Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=оксидные слои<.>)

Общее количество найденных документов : 23
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-23

669
Г 371

Герасимов, М. В.
Оксидирование аморфных сплавов на основе кобальта и железа в щелочном электролите [Текст] / М. В. Герасимов, О. В. Трубников, В. Ю. Васильев // Физика и химия обработки материалов. - 2004. - N 6 . - ISSN 0015-3214

УДК

669

ББК 34.3
Рубрики: Машиностроение--Металлургия. Металлы и сплавы
Кл.слова (ненормированные):
оксидирование -- аморфные сплавы -- кобальт -- железо -- щелочные электролиты -- электролиты -- метод спиннингования -- спиннингование -- резистивные оксидные слои -- оксидные слои -- магнитомягкие материалы
Аннотация: Изучено электрохимическое поведение аморфных сплавов на основе железа и кобальта и кристаллического кобальта при оксидировании в щелочном электролите.

Доп.точки доступа:
Трубников, О. В.; Васильев, В. Ю.

Найти похожие

667
Ф 333

Федорова, Е. А.
Свойства поверхностных оксидных слоев на сплавах алюминия и титана после их микродуговой и электрохимической обработки [Текст] / Е. А. Федорова, Е. К. Лысова, А. В. Хмелев // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2008. - Т. 51, вып. 3. - С. 107-110. - Библиогр.: с. 110 (2 назв. ) . - ISSN 0579-2991

УДК

667

ББК 35.74
Рубрики: Химическая технология
Лакокрасочные материалы
Кл.слова (ненормированные):
поверхности оксидных слоев -- сплавы алюминия -- сплавы титана -- оксидные слои -- микродуговая обработка -- электрохимическая обработка
Аннотация: Работа посвящена проблемам покрытия металлических поверхностей.

Доп.точки доступа:
Лысова, Е. К.; Хмелев, А. В.

Найти похожие

621.039.548
П 497

Полетика, Т. М.
Исследование поверхности циркониевых оболочек твэлов методами АСМ и ПЭМ [Текст] / Т. М. Полетика, Е. В. Юдина, С. Л. Гирсова, Н. В. Гирсова // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 2. - С. 64-68 . - ISSN 0207-3528

УДК

621.039.548

ББК 31.46
Рубрики: Энергетика--Ядерные реакторы
Кл.слова (ненормированные):
циркониевые оболочки твэлов -- твэлы -- оксидные слои -- коррозия -- атомно-силовая микроскопия -- просвечивающая электронная микроскопия
Аннотация: Методами атомно-силовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии проведено исследование морфологии поверхности и внутренней структуры оксидных слоев на циркониевых оболочках из сплава Э110. Установлено, что закономерности формирования структуры оксидных слоев, образующихся в процессе коррозионных испытаний, зависят от режима предварительной обработки циркониевых оболочек.

Доп.точки доступа:
Юдина, Е. В.; Гирсова, С. Л.; Гирсова, Н. В.

Найти похожие

Роль твердофазных и газофазных взаимодействий между активаторами в композициях MnO[2] + PbO и MnO[2] + V[2]O[5] при их совместном воздействии на термооксидировании GaAs [Текст] / В. Ф. Кострюков [и др. ] // Журнал неорганической химии. - 2007. - Т. 52, N 10. - С. 1600-1604 : граф. - Библиогр.: с. 1604 (8 назв. ) . - ISSN 0044-457X

УДК

^a546

ББК 24.1
Рубрики: Химия
Неорганическая химия
Кл.слова (ненормированные):
нелинейные эффекты -- активаторы -- твердая фаза -- ик-спектры -- масс-спектры -- оксиды марганца -- оксиды ванадия -- оксидные слои -- термическое окисление -- хемостимуляторы
Аннотация: Пространственным разделением оксидов-активаторов в бинарных композициях (MnO[2] + PbO и MnO[2] + V[2]O[5]) выделены области локализации взаимодействий между ними, приводящих к нелинейным эффектам их совместного воздействия на процесс термического окисления GaAs. Обнаружено, что в твердой фазе имеет место взаимное усиление хемостимулирующей активности (положительный нелинейный эффект), в то время как процессы в газовой фазе приводят к существенному отрицательному отклонению от аддитивного совместного хемостимулирующего действия.

Доп.точки доступа:
Кострюков, В. Ф.; Пшестанчик, В. Р.; Донкарева, И. А.; Агапов, Б. Л.; Лопатин, С. И.; Миттова, И. Я.

