Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=электронные ловушки<.>)

Общее количество найденных документов : 14
Показаны документы с 1 по 14

539.2
П 563

Пономарев, А. Ф.
Термостимулированное переключение в пленках электроактивных полимеров [Текст] / А. Ф. Пономарев, В. А. Красильников, М. Васильев, А. Н. Лачинов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N11. - Библиогр.: 24 назв. . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
пленки -- полидифениленфталид -- полимеры -- термостимулирование -- электроактивные полимеры -- электронное переключение -- электронные ловушки
Аннотация: Проведено исследование электронного переключения в пленках полимера полидифениленфталида, индуцированного термической ионизацией электронных ловушек. Были использованы два метода: термостимулированных токов и токов термостимулированной деполяризации. Установлена корреляция между полученными спектрами. Для интерпретации результатов измерений были использованы результаты измерений температурных зависимостей инфракрасных спектров поглощения в условиях, подобных условиям измерения термостимулированных явлений. Сопоставление полученных результатов позволило идентифицировать электронные ловушки с конкретной молекулярной группой полимера и сделать вывод о важной роли критической концентрации объемного избыточного заряда в возникновении высокопроводящего состояния с полимере.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2003/11/

Доп.точки доступа:
Красильников, В.А.; Васильев, М.; Лачинов, А.Н.

Найти похожие

621.38
Б 946

Буцких, А.
Ловушка для насекомых [Текст] / А. Буцких // Радио. - 2004. - N 4 . - ISSN XXXX-XXXX

УДК

621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
ловушки насекомых -- электронные ловушки -- насекомые -- печатные платы -- схемы принципиальные
Аннотация: Предлагаемая ловушка для ползающих насекомых представляет собой короб, склеенный из листового органического стекла или другой пластмассы с гладкой поверхностью, с присоединенным к нему входным каналом, имеющим восходящий участок, небольшую горизонтальную часть и заканчивающийся на некоторой высоте от дна короба ниспадающий участок. В конце последнего установлены три электрода из алюминиевой фольги, подключенные к выходу генератора высоковольтных (более 100 В) импульсов. Насекомое, привлеченное запахом приманки (ее состав должен быть наиболее привлекательным для него) двигается по входному каналу. Получив удар током, оно на некоторое время "теряет сознание" и падает на дно короба. Выбраться назад по его вертикальным стенкам оно уже не может: .

Найти похожие

Замороженная фотопроводимость в твердых растворах MgZnO [Текст] / А. Я. Поляков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 5. - С. 604-607

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
замороженная проводимость -- твердые растворы -- метод импульсного лазерного распыления -- замороженная фотоемкость -- электронные ловушки
Аннотация: Проведены систематические исследования электрических характеристик и эффектов замороженной проводимости в твердых растворах MgZnO (P), выращенных методом импульсного лазерного распыления на нелегированных подложках n-ZnO. Показано, что в исходных неотложенных слоях наблюдается сильная замороженная проводимость и замороженная фотоемкость, связанные с присутствием электронных ловушек с высоким барьером для захвата электронов. Эти ловушки находятся в нижней половине запрещенной зоны, имеют оптический порог ионизации 2. 8 эВ и высоту барьера для захвата электронов ~0. 4 эВ. Наряду с такими центрами наблюдаются также дырочные ловушки с энергией ионизации 0. 14 эВ. Отжиг при 850 градусов C переводит материал в p-типа проводимости, в котором преобладают акцепторы с энергией активации ~0. 2 эВ, связанные с фосфором. Наблюдается также компенсация проводимости и образование дырочных ловушек с энергией активации 0. 14 и 0. 84 эВ в подложке n-ZnO, что объясняется диффузией акцепторных дефектов в подложку при отжиге.

Доп.точки доступа:
Поляков, А. Я.; Смирнов, Н. Б.; Говорков, А. В.; Кожухова, Е. А.; Kim, H. S.; Norton, D. P.; Pearton, S. J.; Белогорохов, А. И.

