Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Электронный каталог (16)

Труды ОмГУ (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Михайлов, Н. Н.$<.>)

Общее количество найденных документов : 45
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-45

621.315.592
В 65

Войцеховский, А. В.
Динамика накопления электрически активных радиационных дефектов при имплантации варизонных эпитаксиальных пленок МЛЭ КРТ [Текст] / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2006. - N 9. - С. 25-28. - Библиогр.: с. 25-28 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

ББК 31.15
Рубрики: Энергетика--Энергетические ресурсы
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные пленки; радиационные дефекты; динамика накопления; ионное легирование; накопление радиационных дефектов; имплантация эпитаксиальных пленок
Аннотация: Проведено исследование динамики накопления электрически активных радиационных дефектов при ионном легировании эпитаксиальных пленок Cd[x]Hg[1-x]Te с различным распределеним состава материала в области внедрения имплантанта. Образцы эпитаксиальных пленок облучались ионами бора при комнатной температуре в непрерывном режиме в диапазоне доз 10{11} - 3*10{15} см{-2}, энергий 20-150 кэВ, плотности тока ионов = 0, 001-0, 2мкА*см{-2}. Обнаружено, что натуральный логарифм скорости введения электрически активных радиационных дефектов линейным образом зависит от состава материала эпитаксиальной пленки в области среднего проецированного пробега имплантируемых ионов. Анализ полученных экспериментальных данных показывает, что динамика накопления электрически активных радиационных дефектов определяется составом материала эпитаксиальной пленки в области внедрения имплантируемых ионов.

Доп.точки доступа:
Коротаев, А. Г.; Коханенко, А. П.; Григорьев, Д. В.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Сидоров, Ю. Г.; Михайлов, Н. Н.; Талипов, Н. Х.

Найти похожие

621.315
В 65

Войцеховский, А. В.
Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe (х=0, 21-0, 23 [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 10. - С. 70-80. - Библиогр.: с. 80 (21 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315

ББК 31.24
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений
Кл.слова (ненормированные):
МПД-структуры; дифференциальное сопротивлнение; молекулярно-лучевая эпитаксия; приповерхностные варизонные слои; фотоэлектрические характеристики МПД-структур; варизонные пленки; фотоэдс
Аннотация: Экспериментально исследованы зависимости фотоэдс от напряжения, частоты и температуры для МДП-структур HgCdTe/SiO[2]/Si[3]N[4] и HgCdTi/АОП. МПД-структуры формировались на основе гетероэпитаксиальных варизонных пленок Hg[1-x]Cd[x]Te, выращенных на подложках из GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено влияние приповерхностных варизонных слоев на фотоэлектрические характеристики МПД-структур. Выявлены механизмы, ограничивающие дифференциальное сопротивление области пространственного заряда при разных температурах.

Доп.точки доступа:
Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Васильев, В. В.; Захарьяш, Т. И.; Машуков, Ю. П.

Найти похожие

621.315.592
В 180

Варавин, В. С.
Исследование зависимости электрофизических параметров пленок Cd[x]Hg[1-x]Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, от уровня легирования индием [Текст] / В. С. Варавин, С. А. Дворецкий [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 6. - С. 664-667 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
молекулярно-лучевая эпитаксия -- пленки (физика) -- легирование индием -- фоторезисторные приемники -- фотодиодные приемники
Аннотация: Исследованы зависимости времени жизни неосновных носителей заряда и подвижности электронов от уровня легирования индием в пленках Cd[x]Hg[1-x]Te. Пленки с x~0. 22 были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs и легированы индием в процессе роста по всей толщине. Исследованы температурные зависимости времени жизни в диапазоне температур 77-300 K. Уменьшение времени жизни с ростом уровня легирования определяется механизмом оже-рекомбинации. С увеличением уровня легирования наблюдается снижение подвижности, что качественно соответствует теоретическим расчетам.

Доп.точки доступа:
Дворецкий, С. А.; Икусов, Д. Г.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Сидоров, Г. Ю.; Якушев, М. В.