Найти похожие

Оксидные слои с фосфатами титана и циркония [Текст] / В. С. Руднев [и др. ] // Журнал неорганической химии. - 2008. - Т. 53, N 9. - С. 1445-1450 : рис. - Библиогр.: с. 1450 (15 назв. ) . - ISSN 0044-457X

УДК

^a543.62

ББК 24.44
Рубрики: Химия
Анализ неорганических веществ
Кл.слова (ненормированные):
фосфаты -- цирконий -- титан -- оксидные слои -- электролиты -- пленки
Аннотация: Оксидно-фосфатные слои получены на титане плазменно-электрохимическим методом в простых и смешанных водных электролитах с полифосфатными комплексами.

Доп.точки доступа:
Руднев, В. С.; Яровая, Т. П.; Недозоров, П. М.; Кайдалова, Т. А.

Найти похожие

Термическое окисление GaAs с участием оксидов-активаторов (MnO + PbO и MnO + V[2]O[5]) при их пространственном разделении [Текст] / В. Ф. Кострюков [и др. ] // Журнал неорганической химии. - 2008. - Т. 53, N 8. - С. 1273-1277 : ил. - Библиогр.: с. 1277 (8 назв. ) . - ISSN 0044-457X

УДК

^a543.62

^a546

ББК 24.44 + 24.12
Рубрики: Химия
Анализ неорганических веществ
Химические элементы и их соединения
Кл.слова (ненормированные):
термическое окисление -- оксиды-активаторы -- ик-спектры -- газовая фаза -- твердофазные взаимодействия -- оксидные слои
Аннотация: Исследовано воздействие композиций оксидов-активаторов (MnO + PbO и MnO + V[2]O[5]) при раздельном и совместном введении компонентов в газовую сферу.

Доп.точки доступа:
Кострюков, В. Ф.; Донкарева, И. А.; Пшестанчик, В. Р.; Агапов, Б. Л.; Лопатин, С. И.; Миттова, И. Я.

Найти похожие

Вклад твердофазных взаимодействий между оксидами-активаторами в нелинейный эффект их совместного воздействия на процесс термооксидирования CaAs [Текст] / И. Я. Миттова [и др. ] // Журнал неорганической химии. - 2008. - Т. 53, N 7. - С. 1099-11-04 : граф. - Библиогр.: с. 1104 (6 назв. ) . - ISSN 0044-457X

УДК

^a543.62

ББК 24.44
Рубрики: Химия
Анализ неорганических веществ
Кл.слова (ненормированные):
оксидные слои -- испарения -- нелинейные эффекты -- термооксидирование -- оксиды--активаторы
Аннотация: Установлены вклады твердофазных и газофазных взаимодействий между оксидами-активаторами композиций оксида свинца (II) +оксида сурьмы (III) и оксида свинца (II) +оксида висмута (III) в общий процесс термического окисления арсенида галия.

Доп.точки доступа:
Миттова, И. Я.; Кострюков, В. Ф.; Пшестанчик, В. Р.; Донкарева, И. А.; Агапов, Б. Л.

Найти похожие

Характер влияния инертных компонентоВ (Y[2]O[3], Al[2]O[3], Ga[2]O[3]) на хемостимулирующее действие активатора (Sb[2]O[3]) термического окисления GaAs [Текст] / П. К. Пенской [и др. ] // Журнал неорганической химии. - 2009. - Т. 54, N 10. - С. 1639-1645 : рис. - Библиогр.: с. 1645 (18 назв. )

УДК

^a543.62

ББК 24.44
Рубрики: Химия
Анализ неорганических веществ
Кл.слова (ненормированные):
оксидные слои -- окисление -- твердая фаза -- газовая фаза -- нелинейные эффекты
Аннотация: Исследовано хемостимулированное термическое окисление арсенида галлия под воздействием указанного оксида-активатора в композициях с инертными по отношению к окислению GaAs компонентами Ga[2]O[3], Al[2]O[3] и Y[2]O[3].

Доп.точки доступа:
Пенской, П. К.; Кострюков, В. Ф.; Куцев, С. В.; Кузнецова, И. В.; Пшестанчик, В. Р.; Миттова, И. Я.

Найти похожие

Ni-, Cu-содержащие оксидные пленки на титане [Текст] / М. С. Васильева [и др. ] // Журнал неорганической химии. - 2009. - Т. 54, N 11. - С. 1787-1791 : рис. - Библиогр.: с. 1791 (9 назв. )

УДК

^a543.62

ББК 24.44
Рубрики: Химия
Анализ неорганических веществ
Кл.слова (ненормированные):
водные растворы -- оксидирование -- оксидные слои -- рентгенофазовый анализ -- переходные металлы -- термическое разложение
Аннотация: Исследованы пленки толщиной 20–30 мкм, полученные методом плазменно-электрохимического оксидирования, а также дополнительно модифицированные путем пропитки в водном растворе нитратов никеля и меди с последующим отжигом. Методами рентгенофазового, рентгеноспектрального, рентгеноэлектронного анализа и атомно-силовой микроскопии исследованы состав и строение сформированных оксидных слоев.