Найти похожие

Крутоголов, Ю. К.
Механизм компенсации донорной примеси в приповерхностном слое GaP при термообработке в парах фосфора [Текст] / Ю. К. Крутоголов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 782-789 : ил. - Библиогр.: с. 789 (30 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
вторичная ионная масс-спектрометрия -- ВИМС -- вольт-фарадные измерения -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- газофазная эпитаксия -- метод газофазной эпитаксии -- донорные примеси -- термообработка -- термическая обработка -- пары фосфора -- электронные ловушки -- давление паров -- приповехностные слои -- GaP -- межузельный фосфор
Аннотация: С помощью вторичной ионной масс-спектрометрии и вольт-фарадных измерений изучен механизм образования приповерхностного слоя с низкой концентрацией нескомпенсированных доноров в GaP n-типа проводимости, выращенном методом газофазной эпитаксии и подвергнутом термообработке при различном давлении паров фосфора. Зависимость толщины указанного слоя от давления паров фосфора имеет минимум при давлении (1. 5±0. 5) x10{3} Па. Показано, что при давлениях паров выше указанного подходящим кандидатом на роль компенсирующего акцептора является межузельный фосфор, образующий глубокую электронную ловушку. При низких давлениях вероятным компенсирующим центром является вакансия фосфора, создающая глубокий уровень с энергией E[c]- (0. 21±0. 01) эВ. При 700{o}C эффективный коэффициент диффузии межузельного фосфора составляет ~ (3±1) x10{-15} см{2}/с, а вакансии фосфора ~ (3±1) x10{-14} см{2}/с.

Найти похожие

Формирование продольных нелинейных структур в электронном облаке электронно-струнного ионного источника [Текст] / Е. Д. Донец [и др. ] // Физика плазмы. - 2009. - Т. 35, N 1. - С. 61-69 : 6 рис. - Библиогр.: с. 68-69 (30 назв. ) . - ISSN 0367-2921

ГРНТИ	29.27.23
УДК	^a533.9

ББК 22.333
Рубрики: Физика
Электронные и ионные явления. Физика плазмы
Кл.слова (ненормированные):
плазма -- нелинейные структуры -- ионные источники -- электронно-струнные источники -- электронные пучки -- электронные ловушки -- магнитные поля
Аннотация: Проведено моделирование процесса накопления осциллирующих электронов в электронно-струнном ионном источнике методом частиц в ячейке. Накопление электронов происходит в длинной ловушке при инжекции в нее электронного пучка. Показано, что в ловушке устанавливается цепочка чередующихся фазовых дыр и участков "сжатого состояния".

Доп.точки доступа:
Донец, Е. Д.; Донец, Е. Е.; Сыресин, Е. М.; Дубинов, А. Е.; Макаров, И. В.; Садовой, С. А.; Сайков, С. К.; Тараканов, В. П.

Найти похожие

Далидчик, Ф. И.
Квантовые биения туннельной проводимости наноконтактов [Текст] / Ф. И. Далидчик, С. И. Кубарев, О. А. Пономарев // Химическая физика. - 2009. - Т. 28, N 10. - С. 18-27 : ил. - Библиогр.: с. 26-27 (24 назв. ) . - ISSN 0207-401X

УДК

^a537.533/.534

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
квантовые биения -- туннельная проводимость -- наноконтакты -- теория биений плотности -- электронные плотности -- биокомплексы электронных ловушек -- электронные ловушки -- электронно-фононные взаимодействия -- тяжелые квазичастицы -- квазичастицы -- результаты экспериментов -- биения токов -- сканирующие туннельные микроскопы -- туннельные микроскопы -- зондирование поверхности -- гидроксилированные оксиды титана -- оксиды титана -- алюминий
Аннотация: Построена теория биений электронной плотности в бикомплексе электронных ловушек с сильным электронно-фононным взаимодействием. Получены аналитические выражения, описывающие влияние температуры на частоту обмена "тяжелыми" квазичастицами. Дано объяснение результатам экспериментов, в которых наблюдались интенсивные биения токов сканирующего туннельного микроскопа, зондировавшего поверхности гидроксилированных оксидов титана и алюминия.

