Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=направленная кристаллизация<.>)

Общее количество найденных документов : 16
Показаны документы с 1 по 16

621.74
М 770

Монастырский, В. П.
Теплофизические особенности направленной кристаллизации с применением опорного наполнителя [Текст] / В. П. Монастырский, Е. В. Монастырская, А. В. Зуев // Физика и химия обработки материалов. - 2004. - N 5 . - ISSN 0015-3214

УДК

621.74

ББК 30.68
Рубрики: Техника--Обработка материалов
Кл.слова (ненормированные):
кристаллизация -- компьютерное моделирование -- направленная кристаллизация -- опорные наполнители -- наполнители -- теплопроводность -- коэффициенты теплопроводности -- эффективные коэффициенты теплопроводности -- промышленные литейные установки -- литейные установки -- графитовые бои -- жаропрочные сплавы -- сплавы
Аннотация: Методом компьютерного моделирования проведена оценка эффективного коэффициента теплопроводности графитового боя, используемого в качестве опорного наполнителя в промышленных литейных установках.

Доп.точки доступа:
Монастырская, Е. В.; Зуев, А. В.

Найти похожие

669.017
М 770

Монастырский, В. П.
Условия создания высокого градиента температуры при выращивании монокристаллов никелевых жаропрочных сплавов методом направленной кристаллизации [Текст] / В. П. Монастырский // Физика и химия обработки материалов. - 2004. - N 6 . - ISSN 0015-3214

УДК

669.017

ББК 34.2
Рубрики: Машиностроение--Металловедение
Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- никель -- жаропрочные сплавы -- сплавы -- направленная кристаллизация -- кристаллизация -- стали -- отливки -- градиенты температур
Аннотация: Рассмотрены методы направленной кристаллизации на водоохлаждаемом кристаллизаторе и с охлаждением формы в жидкометаллической ванне, применяемые для получения монокристаллов никелевых жаропрочных сплавов.

Найти похожие

621.3
И 48

Ильчук, Г. А.
Фотоэлектрические свойства структур In/In[2]Se[3] [Текст] / Г. А. Ильчук, В. В. Кусьнэж [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 53-55 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
направленная кристаллизация -- кристаллы -- барьеры Шоттки -- алмазоподобные соединения -- выращенные кристаллы
Аннотация: Методом направленной кристаллизации расплава, близкого по составу к стехиометрическому, а также парофазным методом выращены кристаллы In[2]Se[3] гексагональной модификации, и впервые созданы барьеры Шоттки In/n-In[2]Se[3], фоточувствительные в широкой области энергий падающих фотонов 1 - 3. 8 эВ при 300 К. Изучен характер межзонного фотоактивного поглощения, оценены высота энергетического барьера и энергии межзонных оптических переходов. Сделан вывод о возможностях применения выращенных кристаллов в широкополосных фотопреобразователях оптического излучения.

Доп.точки доступа:
Кусьнэж, В. В.; Петрусь, Р. Ю.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Украинец, В. О.

Найти похожие

621.315.592
М 893

Мудрый, А. В.
Оптическая спектроскопия свободных экситонов в халькопиритном полупроводниковом соединении CuInS[2] [Текст] / А. В. Мудрый, А. В. Иванюкович [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 1. - С. 31-35

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- экситоны -- CuInS[2] -- направленная кристаллизация -- халькопиритные полупроводниковые соединения
Аннотация: При 4. 2 K исследованы спектры отражения и люминесценции высококачественных монокристаллов CuInS[2], выращенных методом направленной кристаллизации.

Доп.точки доступа:
Иванюкович, А. В.; Якушев, М. В.; Мартин, Р.; Саад, А.

