Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Теруков, Е. И.$<.>)

Общее количество найденных документов : 83
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-80 81-83

539.2
А 50

Алиев, Р. А.
Влияние вакуумной термообработки тонких пленок диоксида ванадия на фазовый переход металл-полупроводник [] / Р. А. Алиев, В. Н. Андреев [и др.] // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 6. - С. 81-84. - Библиогр.: c. 84 (14 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
диоксид ванадия; термообработка; тонкие пленки; фазовые переходы; электронное облучение
Аннотация: Исследовано влияние вакуумной термообработки тонких пленок диоксида ванадия на параметры фазового перехода металл-полупроводник. Проведено сопоставление полученных результатов с результатами воздействия на синтезированные пленки облучения электронами средних энергий. На основании данных об элементном составе пленок, полученных с помощью метода резерфордовского обратного рассеяния, сделан вывод о том, что причиной изменения петель гистерезиса в этих случаях является восстановление диоксида ванадия при нагреве его в вакууме.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2005/06/page-81.html.ru

Доп.точки доступа:
Андреев, В. Н.; Климов, В. А.; Лебедев, В. М.; Никитин, С. Е.; Теруков, Е. И.; Шадрин, Е. Б.

Найти похожие

539.2
Б 28

Баталов, Р. И.
Структура, примесный состав и фотолюминесценция механически полированных слоев монокристаллического кремния [] / Р. И. Баталов, Р. М. Баязитов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 5-8. - Библиогр.: с. 8 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
атомные кластеры; воздействия; дефекты; деформация; дислокации; ИК-области; кластеры; кремниевые структуры; кремний; монокристаллический кремний; нанофотоника; обработка; пластическая деформация; преципитаты; радиационные воздействия; структуры; термическая обработка; фотолюминесценция
Аннотация: Рассмотрено введение в монокристаллический кремний оптически активных дефектов путем радиационных воздействий, пластической деформации или термической обработки как один из возможных подходов к созданию кремниевых структур, излучающих в ближней ИК-области.

Доп.точки доступа:
Баязитов, Р. М.; Хуснуллин, Н. М.; Теруков, Е. И.; Кудоярова, В. Х.; Мосина, Г. Н.; Андреев, Б. А.; Крыжков, Д. И.

Найти похожие

539.2
Б 48

Берковиц, В. Л.
Влияние структуры молекул фталоцианинов меди на характер их упорядочения в тонких пленках, спектры фотолюминесценции и поглощения [Текст] / В. Л. Берковиц, А. В. Зиминов [и др.] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 2. - С. 262-266. - Библиогр.: с. 266 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
метод спектроскопии анизотропного отражения; метод фотолюминесценции; метод фотопроводимости; спектры поглощения; спектры фотолюминесценции; тонкие пленки; упорядочение в тонких пленках; фталоцианины меди
Аннотация: Методами спектроскопии анизотропного отражения, фотолюминесценции и фотопроводимости в режиме постоянного фототока исследовались тонкие пленки молекул фталоцианина меди (CuPc) и сответствующих молекулярных комплексов различной структуры, сформированные на стеклянных и ситаловых подложках. Установлено, что в пленках молекул CuPc и молекул CuPc с фталимидными периферийными заместителями молекулы расположены почти плоско по отношению к поверхности подложки. В пленках мю-пероксодимерных комплексов плоскости молекул CuPc образуют с поверхностью подложки угол, близкий к 90 градусам. Наибольшая интенсивность люминесценции в области около 1. 12 eV и минимальное поглощение в области энергий, меньших ширины запретной зоны, наблюдались у пленки молекул CuPc с фталимидными периферийными заместителями, что связывается с меньшей концентрацией центров безызлучательной рекомбинации.

Доп.точки доступа:
Зиминов, А. В.; Казанский, А. Г.; Колосько, А. Г.; Рамш, С. М.; Теруков, Е. И.; Фенухин, А. В.; Улин, В. П.; Юрре, Т. А.; Kleider, J. P.