Доп.точки доступа:
Кубарев, С. И.; Пономарев, О. А.

Найти похожие

Смит, Дж. Е.
История изобретения с зарядовой связью [Текст] / Дж. Е. Смит // Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180, N 12. - С. 1357-1362 : 19 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 1362 (3 назв. ). - Материалы Нобелевской лекции . - ISSN 0042-1294

ГРНТИ	29.01.09	29.31.29
УДК	^a53(091)	^a621.375

ББК 22.3г + 32.86
Рубрики: Физика
История физики
Геометрическая оптика. Оптические приборы
Кл.слова (ненормированные):
цилиндрические магнитные домены -- приборы с зарядовой связью -- ПЗС -- МОП-конденсаторы -- электронные ловушки -- фотодетекторы -- лекции
Аннотация: Приборы с зарядовой связью (ПЗС) появились на свет в ходе революционного развития структур Si-SiO[2]. Благодаря уникальным свойствам ПЗС произвели свою собственную революцию среди многочисленных применений фотодетекторов.

Найти похожие

533.9
Н 492

Нелинейная динамика продольных структур в электронном облаке коаксиального электронно-струнного ионного источника [Текст] / Е. Д. Донец [и др.] // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 5. - С. 103-110. - Библиогр.: c. 109-110 (29 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

533.9

ББК 22.333
Рубрики: Физика
Электронные и ионные явления. Физика плазмы
Кл.слова (ненормированные):
продольные структуры -- электронные облака -- ионные источники -- источники ионов -- высокозарядные ионы -- электронно-струнные ионные источники -- коаксиальные электронные ловушки -- электронные ловушки -- виртуальные катоды -- сжатое состояние пучка -- фазовые пузыри -- фазовые дыры -- вибрирующие дыры -- летящие дыры -- хаотические дыры -- структуры Берштейна-Грина-Крускала -- Берштейна-Грина-Крускала структуры -- квазичастицы -- PIC-моделирование
Аннотация: Проведено 2. 5-D PIC-моделирование коаксиальной электронной ловушки с внутренним анодным электродом. Было обнаружено, что при достижении циркулирующим током значения предельного вакуумного тока в ловушке формируется виртуальный катод (ВК), а затем сжатое состояние пучка (распределенный ВК). Найдено, что процесс установления сжатого состояния характеризуется сложной нелинейной динамикой, когда участки сжатого состояния чередуются участками двухпотокового состояния (фазовые пузыри). Фазовые дыры по физической природе аналогичны известным в плазме структурам Берштейна-Грина-Крускала. Было обнаружено, три вида фазовых дыр, отличающихся друг от друга своей динамикой (вибрирующие, летящие и хаотические дыры). При рассмотрении фазовых дыр в качестве квазичастиц найдено несколько каналов их взаимодействия при парных столкновениях. Проанализированы перспективы применения коаксиальной ловушки в качестве источника высокозарядных ионов. Несмотря на то что режим со сжатым состоянием пучка дает большее число накопленных электронов по сравнению с обычным двухпотоковым режимом, средняя кинетическая энергия при наличии ВК оказывается существенно сниженной. Предложен метод борьбы с этим снижением, который заключается в увеличении значения предельного вакуумного тока для аксиальной геометрии с внутренним электродом.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/05/p103-110.pdf

Доп.точки доступа:
Донец, Е. Д.; Донец, Е. Е.; Сыресин, Е. М.; Дубинов, А. Е.; Макаров, И. В.; Садовой, С. А.; Сайков, С. К.; Тараканов, В. П.