Найти похожие

621.315.592
С 347

Сидоров, Г. Ю.
Исследование влияния температуры крекинга мышьяка на эффективность его встраивания в пленки CdHgTe в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / Г. Ю. Сидоров, Н. Н. Михайлов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 6. - С. 668-671 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
крекинг -- мышьяк -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- пленки (физика) -- кадмий-ртуть-теллур
Аннотация: Пленки Cd[х]Hg[1-x]Te с x~0. 22 толщиной ~10 мкм выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из арсенида галлия и легировались мышьяком в процессе роста. Активационный отжиг легированных пленок позволил получить p-тип проводимости с концентрацией дырок до 10\{17\} см\{-3\}. Исследовано влияние температуры зоны крекинга источника мышьяка на эффективность встраивания мышьяка в пленку CdHgTe. Предложена модель, описывающая зависимость концентрации мышьяка в пленках от температуры зоны крекинга. Из сопоставления модели и экспериментальных данных следует, что эффективность встраивания двухатомного мышьяка примерно на 2 порядка выше, чем четырехатомного.

Доп.точки доступа:
Михайлов, Н. Н.; Варавин, В. С.; Икусов, Д. Г.; Сидоров, Ю. Г.; Дворецкий, С. А.

Найти похожие

621.315.592
В 526

Вирт, И. С.
CdTe как пассивирующий слой в гетероструктуре CdTe/HgCdTe [Текст] / И. С. Вирт, И. В. Курило [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 7. - С. 788-792 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
пассивирующий слой -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- рентгеновская дифракция
Аннотация: Исследовались гетероструктуры CdTe/Hg[1-x]Cd[x]Te, где CdTe используется как пассивирующий слой, осаждаемый в виде поликристалла или монокристалла на монокристаллическую пленку Hg[1-x]Cd[x]Te. Пленку и пассивирующий слой получали в едином технологическом процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Структуру пассивирующих слоев исследовали методом дифракции электронов высоких энергий на отражение, а влияние структуры пассивирующего слоя на свойства активного слоя - методом рентгеновской дифракции. Механические свойства гетероструктур исследованы методом микротвердости. Представлены электрофизические и фотоэлектрические параметры эпитаксиальных пленок Hg[1-x]Cd[x]Te.

Доп.точки доступа:
Курило, И. В.; Рудый, И. А.; Сизов, Ф. Ф.; Михайлов, Н. Н.; Смирнов, Р. Н.

Найти похожие

Модификация электрических свойств вакансионно-легированных образцов p-HgCdTe при ионном травлении [Текст] / И. И. Ижнин [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 22. - С. 64-71 . - ISSN 0320-0116

УДК

^a53.07

ББК 22.3с
Рубрики: Физика
Физические приборы и методы физического эксперимента
Кл.слова (ненормированные):
вакансионно-легированные образцы -- ионное травление -- электрические свойства
Аннотация: Изучено воздействие ионного травления на электрические свойства вакансионно-легированных образцов. Образцы были изготовлены термическим отжигом гетероструктур, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией, а также монокристаллов и пленки, выращенной жидкофазной эпитаксией.

Доп.точки доступа:
Ижнин, И. И.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Варавин, В. С.; Поцяск, М.; Мынбаев, К. Д.

Найти похожие

Двумерная электронно-дырочная система в квантовой яме на основе HgTe [Текст] / З. Д. Квон [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 87, вып: вып. 9. - С. 588-591 . - ISSN 0370-274Х

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- электронно-дырочные системы -- теллурид ртути -- эффект Холла -- Холла эффект
Аннотация: В квантовой яме, изготовленной на основе теллурида ртути с ориентацией поверхности (013), обнаружена двумерная электронно-дырочная система, состоящая из легких высокоподвижных электронов и более тяжелых и низкоподвижных дырок. Система демонстрирует целый ряд особенностей в классическом магнитотранспорте (положительное магнитосопротивление и знакопеременный эффект Холла) и в режиме квантового эффекта Холла, связанных с одновременным существованием двумерных электронов и дырок.