Найти похожие

Косяков, В. И.
Направленная кристаллизация расплавов xAG[2]S (1 - x) Ga[2]S[3] и доказательство неквазибинарности разреза Ag[2]S- Ga[2]S[3] [Текст] / В. И. Косяков, Е. Ф. Синякова, К. А. Кох // Журнал неорганической химии. - 2010. - Т. 55, N 2. - С. 305-310 : рис. - Библиогр.: с. 310 (24 назв. )

УДК

^a543.4/.5

ББК 24.46/48
Рубрики: Химия
Физико-химические методы анализа
Кл.слова (ненормированные):
расплавы -- халькогениды -- разрезы -- кристаллы -- тройные системы -- направленная кристаллизация
Аннотация: Приведены результаты направленной кристаллизации трех образцов, составы которых принадлежат системе Ag[2]S Ga[2]S[3].

Доп.точки доступа:
Синякова, Е. Ф.; Кох, К. А.

Найти похожие

Чудотворцев, И. Г.
Распределение компонентов в водных системах неэлектролитов при направленной кристаллизации льда [Текст] / И. Г. Чудотворцев, О. Б. Яценко // Журнал прикладной химии. - 2009. - Т. 82, вып: вып. 1. - С. 40-43. - Библиогр.: c. 43 (3 назв. ) . - ISSN 0044-4618

УДК

^a544.015.3

ББК 24.5
Рубрики: Химия
Физическая химия в целом
Кл.слова (ненормированные):
водные системы -- кристаллизация льда -- направленная кристаллизация -- неэлектролиты -- низкие температуры -- Пельтье эффект -- полупроводниковые термоэлементы -- сахароза -- эвтектические точки -- эффект Пельтье
Аннотация: Приведены данные о кинетике и распределении компонентов при неравновесной кристаллизации льда в водной системе неэлектролита (вода-сахароза), осуществляемой с помощью оригинальной установки, работающей на полупроводниковых термоэлементах.

Доп.точки доступа:
Яценко, О. Б.

Найти похожие

Поляризационная фоточувствительность барьеров Шоттки на кристаллах ZnAs[2] моноклинной модификации [Текст] / Ю. А. Николаев [и др. ] // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 11. - С. 36-40. - Библиогр.: c. 40 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a539.21:535

ББК 22.374
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- арсенид цинка -- фоточувствительность -- поляризационная фоточувствительность -- фоточувствительные барьеры Шоттки -- направленная кристаллизация
Аннотация: Методом направления кристаллизации близкого к стехиометрическому составу соединения расплава выращены монокристаллы ZnAs[2] моноклинной модификации, на которых созданы первые фоточувствительные барьеры Шоттки Cu (In) /p-ZnAs[2] и получены их первые спектры фоточувствительности в естественном и линейнополяризованном излучении. Обнаружена поляризационная фоточувствительность новых структур. На основании анализа спектров фотоактивного поглощения моноклинной модифицации ZnAs[2] установлено, что минимальные прямые межзонные переходы в этих кристаллах преимущественно разрешены в поляризации E|| оси OZ и могут быть использованы, в частности, при создании новых устройств - поляризационно-управляемых переключателей спектрального диапазона фоторегистрации падающего излучения.

Доп.точки доступа:
Николаев, Ю. А.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И.

Найти похожие

Фотоэлектрохимические ячейки на тройных соединениях CuIn[2n+1]Se[3n+2] (n=3-6) [Текст] / В. Ю. Рудь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 3. - С. 391-395

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
направленная кристаллизация -- тройные полупроводники -- межзонные переходы -- фотопреобразователи -- полупроводниковая фотоэлектроника
Аннотация: Методом направленной кристаллизации впервые выращены монокристаллы тройных полупроводников CuIn[2n+1]Se[3n+2] с показателем состава n=3, 5 и 6. Установлено, что эти кристаллы имеют гексагональную симметрию и близкие значения параметров элементарной ячейки. Созданы фотоэлектрохимические ячейки на основе монокристаллов CuIn[2n+1]Se[3n+2] и In[2]Se[3], получены первые спектры их фоточувствительности, из которых определены характер межзонных переходов и значения ширины запрещенной зоны. Слабая зависимость параметров зонного спектра и элементарной ячейки этих полупроводников при показателе состава n ? 2 связывается с особенностями межатомного взаимодействия в таких фазах. Сделан вывод о возможностях применения новых полупроводников CuIn[2n+1]Se[3n+2] в широкополосных фотопреобразователях оптических излучений.

