фаз между ее компонентами. Доп.точки доступа: Крючков, С. В.; Тюлькина, Т. А. |
Рассеяние электронов на акцепторных центрах в p-Ag[2]Te при низких температурах [Текст] / Ф. Ф. Алиев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1042-1045 : ил. - Библиогр.: с. 1045 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): резонансное рассеяние электронов -- акцепторные центры -- p-Ag[2]Te -- теллурид серебра -- низкие температуры -- температурные зависимости -- термоэдс -- электропроводность -- носители заряда -- акустические фононы -- акцепторы Аннотация: Наблюдалось резонансное рассеяние электронов в p-Ag[2]Te при концентрациях акцепторов N[a]< 4. 2x10{16} см{-3} в интервале температур ~50-80 K. Проведен расчет вклада резонансного рассеяния в температурные зависимости электропроводности sigma (T) и термоэдс alpha0 (T). Показано, что вклад резонансного рассеяния электронов в зависимостях sigma (T) и alpha0 (T) больше, чем рассеяние носителей заряда на акустических фононах. Доп.точки доступа: Алиев, Ф. Ф.; Джафаров, М. Б.; Аскерова, Г. З.; Годжаев, Э. М. |
Оптические свойства тонких пленок GaSe/n-Si (111) [Текст] / М. П. Киселюк [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1046-1049 : ил. - Библиогр.: с. 1049 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): резонансное рассеяние электронов -- акцепторные центры -- p-Ag[2]Te -- теллурид серебра -- низкие температуры -- температурные зависимости -- термоэдс -- электропроводность -- носители заряда -- акустические фононы -- акцепторы Аннотация: Проведены морфологические и оптические (эллипсометрия, спектры отражения в диапазоне 400-750 нм и спектры отражения в диапазоне 1. 4-25 мкм) исследования тонких пленок GaSe толщиной 15-60 нм, полученных методом термического напыления на подложках из монокристаллического кремния n-Si (111). Установлено, что на начальном этапе роста имеет место островковый (трехмерный) рост GaSe на подложках n-Si (111). Показано изменение физических параметров пленок по мере увеличения толщины и приближение с точки зрения кристаллической и энергетической зонной структуры тонких пленок к монокристаллам. Для пленок толщиной 60 нм максимум полосы отражения объяснен непрямыми оптическими переходами, усиленными экситонным взаимодействием. В результатах оптических исследований предполагается проявление квантовых эффектов в приповерхностной области тонких пленок. Доп.точки доступа: Киселюк, М. П.; Власенко, А. И.; Генцарь, П. А.; Вуйчик, Н. В.; Заяц, Н. С.; Кругленко, И. В.; Литвин, О. С.; Криськов, Ц. А. |
535.2/.3 Г 687 Горелик, В. С. Дисперсия оптичесих и акустических фононов в кристаллах алмаза и германия [Текст] / В. С. Горелик, авт. Н. С. Васильев // Неорганические материалы. - 2012. - Т. 48, № 5. - С. 542-548 : 5 рис. - Библиогр.: с. 548 (13 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): дисперсия -- алмазы -- германий -- акустические фононы -- фононы Аннотация: Установлены законы дисперсии оптических и акустических ветвей в алмазоподобных кристаллах на основании использования идеализированных моделей кристаллических решеток. При этом предложено использовать два вида аналитических зависимостей, параметры которых определяются из экспериментов по неупругому рассеянию нейтронов и свойств звуковых волн. Показано, что имеет место удовлетворительное согласие теории с экспериментом для кристаллографических направлений [100], [110], [111]. Установлены значения групповых скоростей волн, соответствующих оптическим и акустическим ветвям. Получены выражения для эффективных масс оптических фононов. Доп.точки доступа: Васильев, Н. С. |