Доп.точки доступа:
Квон, З. Д.; Ольшанецкий, Е. Б.; Козлов, Д. А.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А.

Найти похожие

Свойства МДП структур на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 11. - С. 1327-1332

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
HgCdTe -- варизонные слои -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МДП структуры -- металл-диэлектрик-полупроводник
Аннотация: Экспериментально исследовано влияние приповерхностных варизонных слоев на электрические характеристики МДП структур, созданных на основе гетероэпитаксиального Hg[1-x]Cd[x]Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии с двухслойным диэлектриком SiO[2]/Si[3]N[4] и анодной окисной пленкой. Показано, что в вольт-фарадных характеристиках структур с варизонными слоями наблюдается большая модуляция емкости (глубина и ширина провала), чем для структур без варизонного слоя. Полевые зависимости фотоэдс МДП структур с варизонными слоями у поверхности имели классический вид и характеризовались спадом только в области обогащения. Для структур без варизонного слоя с x=0. 22 в области сильной инверсии наблюдался спад зависимости фотоэдс от напряжения, обусловленный ограничением дифференциального сопротивления области пространственного заряда процессами туннельной генерации через глубокие уровни. Исследованы свойства границ раздела HgCdTe-диэлектрик.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Васильев, В. В.

Найти похожие

Электрические свойства гетероэпитаксиальных слоев HgCdTe n-типа проводимости, модифицированных ионным травлением [Текст] / М. Поцяск [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 12. - С. 1444-1447

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
HgCdTe -- гетероэпитаксиальные слои -- n-тип проводимости -- ионное травление -- индий -- фотодиодные структуры -- молекулярно-пучковая эпитаксия
Аннотация: Исследованы электрические свойства модифицированных ионным травлением гетероэпитаксиальных слоев HgCdTe n-типа проводимости, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией, нелегированных и легированных в процессе роста индием. Полученные данные позволяют определять количество индия, требуемое для получения воспроизводимой концентрации электронов в n-областях фотодиодных структур на основе HgCdTe, сформированных ионным травлением.

Доп.точки доступа:
Поцяск, М.; Ижнин, И. И.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Варавин, В. С.; Мынбаев, К. Д.; Иванов-Омский, В. И.

Найти похожие

10.

Швец, В. А.
Эллипсометрический in situ контроль квантовых наноструктур с градиентными слоями [Текст] / В. А. Швец, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 11. - С. 41-44. - Библиогр.: c. 44 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- квантовые наноструктуры -- эллипсометрический контроль -- выращивание наноструктур -- КРТ -- рост слоев
Аннотация: Рассмотрены методические вопросы, связанные с эллипсометрическим контролем при выращивании квантовых наноструктур с градиентным распределением состава. Показано, что чувствительность эллипсометрических измерений можно заметно повысить, если использовать при интерпретации данных информацию о производных (dpsi) / (dDelta), которые получают в процессе роста структур. При таком подходе удается различать структуры с различными значениями градиентов состава. При этом кривые, построенные в координатах "параметр Delta-производная (dpsi) / (dDelta) " имеют характерные изломы в тех точках, где наблюдается скачок градиента состава. Сделана оценка точности рассматриваемого подхода применительно к эллипсометрам серии ЛЭФ и показано, что для структур с большим градиентом (delta x/d~0. 5 nm{-1}) возможно его измерение в самом начале роста, когда толщина градиентного слоя не правышает 1 nm.

Доп.точки доступа:
Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.

Найти похожие

11.

