Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Галкин, Н. Г.$<.>)

Общее количество найденных документов : 10
Показаны документы с 1 по 10

537
Г 95

Гуральник, А. С.
Простая и эффективная установка для исследований in situ поверхностного магнитооптического эффекта Керра в сверхвысоком вакууме [Текст] / А. С. Гуральник, Н. Г. Галкин [и др.] // Приборы и техника эксперимента. - 2006. - N 6. - С. 100-104. - Библиогр.: с. 104 (4 назв. ) . - ISSN 0032-8162

УДК

537

ББК 22.33
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
ферромагнитные свойства; эффект Керра; Керра эффект; сверхвысокий вакуум; магнитооптический эффект; исследовательские установки
Аннотация: Описано простое и недорогое устройство, достаточно чувствительное для изучения ферромагнитных свойств очень тонких (порядка 0, 5-0, 6 нм) пленок методом поверхностного магнитооптического эффекта Керра в условиях сверхвысокого вакуума.

Доп.точки доступа:
Галкин, Н. Г.; Горошко, Д. Л.; Иванов, В. А.; Маслов, А. М.; Соппа, И. В.; Турчин, Т. В.; Park, W.; Park, Y.

Найти похожие

53
Г 161

Галкин, Н. Г.
Оптические свойства "магических" кластеров, формирующихся в системах In/Si (111) и Cr/Si (111 [Текст] / Н. Г. Галкин, С. А. Доценко, Л. В. Коваль // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 9. - С. 44-52 . - ISSN 0320-0116

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- сверхмалые упорядоченные квантовые точки -- магические кластеры -- индий -- хром -- силициды -- оптические свойства -- наноэлектроника
Аннотация: Приводятся полученные оптические свойства сверхмалых упорядоченных квантовых точек в системах In/Si (111) и Cr/Si (111), имеющих одинаковые размеры и поэтому называющихся магическими кластерами индия и хрома на Si (111). По полученным спектрам определена природа каждого типа магических кластеров. Установлено, что магические кластеры хрома, которые формируются в реактивной системе Cr/Si (111) (т. е. системе металл-Si, в которой происходит химическая реакция между металлом и Si, приводящая к формированию силицида), являются нанокристаллами силицида хрома. Магические кластеры индия (In/Si (111) не реактивная система), напротив, представляют собой поверхностную фазу.

Доп.точки доступа:
Доценко, С. А.; Коваль, Л. В.

Найти похожие

539.2
Г 161

Галкин, Н. Г.
Формирование наноразмерных островков CrSi[2] на Si (111) 7x 7 и покрывающих эпитаксиальных слоев кремния в гетероструктурах Si (111) /нанокристаллиты CrSi[2]/Si [Текст] / Н. Г. Галкин, Т. В. Турчин [и др.] // Журнал технической физики. - 2007. - Т. 77, N 8. - С. 120-126. - Библиогр.: c. 126 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
атомарно-гладкие пленки; гетероструктуры; дисилицид хрома; дифракция медленных электронов; дифференциальная отражательная спектроскопия; молекулярно-лучевая эпитаксия; мультислойные структуры; наноразмерные островки; фотоэлектронная спектроскопия; эпитаксиальные слои
Аннотация: Методами дифракции медленных электронов и дифференциальной отражательной спектроскопии исследован процесс самоформирования наноразмерных островков дисилицида хрома (CrSi[2]) на Si (111). Показано, что полупроводниковая природа островков проявляется с начальных стадий осаждения хрома при температуре подложки 500{o}C, а переход с двумерного механизма роста на трехмерный наблюдается при толщине слоя хрома более 0. 06 nm. Определены максимальная плотность островков и их размеры. Исследована молекулярно-лучевая эпитаксия кремния поверх наноразмерных островков CrSi[2], определена оптимальная температура роста и получены атомарно-гладкие пленки кремния при толщине 50 nm. Методом ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии с ионным травлением на образцах со встроенными нанокристаллитами (НК) доказано формирование валентной полосы и, следовательно, кристаллической структуры CrSi[2]. Выращены эпитаксиальные мультислойные структуры со встроенными НК CrSi[2].