Найти похожие

537.533/.534
О-754

Особенности накопления электронов в сильноточной электронной ловушке [Текст] / А. Е. Дубинов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 5. - С. 81-86 : ил. - Библиогр.: с. 86 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

537.533/.534^V3

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
электроны -- накопление электронов -- особенности накопления электронов -- электронные ловушки -- сильноточные электронные ловушки -- катоды -- виртуальные катоды -- динамика формирования -- электронные пучки -- сжатые состояния -- физические параметры -- заряды (физика)
Аннотация: Промоделированы симметричная динамика формирования виртуального катода (ВК) и сценарий установления сжатого состояния пучка, а также определены основные физические параметры этого процесса: момент времени рождения ВК и общее число накопленного заряда к этому моменту. Найденный симметричный сценарий качественно отличается от других сценариев, ранее описанных в литературе.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/05/p81-86.pdf

Доп.точки доступа:
Дубинов, А. Е.; Макаров, И. В.; Садовой, С. А.; Сайков, С. К.; Тараканов, В. П.

Найти похожие

10.

539.2
З-780

Зобов, Е. М.
Термическая ионизация электронной ловушки в люминофоре Zn[0.97]Cd[0.03]S(Cu, Cl), облегченная электромодуляцией ее эффективного сечения захвата [Текст] / Е. М. Зобов, М. Е. Зобов, М. А. Ризаханов // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 10. - С. 86-94 : ил. - Библиогр.: с. 93-94 (14 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

539.2^V3

535.37^V3

ББК 22.37 + 22.345
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
электронные ловушки -- термическая ионизация -- люминофоры -- порошкообразные люминофоры -- металлы -- диэлектрики -- металл-диэлектрик-люминофор-металл -- электромодуляция -- стимуляция люминесценции -- электрические поля -- эффект Гуддена - Поля -- Гуддена - Поля эффект -- эффективные сечения
Аннотация: В структуре металл-диэлектрик-люминофор-металл с порошкообразным люминофором Zn[0. 97]Cd[0. 03]S (Cu, Cl) установлен принципиально новый механизм стимуляции люминесценции электрическим полем (эффект Гуддена-Поля). Стимуляция люминесценции, наблюдаемая при последовательном возбуждении структуры светом и электрическим полем, является следствием термической ионизации, облегченной электромодуляцией эффективного сечения захвата электронной ловушки с уровнем E[c]-0. 18 eV.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/10/p86-94.pdf

Доп.точки доступа:
Зобов, М. Е.; Ризаханов, М. А.

Найти похожие

11.

537.311.33
Б 725

Боброва, Е. А.
Глубокие электронные состояния в нелегированном поликристаллическом CdTe, отожженном в жидком кадмии [Текст] / Е. А. Боброва, авт. Ю. В. Клевков // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 7. - С. 894-899 : ил. - Библиогр.: с. 899 (34 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

537.311.33^V3

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
глубокие электронные состояния -- поликристаллы -- нелегированные поликристаллы -- CdTe -- метод нестационарной емкостной спектроскопии -- DLTS-метод -- нестационарная емкостная спектроскопия -- отжиг -- жидкий кадмий -- выращивание кристаллов -- неравновесные условия -- химический синтез -- паровые фазы -- электроны -- концентрация -- электронные ловушки -- глубокие уровни -- ГУ -- собственные точечные дефекты
Аннотация: Методом нестационарной емкостной спектроскопии (DLTS) определен набор глубоких электронных состояний после отжига в жидком кадмии нелегированного поликристалла n-CdTe, выращенного путем химического синтеза из паровой фазы в сильно неравновесных условиях. После отжига концентрация электронов возросла от ~10{8} до 10{15} см{-3}. Доминирующими в спектре DLTS были электронные ловушки с глубокими уровнями E[1]=0. 84±0. 03 эВ и E[2]=0. 71±0. 02 эВ с суммарной концентрацией ~10{14} см{-3}. Обсуждается роль границ зерен и собственных точечных дефектов в формировании глубоких центров и их влияние на величину проводимости в результате отжига. Рассматривается связь уровня E[1] с комплексами собственных точечных дефектов, а уровня E2 с точечным дефектом Cd[i].