Доп.точки доступа:
Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Боднарь, И. В.; Горбачев, Д. В.; Ушакова, Т. Н.

Найти похожие

Выращивание монокристаллов FeIn[2]S[4] и создание фоточувствительных структур на их основе [Текст] / И. В. Бондарь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1553-1556 : ил. - Библиогр.: с. 1556 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- FeIn[2]S[4] -- направленная кристаллизация -- метод направленной кристаллизации -- стехиометрия -- фоточувствительные структуры -- In (Al) /FeIn[2]S[4] -- фоточувствительность -- спектры фоточувствительности -- поглощение -- краевое поглощение -- межзонные переходы -- прямые межзонные переходы -- непрямые межзонные переходы -- фотопреобразователи -- широкополосные фотопреобразователи
Аннотация: Методом направленной кристаллизации близкого к стехиометрии расплава соединения впервые выращены объемные монокристаллы FeIn[2]S[4]. Созданы первые фоточувствительные структуры In (Al) /FeIn[2]S[4]. На указанных кристаллах получены первые спектры фоточувстительности новых структур при T=300 K. На основании анализа спектров фоточувствительности установлено, что краевое поглощение FeIn[2]S[4] формируется непрямыми и прямыми межзонными переходами, а также оценены соответствующие им значения ширины запрещенной зоны. Сделан вывод о возможностях применения полученных структур в широкополосных фотопреобразователях.

Доп.точки доступа:
Бондарь, И. В.; Павлюковец, С. А.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.

Найти похожие

10.

543.4/.5
Э 413

Экспериандова, Л. П.
Кондуктометрическое определение общей минерализации природной воды с учетом доминирующих ионов [Текст] / Л. П. Экспериандова, Н. А. Степаненко, И. Б. Щербаков // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2012. - Т. 78, № 3. - С. 16-19. - Библиогр.: с. 18-19 (16 назв. ) . - ISSN 1028-6861

УДК

543.4/.5

ББК 24.46/48
Рубрики: Химия
Физико-химические методы анализа
Кл.слова (ненормированные):
минерализация воды -- кондуктометрия -- гравиметрия -- низкотемпературная направленная кристаллизация -- направленная кристаллизация -- электропроводность -- общая минерализация воды
Аннотация: Проведено сравнительное определение общей минерализации воды методами кондуктометрии, гравиметрии и низкотемпературной направленной кристаллизации.

Доп.точки доступа:
Степаненко, Н. А.; Щербаков, И. Б.

Найти похожие

11.

546
Г 950

Гурбанов, Г. Р.
Диаграмма состояния системы GeSbBiTe[4]-Sb[2]Te[3] [Текст] / Г. Р. Гурбанов // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2011. - Т. 54, вып. 5. - С. 66-68 : 3 табл., 1 рис. - Библиогр.: с. 68 (5 назв. ) . - ISSN 0579-2991

УДК

546

ББК 24.1
Рубрики: Химия
Общая и неорганическая химия в целом
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- электронная проводимость -- халькогениды -- направленная кристаллизация -- твердые растворы -- квазибинарные системы
Аннотация: Впервые изучен характер взаимодействия компонентов в представленной системе. Установлено, что система является квазибинарной. Сплавы из области твердых растворов обладают полупроводниковыми свойствами с электронной проводимостью.

Найти похожие

12.

621.315.592
Б 811

Бондарь, И. В.
Концентрационная зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов Mn[x]Fe[1-x]In[2]S[4] [Текст] / И. В. Бондарь // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 1. - С. 44-47 : ил. - Библиогр.: с. 47 (11 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

539.2^V3

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
запрещенные зоны -- кристаллы тройных соединений -- тройные соединения -- твердые растворы -- направленная кристаллизация -- спектры пропускания -- собственное поглощение -- квадратичная зависимость
Аннотация: На кристаллах тройных соединений MnIn[2]S[4], FeIn[2]S[4] и твердых растворов Mn[x]Fe[1-x]In[2]S[4], выращенных направленной кристаллизацией расплава, исследованы спектры пропускания в области края собственного поглощения. По зарегистрированным спектрам определена ширина запрещенной зоны указанных соединений и их твердых растворов, а также построена ее концентрационная зависимость. Установлено, что ширина запрещенной зоны с составом x изменяется нелинейно и описывается квадратичной зависимостью.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/01/p44-47.pdf

Найти похожие

13.