Найти похожие

621.3
Б 82

Бордовский, Г. А.
Электрофизические свойства и строение халькогенидных стекол, включающих двухвалентное олово [Текст] / Г. А. Бордовский, Р. А. Кастро, П. П. Серегин, Е. И. Теруков // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 23-26 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
халькогенидные стекла -- мёссбауэровская спектроскопия -- фотоэлектронная спектроскопия -- полупроводниковые растворы
Аннотация: Методом мёссбауэровской и фотоэлектронной спектроскопии в стеклах (As[2]Se[3]) [1-z] (GeSe) [z-x] (SnSe) [x] идентифицированы два валентных состояния атомов олова и показано, что присутствие двухвалентного олова в структурной сетке стекла не приводит к появлению примесной проводимости и примесного оптического поглощения. Предлагается рассматривать стекла (As[2]Se[3]) [1-z] (GeSe) [z-x] (SnSe) [x] и (As[2]Se[3]) [1-z] (GeSe[2]) [z-x] (SnSe[2]) [x] как полупроводниковые твердые растворы, электрофизические свойства которых зависят как от электрофизических свойств исходных компонентов, так и от состава твердых растворов.

Доп.точки доступа:
Кастро, Р. А.; Серегин, П. П.; Теруков, Е. И.

Найти похожие

53
Б 75

Боднарь, И. В.
Фоточувствительность тонкопленочных структур на основе тройных полупроводников CuIn[3]Se[5] и CuIn[5]Se[8] [Текст] / И. В. Боднарь, В. Ф. Гременок [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 3. - С. 32-38 . - ISSN 0320-0116

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
тонкопленочные структуры -- фоточувствительность -- поликристаллические пленки -- полупроводники -- тройные полупроводниковые соединения
Аннотация: Методом лазерного импульсного испарения исходных объемных кристаллов p-CuIn[3]Se[5] и n-CuIn[5]Se[8] выращены поликристаллические пленки CuIn[3]Se[5] и CuIn[5]Se[8] n-типа проводимости толщиной 0. 4-1 мюm, температурные зависимости удельного сопротивления которых определяются глубокими донорами с энергией активации E[D] ? 0. 2-0. 3 eV. На основе полученных пленок созданы первые фоточувствительные тонкопленочные структуры In/p-CuInSe и In/n-CuIn[5]Se[8] и изменены первые спектры их фоточувствительности. Продемонстрированы возможности применения тонких пленок CuIn[3]Se[5] и CuIn[5]Se[8] в широкополосных фотопреобразователях оптического излучения.

Доп.точки доступа:
Гременок, В. Ф.; Николаев, Ю. А.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И.

Найти похожие

53
Б 75

Боднарь, И. В.
Точечные фоточувствительные структуры на кристаллах CuIn[2m+1]Se[3m+2] [Текст] / И. В. Боднарь, А. М. Ковальчук [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 4. - С. 58-65 . - ISSN 0320-0116

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
фоточувствительные структуры -- кристаллы -- полупроводниковые соединения -- получение фоточувствительных структур -- сварка в электрическом разряде
Аннотация: Методом сварки в электрическом разряде впервые получены точечные фоточувствительные структуры на основе монокристаллов CuIn[2m+1]Se[3m+2] (m=0, 1, 2) . Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики и фотовольтаический эффект структур на основе тройных соединений CuInSe[2], CuIn[3]Se[5] и CuIn[5]Se[8]. Обнаружены выпрямление и фотопреобразование в полученных структурах. Определены характер межзонных переходов и ширина запрещенной зоны в ряду соединений CuInSe[2], CuIn[3]Se[5] и CuIn[5]Se[8]. Сделан вывод о возможностях применения метода сварки для создания фотопреобразовательных структур на многокомпонентных полупроводниках.

Доп.точки доступа:
Ковальчук, А. М.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И.

Найти похожие

53
Н 632

Николаев, Ю. А.
Фоточувствительность гетеропереходов, полученных термическим окислением InP [Текст] / Ю. А. Николаев, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Е. И. Теруков // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 7. - С. 87-94 . - ISSN 0320-0116

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
гетеропереходы -- фосфид индия -- термическое окисление -- фоточувствительность
Аннотация: Методом термического окисления впервые получены гетеропереходы n-Ox/p-InP. Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики и фотовольтаический эффект полученных структур в естественном и линейно-поляризованном излучении. Обсуждаются особенности токопереноса и широкополосная фоточувствительность. Сделан вывод о возможностях применения метода термического окисления InP для создания на его основе гетерофотоэлементов.

Доп.точки доступа:
Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И.

