Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=оптические переходы<.>)

Общее количество найденных документов : 50
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-50

535.37
К 60

Колачевский, Н. Н.
Лабораторные методы поиска дрейфа постоянной тонкой структуры [Текст] / Н. Н. Колачевский // Успехи физических наук. - 2004. - Т. 174, N 11. - С. 1171-1190. - Библиогр.: с. 1189-1190 (74 назв. ). - ил.: 12 рис., 7 табл. . - ISSN 0042-1294

УДК

535.37

539.123

530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика--Теоретическая физика--Оптика
Кл.слова (ненормированные):
обзоры -- тонкие структуры -- спектроскопические измерения -- электромагнитные взаимодействия -- оптические переходы
Аннотация: Представлены результаты современных прецизионных спектроскопических экспериментов, базирующихся на измерениях частот атомных переходов в различных атомных системах. Комбинируя результаты лабораторных спектроскопических измерений, можно разделить вклады электромагнитного и сильного взаимодействия.

Перейти: http://data.ufn.ru//ufn04/ufn04_11/Russian/r0411b.pdf

Найти похожие

Фоточувствительность поверхностно-барьерных и точечных структур на монокристаллах Cd[1-x]Mn[x]Te [Текст] / Г. А. Ильчук [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 6. - С. 49-53. - Библиогр.: c. 53 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
фоточувствительность -- поверхностно-барьерные структуры -- точечные структуры -- твердые растворы -- алмазоподобные полупроводники -- магнитные полупроводники -- оптические переходы
Аннотация: Предложены и впервые получены два новых типа фоточувствительных структур на монокристаллах твердых растворов алмазоподобных магнитных полупроводников Cd[1-x]Mn[x]Te (x=0-0. 7). Выполнены исследования фотоэлектрических свойств поверхностно-барьерных In/Cd[1-x]Mn[x]Te и сварных структур св/Cd[1-x]Mn[x]Te при T=300 K. Проведен сопоставительный анализ закономерностей спектров фоточувствительности полученных структур, что позволило определить характер межзонных оптических переходов и значения ширины запрещенной зоны в кристаллах Cd[1-x]Mn[x]Te. Сделан вывод о возможности применения полученных структур в разработках приборов магнитной фотоэлектроники.

Доп.точки доступа:
Ильчук, Г. А.; Петрусь, Р. Ю.; Николаев, Ю. А.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И.

Найти похожие

Калугин, А. И.
Теоретические спектры диэлектрической проницаемости изоэлектронных кристаллов Ge, GaAs, ZnSe и CuBr [Текст] / А. И. Калугин, В. В. Соболев // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 9. - С. 97-100

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрическая проницаемость -- метод тетраэдров -- зона Бриллюэна -- Бриллюэна зона -- оптические переходы
Аннотация: Выполнены детальные теоретические исследования электронной структуры изоэлектронного ряда кристаллов Ge, GaAs, ZnSe, CuBr. Методом LAPW рассчитаны зоны. Найдены общие и парциальные плотности состояний, а также рассчитаны спектры диэлектрической проницаемости методом тетраэдров. Определена природа максимумов полос спектров эпсилон[2] и их зависимость от природы химической связи.

Доп.точки доступа:
Соболев, В. В.

Найти похожие

Новые книги по физике и смежным наукам [Текст] / материал подгот. Е. В. Захарова // Успехи физических наук. - 2008. - Т. 178, N 9. - С. 1015 . - ISSN 0042-1294

УДК

^a011/016

ББК 91
Рубрики: Литература универсального содержания
Библиографические пособия
Кл.слова (ненормированные):
сверхпроводимость -- электрические дуги -- кристаллические матрицы -- оптические переходы -- кавитация -- турбулентные течения -- лазерная спектроскопия
Аннотация: Представлен аннотированный список литературы по физике и смежным наукам.

Доп.точки доступа:
Захарова, Е. В. \.\

Найти похожие

Фальковский, Л. А.
Особенности диэлектрической функции InN в области прямого оптического перехода [Текст] / Л. А. Фальковский // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып: вып. 5. - С. 274-278

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
InN -- диэлектрическая проницаемость -- оптические переходы
Аннотация: Рассмотрена дисперсия диэлектрической проницаемости InN со структурой вюрцита в области частот вблизи фундаментальной энергетической щели с учетом влияния температуры и концентрации носителей. Линейность электронного спектра в широкой энергетической области приводит к логарифмической сингулярности у вещественной части диэлектрической функции, связанной с прямыми электронными переходами, и соответственно, к аномально большой величине диэлектрической постоянной. Мнимая часть выходит на плато выше порога поглощения. Рассчитанные без всяких подгоночных параметров значения хорошо согласуются с экспериментом и вычислениями из первых принципов.