Влияние отжига на оптические и фотоэлектрические свойства гетероэпитаксиальных структур Cd[x]Hg[1-x]Te для среднего инфракрасного диапазона [Текст] / А. И. Ижнин [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2009. - Т. 35, вып: вып. 3. - С. 103-110

УДК

^a539.2

^a621.38

ББК 22.37 + 32.85
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Радиоэлектроника
   Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
гетероэпитаксиальные структуры -- Cd[x]Hg[1-x]Te -- постростовая термическая обработка -- инфракрасный диапазон
Аннотация: Исследовано влияние различных видов постростовой обработки (отжиг в атмосфере гелия или парах ртути, а также облучение низкоэнергетическими ионами) на оптические и фотоэлектрические свойства гетероэпитаксиальных структур Cd[x]Hg[1-x]Te, предназначенных для создания фото- и оптоэлектронных устройств среднего инфракрасного диапазона (3-5 mum). Показано, что оптимальным с точки зрения улучшения люминесцентных свойств является отжиг в парах ртути.

Доп.точки доступа:
Ижнин, А. И.; Ижнин, И. И.; Мынбаев, К. Д.; Иванов-Омский, В. И.; Баженов, Н. Л.; Смирнов, В. А.; Варавин, В. С.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Г. Ю.

Найти похожие

12.

Определение нормальной и латеральной компонент темнового тока n-p-фотодиодов на основе гетероэпитаксиальных структур p-Cd[x]Hg[l-x]Te с x=0. 22 [Текст] / Д. Ю. Протасов [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 12. - С. 32-37 : ил. - Библиогр.: с. 37 (13 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a621.375

ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
фотодиоды -- n-p-фотодиоды -- компоненты темнового тока -- темновой ток -- нормальные компоненты темнового тока -- латеральные компоненты темнового тока -- фотоприемники -- матричные фотоприемники -- многоэлементные матричные фотоприемники -- фотоприемники длинноволнового инфракрасного диапазона -- ионы бора -- имплантация -- гетероэпитаксиальные структуры -- гетероэпитаксиальные слои -- ионная имплантация -- p-Cd[x]Hg[l-x]Te -- кадмий -- ртуть -- теллур -- магнитные поля
Аннотация: Проведено исследование зависимости темнового тока фотодиодов многоэлементных матричных фотоприемников длинноволнового инфракрасного диапазона, изготовленных методом имплантации ионов бора в гетероэпитаксиальные слои кадмий-ртуть-теллура, от индукции магнитного поля. Предложен метод раздельного определения латеральной и нормальной компонент темнового тока в таких фотодиодах. Установлено, что для исследуемых фотодиодов, размеры которых сравнимы с длиной диффузии неосновных носителей заряда, темновой ток при 77 K в основном определяется латеральной компонентой.

Доп.точки доступа:
Протасов, Д. Ю.; Костюченко, В. Я.; Павлов, А. В.; Васильев, В. В.; Дворецкий, С. А.; Варавин, В. С.; Михайлов, Н. Н.

Найти похожие

13.

Процессы рассеяния в двумерном полуметалле [Текст] / Е. Б. Ольшанецкий [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып: вып. 6. - С. 338-342

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
двумерные полуметаллы -- HgTe -- квантовые ямы -- механизмы рассеяния
Аннотация: Исследованы механизмы рассеяния в двумерном полуметалле на основе HgTe квантовой ямы, в котором концентрация электронов и дырок управляется в широких пределах приложением затворного напряжения. Показано, что при низких температурах в указанной системе доминирует рассеяние на примесях. Наблюдалось прямое влияние взаимного межчастичного рассеяния (в данном случае электронов и дырок) на сопротивление металла.

Доп.точки доступа:
Ольшанецкий, Е. Б.; Квон, З. Д.; Энтин, М. В.; Магарилл, Л. И.; Михайлов, Н. Н.; Парм, И. О.; Дворецкий, С. А.

Найти похожие

14.

