Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=спейсерные слои<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Оптическая анизотропия InAs квантовых точек [Текст] / С. А. Блохин [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 23. - С. 24-30 : ил. - Библиогр.: с. 30 (6 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a539.21:535

^a621.375

ББК 22.374 + 32.86
Рубрики: Физика
   Оптические свойства твердых тел
   Радиоэлектроника
   Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- InAs -- арсенид индия -- GaAs -- арсенид галлия -- спектроскопия -- фотолюминесценция -- оптическая анизотропия -- поляризационные исследования -- непрерывное осаждение -- субмонослойное осаждение -- сингулярные поверхности -- спейсерные слои -- линейная поляризация -- режимы осаждения -- излучения -- кристаллографические направления
Аннотация: С помощью спектроскопии фотолюминесценции проведены поляризационные исследования InAs квантовых точек (КТ), синтезированных с помощью непрерывного либо субмонослойного осаждения InAs на сингулярной поверхности GaAs (100). Обнаружено, что изолированный массив КТ, сформированных в режиме непрерывного осаждения, обладает слабой (<1-2%) оптической анизотропией, тогда как вертикальное совмещение подобных КТ (спейсерные слои менее 15 mm) приводит к 8%-ной линейной поляризации вдоль кристаллографического направления [011]. В случае КТ, сформированных в режиме субмонослойного осаждения, выявлена сильная (17-20%) оптическая анизотропия излучения с основного и возбужденных состояний КТ вдоль кристаллографического направления [011].

Доп.точки доступа:
Блохин, С. А.; Надточий, А. М.; Красивичев, А. А.; Карачинский, Л. Я.; Васильев, А. П.; Максимов, М. В.; Жуков, А. Е.; Леденцов, Н. Н.; Устинов, В. М.

Найти похожие

Ремнев, М. А.
Влияние спейсерных слоев на вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода [Текст] / М. А. Ремнев, И. Ю. Катеев, В. Ф. Елесин // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1068-1073 : ил. - Библиогр.: с. 1072-1073 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
резонансно-туннельные диоды -- РТД -- спейсерные слои -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- спейсеры эмиттера -- уравнения Шредингера -- Шредингера уравнения -- отрицательная дифференциальная проводимость -- ОДП -- двуямная наноструктура -- ДНС
Аннотация: При помощи численного решения уравнения Шредингера получены вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода со спейсерными слоями (спейсерами). Построены зависимости пикового тока резонансно-туннельного диода от ширины спейсера эмиттера. Показано, что пиковый ток зависит периодическим образом от ширины спейсера эмиттера. Построенные диаграммы плотности электронов показали, что увеличение пикового тока связано с резонансным уровнем в области спейсера эмиттера.

Доп.точки доступа:
Катеев, И. Ю.; Елесин, В. Ф.

Найти похожие

Анализ механизмов эмиссии носителей в p-i-n-структурах с квантовыми точками In (Ga) As [Текст] / Е. С. Шаталина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 10. - С. 1352-1356 : ил. - Библиогр.: с. 1356 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- КТ -- спектроскопия фототоков -- фототоки -- эмиссия носителей зарядов -- носители зарядов -- энергетические уровни -- спейсерные слои -- термическая активация -- термоактивация -- p-i-n структуры -- In (Ga) As
Аннотация: С помощью спектроскопии фототока исследованы механизмы эмиссии носителей заряда с энергетических уровней квантовых точек (In, Ga) As/ (Al, Ga) As различной конструкции. Показано, что для изолированных слоев квантовых точек, разделенных широкими спейсерными слоями (Al, Ga) As, основным механизмом эмиссии носителей из квантовых точек является термическая активация. При малой ширине спейсерного слоя (Al, Ga) As, когда происходит электронное связывание отдельных слоев квантовых точек в вертикальном направлении, возрастает роль туннельного механизма эмиссии носителей между вертикально связанными квантовыми точками.

Доп.точки доступа:
Шаталина, Е. С.; Блохин, С. А.; Надточий, А. М.; Паюсов, А. С.; Савельев, А. В.; Максимов, М. В.; Жуков, А. Е.; Леденцов, Н. Н.; Ковш, А. Р.; Михрин, С. С.; Устинов, В. М.

Найти похожие

539.2
М 695

Михеев, В. М.
Влияние формы структурного фактора на электронную подвижность невырожденных 2D-электронов / В. М. Михеев // Физика твердого тела. - 2014. - Т. 56, вып. 3. - С. 529-535 : 7 рис. - Библиогр. в конце ст. (13 назв.) . - ISSN 0367-3294

ГРНТИ	29.19
УДК	539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кристаллография в целом -- невырожденные 2D-электроны -- примесные ионы -- рассеяние нейтронов -- спейсерные слои -- структурные факторы -- электронная подвижность
Аннотация: Рассмотрены случаи, когда с ростом температуры начинает преобладать влияние первого максимума структурного фактора на рассеяние электронов. При этом подвижность 2D-электронов уменьшается с увеличением корреляций в пространственном распределении примесных ионов. Исследуется влияние величины корреляций и ширины спейсерного слоя на этот эффект.

Доп.точки доступа:
Институт физики металлов УрО РАН (Екатеринбург)

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)