Найти похожие

Dmitruk, N. L.
Physical nature of anomalous optical transmission of thin absorptive corrugated films [Text] / N. L. Dmitruk, A. V. Korovin // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып: вып. 2. - С. 75-79

УДК

^a535

ББК 22.34
Рубрики: Физика
Оптика в целом
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- поглощающие пленки -- оптические переходы -- аномальные оптические переходы

Доп.точки доступа:
Korovin, A. V.

Найти похожие

Quasi-direct optical transitions in Ge nanocrystals embedded in GeO[2] matrix [Text] / V. A. Volodin [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып: вып. 2. - С. 84-88

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы -- германий -- GeO[2] -- оптические переходы -- квазипрямые оптические переходы

Доп.точки доступа:
Volodin, V. A.; Gorokhov, E. B.; Marin, D. V.; Rinnert, H.; Miska, P.; Vergnat, M.

Найти похожие

Размерный эффект при генерации оптической второй гармоники кремниевыми наночастицами [Текст] / О. А. Акципетров [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 2. - С. 72-76

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
аморфный кремний -- композитный слой -- спектры интенсивности излучения -- оптическая вторая гармоника -- кристаллический кремний -- нанокристаллиты -- размерные эффекты -- структурные дефекты -- оптические переходы
Аннотация: В измеренных при комнатной температуре спектрах интенсивности излучения второй гармоники, генерируемой при отражении от композитного слоя аморфного кремния с включениями кристаллического кремния (нанокристаллитами), обнаружен размерный эффект: при уменьшении среднего размера нанокристаллитов от 100 до 30~нм спектральный пик вблизи 3. 3~эВ сдвигается в коротковолновую область на 0. 12~эВ, при этом ширина пика возрастает в полтора раза. В качестве возможного механизма этого эффекта обсуждается влияние структурных дефектов на параметры оптических переходов в нанокристаллитах.

Доп.точки доступа:
Акципетров, О. А.; Бессонов, В. О.; Никулин, А. А.; Гун, Ц.; Хуан, С.; Чень, К.

Найти похожие

Талочкин, А. Б.
Продольная фотопроводимость многослойных Ge/Si-структур с квантовыми точками Ge [Текст] / А. Б. Талочкин, И. Б. Чистохин, В. А. Марков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1034-1038 : ил. - Библиогр.: с. 1038 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- КТ -- квантовые точки Ge -- КТ Ge -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- структуры -- Ge/Si-структуры -- многослойные Ge/Si-структуры -- фотопроводимость -- продольная фотопроводимость -- латеральная фотопроводимость -- спектры фотопроводимости -- фотоотклик -- оптические переходы -- дырочные уровни -- электронные состояния -- энергетическая диаграмма -- квантовый ящик
Аннотация: Исследованы спектры продольной фотопроводимости многослойных Ge/Si-структур с квантовыми точками Ge, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Наблюдался фотоотклик в диапазоне энергий 1. 1-0. 3 эВ при T=78 K, связанный с оптическими переходами между дырочными уровнями квантовых точек и электронными состояниями Si. Показано, что основной вклад в латеральную фотопроводимость дают электронные состояния, локализованные в области изгиба зон Si вблизи Ge/Si границы раздела. Применение модели квантового ящика для описания дырочных уровней квантовых точек позволило понять происхождение пиков, наблюдаемых в спектрах фотопроводимости. Построена подробная энергетическая диаграмма дырочных уровней квантовых точек и оптических переходов в Ge/Si-структурах с напряженными квантовыми точками Ge.

Доп.точки доступа:
Чистохин, И. Б.; Марков, В. А.

Найти похожие

10.

Напряженные структуры GaAsSb/GaAs с квантовыми ямами для лазеров диапазона 1. 3 мкм [Текст] / Ю. Г. Садофьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 422-429 : ил. - Библиогр.: с. 428-429 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.232
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- GaAsSb/GaAs -- напряженные гетероструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- лазеры -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- гетеропереходы -- импульсное возбуждение -- оптические переходы
Аннотация: Найдены оптимальные режимы роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaAs[1-x]Sbx/GaAs и показано, что за счет увеличения встраивания сурьмы эффективная длинноволновая фотолюминесцения при T=300 K может быть получена вплоть до lambda=1. 3 мкм. С ростом мощности возбуждения, кроме характерного для гетероперехода II рода коротковолнового сдвига максимума интенсивности фотолюминесценции, обнаружено возникновение коротковолновой линии, связываемой с прямыми в реальном пространстве оптическими переходами, что подтверждается результатами исследования спектров фотолюминесценции с субпико- и наносекундным временным разрешением при импульсном возбуждении.