Слабая антилокализация в квантовых ямах на основе HgTe вблизи топологического перехода [Текст] / Е. Б. Ольшанецкий [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 7. - С. 375-378

УДК

^a530.145

ББК 22.314
Рубрики: Физика
Квантовая механика
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- спин-орбитальное взаимодействие -- топологические переходы -- аномальное магнитосопротивление -- прямой зонный спектр -- инвертированный зонный спектр
Аннотация: Обнаружено и исследовано аномальное знакопеременное магнитосопротивление (АМС) в HgTe квантовых ямах, имеющих толщину 5. 8 и 8. 3 нм, то есть вблизи перехода от прямого зонного спектра к инвертированному. Показано, что в ямах с инвертированным спектром обнаруженное АМС хорошо описывается теорией, причем детальное сравнение эксперимента с ней указывает на наличие только кубического члена в спиновом расщеплении электронного спектра. В яме с прямой щелью условия применимости теории не выполняются и, как следствие этого, не удается сделать столь же однозначный вывод. Полученные результаты указывают на существование сильного спин-орбитального взаимодействия в симметричных HgTe квантовых ямах вблизи топологического перехода.

Доп.точки доступа:
Ольшанецкий, Е. Б.; Квон, З. Д.; Гусев, Г. М.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А.; Портал, Дж. С.

Найти похожие

15.

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 2. - С. 40-45. - Библиогр.: c. 45 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.3

^a537.311.33

ББК 31.2 + 22.379
Рубрики: Электротехника в целом
   Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
   Энергетика
Кл.слова (ненормированные):
варизонные слои -- вольт-фарадные характеристики -- диэлектрики -- пассивация поверхности полупроводника -- структура металл - диэлектрик - полупроводник -- теллурид кадмия -- теллурид кадмия ртути
Аннотация: Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика. Определены средние плотности поверхностных состояний, а также плотности подвижного и фиксированного зарядов.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Васильев, В. В.; Якушев, М. В.

Найти похожие

16.

Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев CdHgTe, выращенных на подложках Si [Текст] / К. Д. Мынбаев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 23. - С. 39-46 : ил. - Библиогр.: с. 46 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a539.21:535

^a535.37

ББК 22.374 + 22.345
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- эпитаксиальные слои -- CdHgTe -- подложки (физика) -- Si -- кремний -- твердые растворы -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- GaAs -- арсенид галлия -- спектры люминесценции -- экситоны -- рекомбинация экситона -- донорно-акцепторная рекомбинация -- примеси (физика)
Аннотация: Исследована фотолюминесценция слоев твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из Si. Показано, что разупорядочение твердого раствора в данных слоях не превышает разупорядочения в слоях, выращенных этим же методом на подложках из GaAs. В спектрах люминесценции слоев CdHgTe на подложках из Si наблюдались линии, свойственные структурно-совершенному материалу, в частности, полосы донорно-акцепторной рекомбинации и рекомбинации экситона, связанного на примеси.

Доп.точки доступа:
Мынбаев, К. Д.; Баженов, Н. Л.; Иванов-Омский, В. И.; Смирнов, В. А.; Якушев, М. В.; Сорочкин, А. В.; Варавин, В. С.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Г. Ю.; Дворецкий, С. А.; Сидоров, Ю. Г.

Найти похожие

17.

Фотолюминесценция наногетероструктур на основе CdHgTe [Текст] / К. Д. Мынбаев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 23. - С. 70-77 : ил. - Библиогр.: с. 76-77 (15 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a539.21:535

^a535.37

ББК 22.374 + 22.345
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- гетероструктуры -- наногетероструктуры -- CdHgTe -- подложки (физика) -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- потенциальные ямы -- барьерные слои -- носители (физика) -- размерное квантование носителей -- уровни размерного квантования -- экситоны -- стохастические флуктуации -- эпитаксиальные слои -- экситонная фотолюминесценция -- микроскопические неоднородности
Аннотация: Исследована фотолюминесценция (ФЛ) наногетероструктур Cd[x]Hg[1-x]Te/ Cd[y]Hg[1-y]Te, выращенных на подложках CdTe/ZnTe/GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Ширина потенциальных ям в структурах варьировалась от 12 до 200 nm при составе в яме x~ 0. 25-0. 40 и в барьерных слоях y~ 0. 68-0. 82. В структурах с ямами шириной 33 nm и менее наблюдались переходы между уровнями размерного квантования носителей. В структурах с ямами шириной более 50 nm наблюдалась ФЛ экситонов, локализованных флуктуациями состава, характерная для эпитаксиальных слоев Cd[x]Hg[1-x]Te толщиной более 3 mum. Показано влияние на уширение пика экситонной ФЛ Cd[x]Hg[1-x]Te не только стохастических флуктуаций состава, но и его макроскопических неоднородностей.