621.315.592
К 413

Кинетика отклика тока детекторов TlBr в поле gamma-излучения высокой мощности дозы [Текст] / И. М. Газизов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 3. - С. 405-410 : ил. - Библиогр.: с. 409 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

539.2^V3

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
отклики (физика) -- фототоки -- кинетика -- бромид таллия -- TlBr -- кристаллы -- направленная кристаллизация -- метод направленной кристаллизации -- легированные кристаллы -- примесные кристаллы -- катионы -- удельное сопротивление -- фотолиз -- дырочные ловушки
Аннотация: Исследована кинетика отклика фототока легированных и нелегированных образцов TlBr при облучении от gamma-источника {137}Cs мощностью дозы от 0. 033 до 3. 84 Гр/мин. Кристаллы выращивались методом направленной кристаллизации расплава по Бриджмену-Стокбаргеру. Массовая доля вносимой примеси Pb в легированных кристаллах TlBr составляла 1-10 ppm, а примеси Ca - 150 ppm. Рост кристаллов проводился в вакууме, в парах брома, в атмосфере водорода и на воздухе. Для примесных кристаллов, легированных двухвалентными катионами, независимо от атмосферы роста, а также для кристаллов, выращенных в водороде, и кристаллов, выращенных при избытке таллия, наблюдался спад фототока. Постоянная спада фототока tau составляла 30-1400 с и была пропорциональна удельному сопротивлению. Показано, что отклик тока может быть связан с фотолизом в кристаллах TlBr во время gamma-облучения. Проведена оценка энергии дырочных ловушек, ответственных за медленное нарастание фототока, она составила величину 0. 6-0. 85 эВ.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/03/p405-410.pdf

Доп.точки доступа:
Газизов, И. М.; Залетин, В. М.; Кукушкин, В. М.; Кузнецов, М. С.; Лисицкий, И. С.

Найти похожие

14.

621.315.592
Ч-522

Четверные твердые растворы (FeIn[2]S[4]) [x] (MnIn[2]S[4]) [1-x] и фоточувствительные структуры на их основе [Текст] / И. В. Боднарь [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 7. - С. 941-946 : ил. - Библиогр.: с. 945 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
твердые растворы -- четверные твердые растворы -- фоточувствительные структуры -- направленная кристаллизация -- метод направленной кристаллизации -- кристаллы -- гомогенные кристаллы -- шпинель -- линейная зависимость -- квантовая эффективность -- фотопреобразование структур -- комнатная температура -- межзонные переходы -- оптическое излучение -- фотопреобразователи
Аннотация: Методом направленной кристаллизации расплава (FeIn[2]S[4]) [x] (MnIn[2]S[4]) [1-x] выращены гомогенные кристаллы аналогичного атомного состава во всем интервале показателя состава 1>= x>=0. Установлено, что кристаллы непрерывного ряда четверных твердых растворов в диапазоне x=0-1 кристаллизуются в структуре шпинели, причем параметр элементарной ячейки a обнаружил линейную зависимость от значения x. Установлена возможность получения фоточувствительных структур In (Al) / (FeIn[2]S[4]) [x] (MnIn[2]S[4]) [1-x]. Получены спектры относительной квантовой эффективности фотопреобразования впервые созданных структур In (Al) / (FeIn[2]S[4]) [x] (MnIn[2]S[4]) [1-x] при комнатной температуре. Из анализа этих спектров определены энергии прямых и непрямых межзонных переходов для кристаллов твердых растворов (FeIn[2]S[4]) [x] (MnIn[2]S[4]) [1-x] и обсуждается зависимость этих параметров от показателя состава позиционно-разупорядоченных фаз указанных твердых растворов. Сделан вывод о возможностях использования кристаллов растворов (FeIn[2]S[4]) [x] (MnIn[2]S[4]) [1-x] в широкополосных фотопреобразователях оптического излучения.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/07/p941-946.pdf

Доп.точки доступа:
Боднарь, И. В.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Ложкин, Д. В.