Доп.точки доступа:
Садофьев, Ю. Г.; Samal, N.; Андреев, Б. А.; Гавриленко, В. И.; Морозов, С. В.; Спиваков, А. Г.; Яблонский, А. Н.

Найти похожие

11.

Шкляев, А. А.
Фотолюминесценция в области длин волн 1. 5-1. 6 мкм слоев кремния с высокой концентрацией кристаллических дефектов [Текст] / А. А. Шкляев, А. В. Латышев, М. Ичикава // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 4. - С. 452-457 : ил. - Библиогр.: с. 457 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- ФЛ -- длина волны -- кремний -- наноструктурированный кремний -- кристаллические дефекты -- дефекты -- концентрация дефектов -- рекомбинация -- центры рекомбинации -- мощность накачки -- оптические переходы
Аннотация: Исследована фотолюминесценция слоев наноструктурированного кремния, который излучает в диапазоне длин волн 1. 5-1. 6 мкм в результате оптических переходов на глубокие уровни центров рекомбинации, созданные кристаллическими дефектами. Показано, что зависимость интенсивности фотолюминесценции от плотности мощности накачки хорошо описывается моделью с глубокими уровнями одного типа. Обнаружен сдвиг пика фотолюминесценции в область коротких волн при увеличении плотности мощности накачки. Сдвиг свидетельствует об изменениях степени заполнения глубоких уровней, которые происходят в условиях переноса носителей между центрами рекомбинации.

Доп.точки доступа:
Латышев, А. В.; Ичикава, М.

Найти похожие

12.

Гастев, С. В.
Лазерная спектроскопия кубического центра Eu{3+} в объемном монокристалле CaF[2] [Текст] / С. В. Гастев, J. K. Choi, R. J. Reeves // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 1. - С. 43-47. - Библиогр.: с. 47 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
лазерная спектроскопия -- объемные монокристаллы -- оптические переходы -- комбинированные спектры возбуждения -- спектры фотолюминесценции -- импульс возбуждения -- энергия штарковских подуровней
Аннотация: Оптические переходы {5}D[0, 1] - {7}F[J] (J = 0, 1,..., 6) кубического центра Eu{3+} в CaF{2} исследованы с помощью регистрации комбинированных спектров возбуждения и фотолюминесценции при различных временных задержках после окончания импульса возбуждения. Определены энергии штарковских подуровней оснвоного состояния {7}F[J].

Доп.точки доступа:
Choi, J. K.; Reeves, R. J.

Найти похожие

13.

Дымников, В. Д.
Спин-орбитальное смешивание в полупроводниках А{III} В{V} в Г-точке [Текст] / В. Д. Дымников, О. В. Константинов // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 4. - С. 654-660. - Библиогр.: с. 660 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
спин-орбитальные смешивание -- пятизонная модель -- матричные элементы -- параметр Латтинжера -- Латтинжера параметр -- оптические переходы -- коэффициент поглощения
Аннотация: В рамках пятизонной модели впервые проанализированы следствия теории спин-орбитального смешивания в полупроводниках A[3]B[5] в Г-точке. Установлена формула для оптического матричного элемента, связывающего зоны Г[7] Г[8], выражающая его через известный параметр Латтинжера q. До сих пор считалось, что этот оптический матричный элемент равен нулю, а переход запрещен. Обсуждается роль такого перехода эксперименте по поглощению фотонов свободными дырками в р-GaSb.

Доп.точки доступа:
Константинов, О. В.

Найти похожие

14.

Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs n-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний [Текст] / Д. А. Фирсов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1443-1446 : ил. - Библиогр.: с. 1445-1446 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
резонансные состояния -- квантовые ямы -- КЯ -- терагерцовое излучение -- спектры терагерцового излучения -- фотопроводимость -- излучение -- электрические поля -- примесные состояния -- энергетические спектры -- квантование -- оптические переходы -- электроны -- GaAs/AlGaAs
Аннотация: В структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs исследованы спектры эмиссии терагерцового излучения в продольном электрическом поле и спектры латеральной фотопроводимости при облучении терагерцовым излучением. Показано, что в спектрах присутствуют особенности, вызванные переходами электронов с участием резонансных состояний примеси, связанных со второй подзоной размерного квантования. Проведенные расчеты энергетического спектра примесных состояний и матричных элементов оптических переходов с учетом различных положений примеси относительно центра квантовой ямы подтверждают сделанные предположения.