Доп.точки доступа:
Мынбаев, К. Д.; Баженов, Н. Л.; Иванов-Омский, В. И.; Шиляев, А. В.; Варавин, В. С.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А.; Сидоров, Ю. Г.

Найти похожие

18.

Спиновое расщепление в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с квантовыми ямами [Текст] / К. Е. Спирин [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 92, вып: вып. 1. - С. 65-68

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
конденсированные среды -- гетероструктуры -- спиновое расщепление -- транспорт эелектронов -- циклотронный резонанс электронов -- осцилляции Шубникова - де Гааза -- Шубникова - де Гааза осцилляции
Аннотация: Исследованы транспорт и циклотронный резонанс электронов в гетероструктуре HgTe/CdHgTe (013) с квантовой ямой шириной 15 нм, имеющей инвертированную зонную структуру, с односторонним селективным легированием. Обнаружены биения осцилляций Шубникова - де Гааза и определена величина спинового расщепления в нулевом магнитном поле, составляющая около 30 мэВ. Обнаружено сильное расщепление линии циклотронного резонанса и показано, что оно обусловлено как спиновым расщеплением, так и сильной непараболичностью закона дисперсии в зоне проводимости.

Доп.точки доступа:
Спирин, К. Е.; Иконников, А. В.; Ластовкин, A. A.; Гавриленко, В. И.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.

Найти похожие

19.

Машуков, Ю. Л.
Электрические характеристики структуры CdTe-n-CdHgTe, полученной в едином процессе молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / Ю. Л. Машуков, Н. Н. Михайлов, В. В. Васильев // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1216-1221 : ил. - Библиогр.: с. 1220 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- структуры -- CdTe-n-CdHgTe -- инверсия -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- акцепторы -- металл-диэлектрик-полупроводник -- МДП -- дырки
Аннотация: Обнаружен необычный вид вольт-фарадных характеристик структуры CdTe-CdHgTe - они имели в области инверсии характерный "горб", высота которого многократно увеличивалась при освещении. Дополнительные измерения с использованием светового зонда, измерения вольт-амперных характеристик, а также анализ зонной диаграммы структуры показали следующее: CdTe в отличие от CdHgTe имеет p-тип проводимости с концентрацией акцепторов 1x10{16} см{-3}; в CdHgTe на границе с CdTe имеется инверсионный слой дырок, который и является причиной появления "горба"; высота барьера для дырок на границе CdTe-Cd[0. 43]Hg[0. 57]Te оказалась равной 0. 13 эВ.

Доп.точки доступа:
Михайлов, Н. Н.; Васильев, В. В.

Найти похожие

20.

341.9
М 690

Михайлов, Н. Н.
Принципы в правовом регулировании международной купли-продажи товаров [Текст] / Н. Н. Михайлов // Арбитражный и гражданский процесс. - 2011. - № 12. - С. 44-47. - Библиогр.: с. 47 (17 назв. ) . - ISSN 1812-383Х

УДК

341.9

ББК 67.93
Рубрики: Право
Международное частное право
Кл.слова (ненормированные):
международная купля-продажа -- арбитражные суды -- принципы Венской конвенции
Аннотация: Проанализирована арбитражная практика Международного коммерческого арбитражного суда при Торгово-промышленной палате РФ с целью выявления принципов правового регулирования Венской конвенции о договорах международной купли-продажи 1980 г.

Найти похожие

1-20 21-40 41-45

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)