Найти похожие

53
Т 356

Теруков, Е. И.
Экспериментальное определение температурной зависимости эффективной плотности сверхтекучих электронов в высокотемпературных сверхпроводниках [Текст] / Е. И. Теруков, П. П. Серегин, А. В. Марченко // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 10. - С. 1-6 . - ISSN 0320-0116

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
сверхпроводники -- высокотемпературные сверхпроводники -- сверхтекучие электроны -- эффективная плотность сверхтекучих электронов -- мессбауэровская спектроскопия -- теория Бардина-Купера-Шриффера -- Бардина-Купера-Шриффера теория
Аннотация: Показано, что отсутствует согласие расчетных (теория Бардина-Купера-Шриффера (БКШ) ) и экспериментальных (данные мессбауэровской спектроскопии) температурных зависимостей эффективной плотности сверхтекучих электронов для узлов Cu (1) в решетках YBa[2]Cu[3]O[7], YBa[2]Cu[4]O[8], Tl[2]Ba[2]Ca[2]Cu[3]O[10], Bi[2]Sr[2]Ca[2]Cu[3]O[10] и HgBa[2]Ca[2]Cu[3]O[8], однако имеется удовлетворительное согласие для узлов Cu (2).

Доп.точки доступа:
Серегин, П. П.; Марченко, А. В.

Найти похожие

621.3
Б 820

Бордовский, Г. А.
Электрофизические свойства и строение халькогенидных стекол, включающих двухвалентное олово [Текст] / Г. А. Бордовский, Р. А. Кастро, П. П. Серегин, Е. И. Теруков // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 23-26 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

10.

539.2
Б 489

Берковиц, В. Л.
Влияние структуры молекул фталоцианинов меди на характер их упорядочения в тонких пленках, спектры фотолюминесценции и поглощения [Текст] / В. Л. Берковиц, А. В. Зиминов [и др.] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 2. - С. 262-266. - Библиогр.: с. 266 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

11.

621.3
Б 752

Боднарь, И. В.
Получение и фотоэлектрические свойства гетеропереходов окисел/CuIn[5]Se[8] [Текст] / И. В. Боднарь, А. А. Вайполин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 2. - С. 160-163 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- монокристаллы -- гетеропереходы -- CuIn[5]Se[8] -- электрические свойства -- фотоэлектрические свойства -- фотопреобразователи
Аннотация: Методом направленной кристаллизации расплава выращены монокристаллы соединения n-CuIn[5]Se[8] гексагональной модификации. На основании экспериментальных исследований его термического взаимодействия с кислородом воздуха предложен метод получения новых гетеропереходов окисел/n-CuIn[5]Se[8]. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства полученных структур. Показано, что процесс взаимодействия CuIn[5]Se[8] гексагональной модификации с кислородом воздуха обеспечивает получение гетеропереходов с высокой фоточувствительностью. Сделан вывод о возможности применения новой технологии при создании широкополосных фотопреобразователей на основе кристаллов CuIn[5]Se[8].

Доп.точки доступа:
Вайполин, А. А.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И.

Найти похожие

12.

621.3
В 343

Верменичев, Б. М.
Электрофизические свойства гетероструктур n-ZnO/p-CuO [Текст] / Б. М. Верменичев, О. Л. Лисицкий [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 3. - С. 298-300 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- гетеропереходы -- электрофизические свойства -- вольт-амперные характеристики
Аннотация: Получена гетероструктура n-ZnO/p-CuO и измерена ее вольт-амперная характеристика. Показано, что в температурную зависимость проводимости гетероструктуры основной вклад вносит слой CuO и собственно гетеропереход n-ZnO/p-CuO.

Доп.точки доступа:
Лисицкий, О. Л.; Кумеков, М. Е.; Кумеков, С. Е.; Теруков, Е. И.; Токмолдин, С. Ж.

Найти похожие

13.

621.315.592
Т 356

Теруков, Е. И.
Двухэлектронные центры германия с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидах свинца [Текст] / Е. И. Теруков, А. В. Марченко, А. В. Зайцева, П. П. Серегин // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 12. - С. 1434-1439 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
германий -- двухэлектронные донорные центры -- халькогениды свинца -- уровень Ферми -- Ферми уровень
Аннотация: Показано, что зарядовое состояние антиструктурного дефекта \{73\}Ge, возникающего в анионных подрешетках PbS, PbSe и PbTe после радиоактивного превращения \{73\}As, не зависит от положения уровня Ферми, тогда как в катионных подрешетках PbS и PbSe центр \{73\}Ge представляет собой двухэлектронный донор с отрицательной корреляционной энергией: в образцах n-типа мессбауэровский спектр отвечает нейтральному состоянию донорного центра (Ge\{2+\}), в а образцах p-типа - двукратно ионизованному состоянию (Ge\{4+\}) этого центра. Для частично компенсированных образцов PbSe реализуется быстрый электронный обмен между нейтральными и ионизованными донорными центрами. Методом мессбауэровской спектроскопии на изотопе \{119\}Sn продемонстрировано, что в PbS и PbSe энергетические уровни германия лежат выше уровней, образуемых в этих полупроводниках примесными атомами олова.