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2007/08/p120-126.pdf

Доп.точки доступа:
Турчин, Т. В.; Горошко, Д. Л.; Доценко, С. А.; Плехов, Е. Д.; Чередниченко, А. И.

Найти похожие

539.2
Г 950

Гуральник, А. С.
Импульсный испаритель для сверхбыстрого осаждения тонких пленок в сверхвысоком вакууме [Текст] / А. С. Гуральник, Н. Г. Галкин [и др.] // Приборы и техника эксперимента. - 2007. - N 3. - С. 132-135. - Библиогр.: с. 135 (2 назв. ) . - ISSN 0032-8162

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
вакуум; сверхвысокий вакуум; импульсные испарители; осаждение; тонкие пленки; твердые тела
Аннотация: Описана конструкция простого импульсного испарителя, обеспечивающего высокие скорости осаждения тонких пленок на поверхность твердого тела в условиях сверхвысокого вакуума.

Доп.точки доступа:
Галкин, Н. Г.; Иванов, В. А.; Иванченко, М. В.; Чусовитин, Е. А.

Найти похожие

621.3
Г 161

Галкин, Н. Г.
Формирование, кристаллическая структура и свойства кремния со встроенными нанокристаллитами дисилицида железа на подложках Si (100 [Текст] / Н. Г. Галкин, Д. Л. Горошко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 9. - С. 1085-1092 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
кремний -- силициды железа -- нанокристаллиты -- поверхность Si (100) -- эффект Холла -- Холла эффект -- атомная силовая микроскопия -- просвечивающая электронная микроскопия -- дифракция медленных электронов
Аннотация: Методами дифракции медленных электронов, измерений эффекта Холла in situ, атомной силовой микроскопией и просвечивающей электронной микроскопией с высоким разрешением изучены формирование островков силицидов железа на поверхности Si (100) - (2x1) и заращивание их кремнием; исследованы электрические свойства и структура кремния со встроенными нанокристаллитами силицидов железа. Наилучшее кристаллическое качество сплошного монокристаллического кремниевого слоя и минимальная шероховатость его поверхности наблюдались при температуре роста кремния 700. C и толщине 100 нм. Предложена модель роста кремния поверх нанокристаллов силицидов железа. Обнаружены два типа формирующихся нанокристаллитов: малые (5-6 нм) бета-FeSi[2] и большие (30-50 нм) гамма-FeSi[2]. Хорошее согласие электрических параметров кремния со встроенными нанокристаллитами дисилицидов железа и атомарно-чистого кремния подтвердило минимальное рассеяние носителей на нанокристаллитах в температурном диапазоне 300-540 K.

Доп.точки доступа:
Горошко, Д. Л.; Полярный, В. О.; Чусовитин, Е. А.; Гутаковский, А. К.; Латышев, А. В.; Khang, Y.

Найти похожие

621.315.592
Г 161

Галкин, К. Н.
Исследование начальных стадий роста Mg на Si (111) при комнатной температуре методами оптической и электронной спектроскопии [Текст] / К. Н. Галкин, С. А. Доценко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 4. - С. 485-491 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
эффект Пельтье -- Пельтье эффект -- полупроводниковые силициды -- дифракция медленных электронов -- силицид магния
Аннотация: С использованием методов дифракции медленных электронов, спектроскопиии характеристических потерь энергии электронами и дифференциальной отражательной спектроскопии исследованы начальные стадии роста пленки Mg на Si (111) при комнатной температуре. В исследованном диапазоне значений толщины пленки магния (h = 0 - 0. 2 нм) обнаружено формирование полупроводникового силицида магния (Mg[2]Si), являющегося перспективным материалом для создания кремний-силицидных термоэлементов. При малой толщине осажденной пленки формируются идентичные кластеры Mg[2]Si. Увеличение количества атомов Mg приводит к формированию двумерных, а затем и трехмерных островков Mg[2]Si. Для всех структур получены спектры функции изменения оптического отклика, являющегося характеристикой их оптических свойств.