Найти похожие

15.

539.2
Ф 815

Фоточувствительные структуры на монокристаллах CuIn[5]Te[8]: создание и свойства [Текст] / И. В. Бондарь [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 5. - С. 617-621 : ил. - Библиогр.: с. 620-621 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2^V3

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фоточувствительные структуры -- монокристаллы -- выращивание кристаллов -- метод направленной кристаллизации -- направленная кристаллизация -- стехиометрия расплава -- халькопирит -- тройные полупроводниковые соединения -- фоточувствительность -- спектры фоточувствительности -- межзонные переходы -- фотопреобразователи -- солнечное излучение
Аннотация: Методом направленной кристаллизации близкого к стехиометрии расплава впервые синтезировано новое тройное соединение и выращены объемные монокристаллы CuIn[5]Te[8]. Из дифрактограмм выращенных кристаллов установлено, что им свойственна структура дефектного халькопирита с параметрами элементарной ячейки CuIn[5]Te[8], которые оказались близкими к известным для тройного соединения CuInTe[2] с индексом состава n=0. На кристаллах CuIn[5]Te[8] созданы первые фоточувствительные структуры, для которых получены спектры фоточувствительности и продемонстрирована возможность достижения широкополосной фоточувствительности при их освещении со стороны барьера. Из анализа спектров фоточувствительности структур определены характер межзонных переходов и отвечающие им значения энергий этих переходов в CuIn[5]Te[8], которые открыли перспективы применения нового полупроводника в фотопреобразователях солнечного излучения.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/05/p617-621.pdf

Доп.точки доступа:
Бондарь, И. В.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И.; Ковальчук, А. М.

Найти похожие

16.

539.2
Т 516

Токовый отклик детектора TlBr в поле источника gamma-излучения {137}Cs [Текст] / И. М. Газизов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 5. - С. 647-651 : ил. - Библиогр.: с. 651 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2^V3

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
токовый отклик -- детекторы -- легированные кристаллы -- кристаллы -- TlBr -- метод направленной кристаллизации -- направленная кристаллизация -- gamma-излучение -- метод Бриджмена - Стокбаргера -- Бриджмена - Стокбаргера метод -- фототоки -- дырочные уровни -- катионы -- бром -- примесные кристаллы
Аннотация: На чистых и легированных кристаллах TlBr, выращенных методом направленной кристаллизации расплава по Бриджмену-Стокбаргеру, измерялся токовый отклик в поле источника gamma-излучения {137}Cs мощностью поглощенной дозы от 0. 033 до 3. 84 Гр/мин в диапазоне напряжений 1-300 В. Весовая доля вносимой примеси Pb в кристаллах TlBr составляла 1-10 млн{-1}, а примеси Ca - 150 млн{-1}. На номинально чистых образцах TlBr отклик фототока достаточно линеен в исследованном диапазоне мощностей доз. Глубокие дырочные уровни, связанные с катионными вакансиями V[c]{-}, определяли зависимость токового отклика от напряжения фототока в больших электрических полях. Были рассчитаны параметры переноса носителей тока mutau для кристаллов TlBr, выращенных в вакууме и в атмосфере брома, произведения mutau составили 4. 3 x 10{-4} и 6. 4 x 10{-5} см{2}B{-1} соответственно. На примесных кристаллах, легированных двухвалентным катионом, величина mutau была в пределах (4-9) x 10{-5} см{2}B{-1}.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/05/p647-651.pdf

Доп.точки доступа:
Газизов, И. М.; Залетин, В. М.; Кукушкин, В. М.; Хрунов, В. С.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)