Доп.точки доступа:
Марченко, А. В.; Зайцева, А. В.; Серегин, П. П.

Найти похожие

14.

Фоточувствительность поверхностно-барьерных и точечных структур на монокристаллах Cd[1-x]Mn[x]Te [Текст] / Г. А. Ильчук [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 6. - С. 49-53. - Библиогр.: c. 53 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
фоточувствительность -- поверхностно-барьерные структуры -- точечные структуры -- твердые растворы -- алмазоподобные полупроводники -- магнитные полупроводники -- оптические переходы
Аннотация: Предложены и впервые получены два новых типа фоточувствительных структур на монокристаллах твердых растворов алмазоподобных магнитных полупроводников Cd[1-x]Mn[x]Te (x=0-0. 7). Выполнены исследования фотоэлектрических свойств поверхностно-барьерных In/Cd[1-x]Mn[x]Te и сварных структур св/Cd[1-x]Mn[x]Te при T=300 K. Проведен сопоставительный анализ закономерностей спектров фоточувствительности полученных структур, что позволило определить характер межзонных оптических переходов и значения ширины запрещенной зоны в кристаллах Cd[1-x]Mn[x]Te. Сделан вывод о возможности применения полученных структур в разработках приборов магнитной фотоэлектроники.

Доп.точки доступа:
Ильчук, Г. А.; Петрусь, Р. Ю.; Николаев, Ю. А.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И.

Найти похожие

15.

Экспериментальное определение пространственного распределения электронных дефектов в решетках La[2-x]Sr[x]CuO[4 ]и Nd[2-x]Ce[x]CuO[4] [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 9. - С. 55-64

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- металлы -- мощные излучения -- электронные дефекты -- кристаллические решетки
Аннотация: Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопах \{67\}Cu (\{67\}Zn) и \{67\}Ga (\{67\}Zn) показано, что дырки, появляющиеся в результате замещения La\{3+\} на Sr\{2+\} в решетке La[2-x]Sr[x]CuO[4], локализованы преимущественно на атомах кислорода, находяшихся в одной плоскости с атомами меди, тогда как электроны, появляющиеся в решетке Nd[2-x]Ce[x]CuO[4] за счет замещения ионов Nd\{3+\} на Ce\{4+\}, локализованы в подрешетке меди.

Доп.точки доступа:
Бордовский, Г. А.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П.; Теруков, Е. И.

Найти похожие

16.

Теруков, Е. И.
Наблюдение эффекта Мессбауэра на примесных атомах олова в жидком галлии [Текст] / Е. И. Теруков, А. В. Марченко, П. П. Серегин // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 20. - С. 50-56 . - ISSN 0320-0116

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
эффект Мессбауэра -- Мессбауэра эффект -- примесные атомы олова -- олово -- жидкий галлий
Аннотация: Для примесных атомов \{119\}Sn в металлическом галлии явление безотдачного поглощения гамма-квантов исчезает при температурах выше 292. 45 K, однако диспергирование жидкого галлия в пористом стекле с размером пор ~ 70 Ангстрем позволяет наблюдать эффект Мессбауэра при температуре 298. 15 K, что связывается с "ужесточением" фононного спектра галлия при диспергировании.

Доп.точки доступа:
Марченко, А. В.; Серегин, П. П.

Найти похожие

17.

Создание и фотоэлектрические свойства гетероструктур: собственный окисел / Cd[x]Mn[1-x]Te [Текст] / Г. А. Ильчук [и др. ] // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 24. - С. 24-31 . - ISSN 0320-0116

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрические свойства -- гетероструктуры -- межзонные переходы
Аннотация: Предложена новая технология формирования энергетического барьера на кристаллах твердого раствора Cd[1-x]Mn[x]Te и впервые получены выпрямляющие фоточувствительные гетероструктуры Ox/Cd[1-x]Mn[x]Te (x=0. 6/1). Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики и спектры относительной квантовой эффективности фотопреобразования новых гетероструктур. Обсуждаются энергетический спектр и характер межзонных переходов Cd[1-x]Mn[x]Te. Открыта возможность использования процесса окисления для создания гетерофотопреобразователей на кристаллах разбавленных магнитных полупроводников Cd[1-x]Mn[x]Te.