Доп.точки доступа:
Доценко, С. А.; Галкин, Н. Г.; Kumar, M.; Govind; Shivaprasad, S. M.

Найти похожие

539.2
Г 161

Галкин, Н. Г.
Влияние толщины слоя хрома на морфологию и оптические свойства гетероструктур Si (111) / нанокристаллиты CrSi[2]/Si (111 [Текст] / Н. Г. Галкин, Т. В. Турчин, Д. Л. Горошко // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 2. - С. 346-354. - Библиогр.: с. 354 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллиты -- гетероструктуры -- дисилицид хрома -- метод дифракции медленных электронов -- метод атомной силовой микроскопии -- метод реактивной эпитаксии
Аннотация: Методами дифракции медленных электронов, атомной силовой микроскопии и оптической спектроскопии на отражение и пропускание исследован рост и оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур Si (111) / нанокристаллиты CrSi[2]/Si (111) на основе низкоразмерных островков дисилицида хрома (CrSi[2]) на Si (111), сформированных методом реактивной эпитаксии с различными толщинами (0. 1, 0. 3, 0. 6, 1. 0 и 1. 5 nm) при температуре 500 градусов с последующим эпитаксиальным ростом кремния при температуре 750 градусов Цельсия. Определены особенности изменения плотности и размеров островков CrSi[2] на поверхности кремния при T=750 градусов Цельсия при увеличении толщины хрома. Установлено, что в гетероструктурах с толщиной хрома от 0. 6 nm и более небольшая часть органенных нанокристаллитов Cr[2]Si[2] выходит на приповерхностную область кремния, что подтверждается данными оптической отражательной спектроскопии и анализом спектральной зависимости коэффициента поглощения. Показано, что существует критический размер нанокристаллитов, вышке которого их движение к поверхности кремния затруднено. Уменьшение плотности вышедших нанокристаллитов при толщинах хрома 1. 0-1. 5 nm связано с формированием более крупных нанокристаллитов в толщине слоя кремния, что и подтверждается данными дифференциальной отражательной спектроскопии.

Доп.точки доступа:
Турчин, Т. В.; Горошко, Д. Л.

Найти похожие

Эпитаксиальный рост кремния на кремнии, имплантированном ионами железа, и оптические свойства полученных структур [Текст] / Н. Г. Галкин [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 2. - С. 84-90. - Библиогр.: c. 90 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксия -- кремний -- ионная имплантация -- очистка кремния -- импульсная ионная обработка -- реконструированные поверхности -- дисилицид железа -- атомарно-гладкие поверхности -- эпитаксиальные пленки -- гладкие пленки
Аннотация: Успешно апробирована методика сверхвысоковакуумной низкотемпературной (T=850{o}C) очистки в потоке атомов кремния монокристаллических образцов кремния с ориентацией (100) и (111), имплантированных низкоэнергетичными (E=40 keV) ионами железа с различными дозами (Phi=1*10{15}-1. 8*10{17} cm{-2}) и подвергнутых импульсной ионной обработке (ИИО). Для образца Si (100), имплантированного максимальной дозой ионов железа, подтверждено формирование фазы полупроводникового дисилицида железа (beta-FeSi[2]) вблизи поверхности после ИИО. Продемонстрирована возможность получения атомарно-гладких и реконструированных поверхностей кремния. Выращены гладкие эпитаксиальные пленки кремния с шероховатостью порядка 1 nm и толщиной до 1. 7 mum на образцах с дозой имплантации до 10{16} cm{-2}. Изучены оптические свойства образцов до и после роста слоев кремния, свидетельствующие о высоком качестве выращенных слоев и отсутствии дисилицида железа на их поверхности.