Доп.точки доступа:
Фирсов, Д. А.; Шалыгин, В. А.; Паневин, В. Ю.; Мелентьев, Г. А.; Софронов, А. Н.; Воробьев, Л. Е.; Андрианов, А. В.; Захарьин, А. О.; Михрин, В. С.; Васильев, А. П.; Жуков, А. Е.; Гавриленко, Л. В.; Гавриленко, В. И.; Антонов, А. В.; Алешин, В. Я.

Найти похожие

15.

621.371.8
В 586

Влияние ширины барьера в структуре с двумя асимметричными связанными квантовыми ямами на область существования пассивной синхронизации мод [Текст] / М. С. Буяло [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 7. - С. 31-39 : ил. - Библиогр.: с. 38-39 (10 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

621.371.8^V3

621.382^V3

ББК 32.86-5 + 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовые приборы
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
лазеры -- полупроводниковые лазеры -- двухсекционные полупроводниковые лазеры -- квантовые ямы -- асимметричные связанные квантовые ямы -- связывание ям -- туннельное связывание -- синхронизация мод -- пассивная синхронизация -- исследования -- оптические переходы -- лазерные структуры -- спектры поглощения -- обратные смещения -- малые обратные смещения
Аннотация: Исследованы двухсекционные полупроводниковые лазеры с активной областью, состоящей из двух квантовых ям InGaAs различной ширины, разделенных барьером GaAs. При толщине барьера 2 nm происходит туннельное связывание ям, что обусловливает наличие непрямого оптического перехода между ними. Соответствующий этому переходу пик в спектре поглощения лазерной структуры приводит к дополнительной области существования режима пассивной синхронизации мод при малых обратных смещениях на поглощающей секции.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/07/p31-39.pdf

Доп.точки доступа:
Буяло, М. С.; Горбацевич, А. А.; Егоров, А. Ю.; Гаджиев, И. М.; Бакшаев, И. О.; Задиранов, Ю. М.; Ильинская, Н. Д.; Портной, Е. Л.

Найти похожие

16.

539.21:535
П 164

Панкратов, И. С.
Исследование прямых оптических переходов в монокристаллах кремния по спектрам пропускания [Текст] / И. С. Панкратов, Р. П. Сейсян, А. А. Шорохов // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 13. - С. 1-7 : ил. - Библиогр.: с. 7 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

539.21:535

535.2/.3

ББК 22.374 + 22.343
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
оптические переходы -- прямые оптические переходы -- кремний -- монокристаллический кремний -- монокристаллы -- спектры пропускания -- экспериментальные исследования -- эмпирические формулы -- оптическая плотность -- спектральная зависимость -- седловые точки -- энергия прямого перехода -- сингулярности Ван Хова -- Ван Хова сингулярности -- зоны проводимости
Аннотация: Экспериментально получен спектр пропускания монокристаллического Si в области 2. 75-3. 25 eV. Предложена эмпирическая формула, описывающая спектральную зависимость оптической плотности. Определена энергия прямого перехода в седловой точке E (Gamma[15]) -E (Gamma[25']) =3. 43 eV. Анализом спектральной зависимости показано, что наблюдаемое поглощение соответствует прямым переходам в сингулярность Ван Хова зоны проводимости M[1].

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/13/p1-7.pdf

Доп.точки доступа:
Сейсян, Р. П.; Шорохов, А. А.

Найти похожие

17.

621.315.592
В 586

Влияние возбужденного оптического перехода на фактор уширения спектральной линии лазеров на квантовых точках [Текст] / А. Е. Жуков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 2. - С. 235-240 : ил. - Библиогр.: с. 239 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

535.2/.3^V3

ББК 31.233 + 22.343
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
спектральные линии -- лазеры -- квантовые точки -- КТ -- оптические потери -- фотоны -- плотность фотонов -- оптические переходы -- плотность состояний -- показатели преломления -- генерация
Аннотация: Получено аналитическое выражение для фактора уширения спектральной линии лазера на основе квантовых точек, позволяющее в явном виде описать его зависимость от оптических потерь и плотности фотонов. Модель учитывает изменения показателя преломления на основном оптическом переходе вследствие изменения поглощения/усиления на первом возбужденном переходе квантовых точек. Показано, что уменьшение оптических потерь, увеличение насыщенного усиления, а также увеличение энергетического разделения между возбужденным и основным переходами приводит к снижению alpha-фактора как на пороге, так и за порогом генерации.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/02/p235-240.pdf

Доп.точки доступа:
Жуков, А. Е.; Савельев, А. В.; Максимов, М. В.; Шерняков, Ю. М.; Аракчеева, Е. М.; Зубов, Ф. И.; Красивичев, А. А.; Крыжановская, Н. В.