Доп.точки доступа:
Ильчук, Г. А.; Петрусь, Р. Ю.; Николаев, Ю. А.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И.

Найти похожие

18.

Свойства и структура стекол (As[2]Se[3]) [1-z] (SnSe[2]) [z-x] (Tl[2]Se) [x] и (As[2]Se[3]) [1-z] (SnSe) [z-x] (Tl[2] Se) [x] [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 11. - С. 1353-1356

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
стеклообразные системы -- халькогенидные стекла -- олово
Аннотация: В структуре стекол (As[2]Se[3]) [1-z] (SnSe[2]) [z-x] (Tl[2]Se) [x] и (As[2]Se[3]) [1-z] (SnSe) [z-x] (Tl[2] Se) [x] олово стабилизируется в двух- и четырехвалентном состояниях. Присутствие в структурной сетке стекла двухвалентного олова не приводит к появлению примесной проводимости. Зависимости плотности, микротвердости и температуры стеклования от состава стекол объясняются в рамках модели, согласно которой структура стекол построена из структурных единиц, отвечающих соединениям As[2]Se[3], AsSe, TlAsSe[2], Tl[2]Se, SnSe и SnSe[2].

Доп.точки доступа:
Бордовский, Г. А.; Марченко, А. В.; Теруков, Е. И.; Серегин, П. П.; Лиходеева, Т. В.

Найти похожие

19.

Влияние электрического поля при получении пленок a-SiO[x] : H[угловая скобка]Er, O[угловая скобка] методом магнетронного распыления на постоянном токе на их состав и интенсивность фотолюминесценции ионов эрбия [Текст] / Ю. К. Ундалов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 11. - С. 1357-1362

УДК

^a621.315.592

^a535.37

ББК 31.233 + 22.345
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
кремний -- аморфный гидрогенизированный кремний -- пленки (физика) -- магнетронное распыление -- электрическое поле -- ионы эрбия -- фотолюминесценция
Аннотация: Исследовано влияние электрического поля на элементный состав и фотолюминесценцию пленок аморфного гидрогенизированного кремния, легированного эрбием и кислородом (a-SiO[x] : H[угловая скобка]Er, O[угловая скобка]), при получении их методом магнетронного распыления на постоянном токе. Изучались две серии пленок в зависимости от напряженности электрического поля магнетрона, от площади металлической эрбиевой мишени и от содержания кислорода в рабочей камере. Первая серия пленок была получена при электрически изолированном подложкодержателе, вторая - при положительном потенциале на подложкодержателе относительно катода. Показано, что, хотя характер изменения элементного состава и интенсивность фотолюминесценции ионов эрбия Er\{3+\} в пленках двух серий значительно различаются, в обоих случаях они, в итоге, определяются процессами распыление-окисление Si- и Er-мишений, являющихся катодом.

Доп.точки доступа:
Ундалов, Ю. К.; Теруков, Е. И.; Гусев, О. Б.; Лебедев, В. М.; Трапезникова, И. Н.

Найти похожие

20.

Поляризационная фоточувствительность барьеров Шоттки на кристаллах ZnAs[2] моноклинной модификации [Текст] / Ю. А. Николаев [и др. ] // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 11. - С. 36-40. - Библиогр.: c. 40 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a539.21:535

ББК 22.374
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- арсенид цинка -- фоточувствительность -- поляризационная фоточувствительность -- фоточувствительные барьеры Шоттки -- направленная кристаллизация
Аннотация: Методом направления кристаллизации близкого к стехиометрическому составу соединения расплава выращены монокристаллы ZnAs[2] моноклинной модификации, на которых созданы первые фоточувствительные барьеры Шоттки Cu (In) /p-ZnAs[2] и получены их первые спектры фоточувствительности в естественном и линейнополяризованном излучении. Обнаружена поляризационная фоточувствительность новых структур. На основании анализа спектров фотоактивного поглощения моноклинной модифицации ZnAs[2] установлено, что минимальные прямые межзонные переходы в этих кристаллах преимущественно разрешены в поляризации E|| оси OZ и могут быть использованы, в частности, при создании новых устройств - поляризационно-управляемых переключателей спектрального диапазона фоторегистрации падающего излучения.

Доп.точки доступа:
Николаев, Ю. А.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И.

Найти похожие

1-20 21-40 41-60 61-80 81-83

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)