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/07/p894-899.pdf

Доп.точки доступа:
Клевков, Ю. В.

Найти похожие

12.

539.2
О-931

Оценка энергетического распределения ловушечных состояний в полимерных пленках [Текст] / А. С. Накаряков [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 12. - С. 2397-2402. - Библиогр.: с. 2402 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
электронные ловушки -- полимерные пленки -- методы термостимулированных токов -- методы вольт-амперных характеристик
Аннотация: Приведены результаты исследования тонких полимерных пленок методами термостимулированных токов и вольт-амперных характеристик. Данные методы позволили обнаружить в запрещенной зоне пленок полидифениленфталида три группы электронных ловушек с максимумами плотности состояния при энергиях 0. 5, 1. 06 и 2. 4 eV относительо дна зоны проводимости. Эти результаты хорошо коррелируют с данными, полученными нами при исследовании спектров возбуждения флуоресценции.

Доп.точки доступа:
Накаряков, А. С.; Лачинов, А. Н.; Пономарев, А. Ф.; Цеплин, Е. Е.; Антипин, В. А.

Найти похожие

13.

544.1
Ш 656

Шишлов, Н. М.
Роль концевых антрахиноновых групп в электронных процессах в полидифениленфталиде / Н. М. Шишлов, авт. С. Л. Хурсан // Доклады Академии наук. - 2013. - Т. 450, № 1, май. - С. 54-57 : 1 рис., 1 табл. - Библиогр. : с. 56-57 (15 назв.) . - ISSN 0869-5652

УДК

544.1

ББК 24.51
Рубрики: Химия
Химическая связь и строение молекул
Кл.слова (ненормированные):
макромолекулы -- электроноакцепторные свойства -- электронные ловушки -- дефектные антроновые звенья -- электроноакцепторные группы -- энергетические уровни -- потенциал Кронига-Пенни -- Кронига-Пенни потенциал
Аннотация: Сравниваются электроноакцепторные свойства основных и некоторых примесных групп в макромолекуле полидифениленфталида.

Доп.точки доступа:
Хурсан, С. Л.

Найти похожие

14.

539.21:535
Т 352

Термолюминесценция анион-дефектных монокристаллов оксида алюминия после высокодозного облучения наносекундными импульсами электронов / С. В. Никифоров [и др.]. // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 2. - С. 92-97. - Библиогр.: c. 96-97 (22 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.21:535

ББК 22.374
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
анион-дефектные монокристаллы -- оксид алюминия -- термолюминесценция -- электронное облучение -- наносекундные импульсы электронов -- импульсные пучки электронов -- электронные пучки -- глубокие ловушки -- глубокие центры -- электронные ловушки -- дырочные ловушки
Аннотация: Исследовано влияние глубоких ловушек, заполняемых импульсным пучком электронов, на термолюминесценцию (ТЛ) дозиметрического пика при 450 K в анион-дефектных монокристаллах оксида алюминия. После заполнения глубоких ловушек дозиметрический пик ТЛ становится неэлементарным и характеризуется сложной зависимостью интенсивности ТЛ от температуры отжига кристаллов с чередующимися участками спада и роста. Проведен анализ влияния заселенности глубоких центров различной природы и энергетической глубины на изменение структуры дозиметрического ТЛ пика. Обосновано предположение, что в диапазонах температур 600-750 и 900-1000 K опустошаются преимущественно электронные ловушки, а при T=780-900 и свыше 1000 K - дырочные. Показана возможность использования ТЛ глубоких ловушек для высокодозной дозиметрии импульсных пучков электронов.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/02/p92-97.pdf

Доп.точки доступа:
Никифоров, С. В.; Кортов, В. С.; Звонарев, С. В.; Моисейкин, Е. В.; Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина; Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина; Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина; Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)