Доп.точки доступа:
Галкин, Н. Г.; Горошко, Д. Л.; Чусовитин, Е. А.; Полярный, В. О.; Баязитов, Р. М.; Баталов, Р. И.

Найти похожие

Влияние имплантации ионов Cr+ и импульсного ионного отжига на формирование и оптические свойства гетероструктур Si/CrSi[2]/Si (111) [Текст] / Н. Г. Галкин [и др. ] // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 7. - С. 122-130. - Библиогр.: c. 130 (21 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
имплантация ионов -- ионная имплантация -- ионный отжиг -- гетероструктуры -- импульсный ионный отжиг -- кремний -- монокристаллический кремний -- приповерхностные области -- сверхвысоковакуумная очистка -- оптическая отражательная спектроскопия -- спектроскопия комбинационного рассеяния -- хром -- дисилицид хрома -- преципитаты -- эпитаксиальное ориентирование -- поликристаллические преципитаты -- атомарночистые поверхности -- молекулярно-лучевая эпитаксия
Аннотация: Впервые исследовано влияние импульсного ионного отжига (ИИО) на морфологию, структуру и фазовый состав поверхности образцов монокристаллического Si (111), которые были имплантированы ионами хрома (Cr+) с дозами от 6 10{15} до 6 10{16} cm{-2}, и на последующий рост кремния. Показано, что ИИО приводит к перераспределению атомов хрома в приповерхностной области кремния и к синтезу поликристаллических преципитатов дисилицида хрома (CrSi[2]). Установлено, что сверхвысоковакуумная (СВВ) очистка при температуре 850{o}C образцов кремния после имплантации и ИИО приводит к формированию атомарночистой поверхности с развитым рельефом. Рост кремния методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) приводит к эпитаксиальному ориентированию трехмерных островков кремния и постепенному их срастанию при толщине слоя около 100 nm и дозах имплантации до 10{16} cm{-2}. Повышение дозы имплантации приводит к росту поликристаллического кремния. По данным спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) и оптической отражательной спектроскопии, внутри кремния формируются преципитаты полупроводникового CrSi[2], которые диффузионно перемещаются в слой кремния в процессе его роста.

Доп.точки доступа:
Галкин, Н. Г.; Горошко, Д. Л.; Галкин, К. Н.; Ваванова, С. В.; Петрушкин, И. А.; Маслов, А. М.; Баталов, Р. И.; Баязитов, Р. М.; Шустов, В. А.

Найти похожие

10.

538.9
О-754

Особенности структуры и свойств нанопленок бета-FeSi[2] и интерфейса бета-FeSi[2]/Si / А. С. Федоров [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 95, вып. 1. - С. 23-28

УДК

538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
нанопленки -- дисилицид железа -- поверхность (физика) -- анализ плотности электронных состояний -- гетероструктуры -- ферромагнитные металлы -- немагнитные металлы -- полупроводники
Аннотация: В рамках DFT-расчетов проведено моделирование электронной, геометрической и магнитной структуры нанопленок бета-фазы дисилицида железа FeSi[2] с поверхностями (001), (100) и (010). Обнаружена существенная реконструкция поверхности (001), заканчивающейся атомами кремния, сопровождающаяся повышением симметрии поверхности и возникновением "квадратов" из атомов кремния. На основе анализа плотности электронных состояний (DOS), а также спиновой DOS, спроектированной по вкладам слоев атомов (LSDOS), вычислено, что все пластины обладают металлическими свойствами. Исследованы электронная и геометрическая области интерфейса (001) Si/FeSi[2].

Доп.точки доступа:
Федоров, А. С.; Кузубов, А. А.; Кожевникова, Т. А.; Елисеева, Н. С.; Галкин, Н. Г.; Овчинников, С. Г.; Саранин, А. А.; Латышев, А. В.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)