Найти похожие

18.

621.315.592
О-754

Особенности одновременной генерации через основное и возбужденное состояния в лазерах на квантовых точках [Текст] / А. Е. Жуков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 2. - С. 241-246 : ил. - Библиогр.: с. 245 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

535.2/.3^V3

ББК 31.233 + 22.343
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
лазерная генерация -- спектры генерации -- квантовые точки -- КТ -- спонтанное излучение -- оптические переходы -- лазеры -- плотность тока -- возбужденное состояние (физика)
Аннотация: Исследованы спектры генерации и ватт-амперные характеристики лазера на основе квантовых точек InAs/InGaAs, излучающего в режиме одновременной генерации на основном и возбужденном оптических переходах, а также проведено сопоставление спектров лазерной генерации и спонтанного излучения. Показано, что гашение генерации на основном переходе наблюдается и в отсутствие саморазогрева активной области, а также при отсутствии возрастания однородного уширения с ростом плотности тока. Обнаружено, что спад интенсивностей как лазерной генерации, так и спонтанного излучения, происходящих на основном переходе, начинается при накачке, заметно превышающей порог двухуровневой генерации. Также обнаружено, что в лазерную генерацию на основном и первом возбужденном оптических переходах вовлечены разные группы квантовых точек.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/02/p241-246.pdf

Доп.точки доступа:
Жуков, А. Е.; Максимов, М. В.; Шерняков, Ю. М.; Лившиц, Д. А.; Савельев, А. В.; Зубов, Ф. И.; Клименко, В. В.

Найти похожие

19.

539.2
Б 811

Бондарь, И. В.
Спектры пропускания пленок тройного соединения CuGa[3]Se[5] в области края собственного поглощения [Текст] / И. В. Бондарь // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 4. - С. 453-455 : ил. - Библиогр.: с. 455 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2^V3

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
лазерное осаждение -- метод лазерного осаждения -- температура подложки -- подложки -- тройные соединения -- пленки тройного соединения -- кристаллы -- спектры пропускания пленок -- собственное поглощение -- халькопирит -- оптические переходы -- модель Хопфилда -- Хопфилда модель -- валентные зоны -- спин-орбитальные расщепления
Аннотация: Методом лазерного осаждения при температурах подложки 480 и 580 K получены пленки тройного соединения CuGa[3]Se[5]. Исследован их состав и структура. Установлено, что как кристаллы, так и пленки соединения CuGa[3]Se[5] кристаллизуются в структуре дефектного халькопирита. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения определены значения энергий оптических переходов и их природа. В соответствии с квазикубической моделью Хопфилда рассчитаны величины энергий кристаллического (Delta[cr]) и спин-орбитального (Delta[SO]) расщепления валентной зоны для тройного соединения CuGa[3]Se[5].

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/04/p453-455.pdf

Найти похожие

20.

621.315.592
Н 701

Ницук, Ю. А.
Исследование примесной фотопроводимости и люминесценции в кристаллах ZnSe:Ni в видимой области спектра [Текст] / Ю. А. Ницук, Ю. Ф. Ваксман, В. В. Яцун // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 10. - С. 1288-1292 : ил. - Библиогр.: с. 1291-1292 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

543.4/.5

ББК 31.233 + 24.46/48
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
примесная фотопроводимость -- фотопроводимость -- спектры фотопроводимости -- люминесценция -- спектры люминесценции -- фотолюминесценция -- кристаллы -- оптические переходы -- электроны -- высокоэнергетические возбужденные состояния -- термические переходы -- фотоионизация -- примесь никеля -- никель -- Ni -- собственное поглощение -- легирование никелем -- ионы -- экспериментальные исследования -- анализ спектров
Аннотация: Проведены исследования спектров фотопроводимости и фотолюминесценции кристаллов ZnSe: Ni в видимой области спектра. Установлено, что высокотемпературная примесная фотопроводимость кристаллов ZnSe: Ni обусловлена оптическими переходами электронов с основного состояния {3}T[1] (F) на высокоэнергетические возбужденные состояния с последующим термическим переходом электронов в зону проводимости. Обнаружена полоса фотопроводимости, обусловленная фотоионизацией примеси никеля. Эффективное возбуждение внутрицентровой люминесценции кристаллов ZnSe: Ni осуществляется светом из области собственного поглощения ионов Ni{2+}.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/10/p1288-1292.pdf

Доп.точки доступа:
Ваксман, Ю. Ф.; Яцун, В. В.

Найти похожие

1-20 21-40 41-50

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)