Доп.точки доступа:
Васильева, М. С.; Руднев, В. С.; Устинов, А. Ю.; Курявый, В. Г.; Скляренко, О. Е.; Кондриков, Н. Б.

Найти похожие

10.

Особенности совместной диффузии бора и гадолиния в кремний из наноразмерных гибридных органо-неорганических пленок [Текст] / И. В. Смирнова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1434-1439 : ил. - Библиогр.: с. 1439 (27 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
бор -- гадолиний -- диффузия -- кремний -- пленки -- органо-неорганические пленки -- наноразмерные пленки -- гибридные пленки -- вторичная ионная масс-спектроскопия -- ВИМС -- метод вторичной ионной масс-спектроскопии -- метод золь-гель технологии -- численное моделирование -- оксидные слои -- редкоземельные элементы -- золь-гель технология
Аннотация: Методом золь-гель технологии получены наноразмерные органо-неорганические пленки, которые использованы в качестве усовершенствованных источников диффузии бора и гадолиния в кремний. С помощью вторичной ионной масс-спектрометрии исследованы особенности диффузионных профилей распределения бора при его раздельной и совместной с гадолинием диффузии из полученных пленок. Составлена программа и проведено численное моделирование, обеспечившее адекватное описание сложных участков экспериментально полученных диффузионных профилей бора. Предложена модель, учитывающая перераспределение бора между стекловидной пленкой и оксидным слоем, что позволило найти оптимальные значения коэффициентов диффузии бора, при которых наблюдается наилучшее соответствие между экспериментальными и расчетными результатами.

Доп.точки доступа:
Смирнова, И. В.; Шилова, О. А.; Мошников, В. А.; Гамарц, А. Е.

Найти похожие

11.

666.29
К 891

Кузнецова, Т. Ф.
Изменение пористой структуры керамики при формировании оксидных слоев на ее поверхности [Текст] / Т. Ф. Кузнецова, авт. С. И. Еременко // Журнал прикладной химии. - 2012. - Т. 85, вып. 4. - С. 562-565. - Библиогр.: c. 565 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4618

УДК

666.29

ББК 35.42
Рубрики: Химическая технология
Керамические изделия
Кл.слова (ненормированные):
керамика -- оксидные слои -- оксиды железа -- оксиды кремния -- оксиды различных металлов -- оксиды церия
Аннотация: Изучена трансформация пористой структуры двухъярусной керамики при формировании на ее поверхности оксидов различных металлов.

Доп.точки доступа:
Еременко, С. И.

Найти похожие

12.

544.6
П 535

Получение оксидных слоев на сплавах алюминия и титана, модифицированных политетрафторэтиленом или графитом, плазменно-электролитическим оксидированием [Текст] / В. С. Руднев [и др.] // Журнал прикладной химии. - 2012. - Т. 85, вып. 8. - С. 1201-1207. - Библиогр.: c. 1207 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4618

УДК

544.6

ББК 24.57
Рубрики: Химия
Электрохимия
Кл.слова (ненормированные):
графит -- оксидные слои -- плазменно-электролитическое оксидирование -- политетрафторэтилен -- сплавы алюминия -- сплавы титана
Аннотация: Получены данные по фазовому и элементному составу, морфологии поверхности сформированных покрытий.

Доп.точки доступа:
Руднев, В. С.; Ваганов-Вилькинс, А. А.; Недозоров, П. М.; Яровая, Т. П.; Чигринова, Н. М.

Найти похожие

13.

536.42
А 988

Ашхотов, О. Г.
Влияние электронного облучения на процесс окисления индия [Текст] / О. Г. Ашхотов, Д. А. Крымшокалова, И. Б. Ашхотова // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 5. - С. 111-114. - Библиогр.: c. 114 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

536.42

ББК 22.375
Рубрики: Физика
Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
электронное облучение -- индий -- окисление индия -- физосорбция -- хемосорбция -- оксидные слои
Аннотация: Исследована кинетика окисления индия для двух случаев - при непрерывном электронном облучении (E[p]=1800 eV) и без электронного облучения в зависимости от экспозиции в среде кислорода при парциальном давлении кислорода 10{-4} Pa и комнатной температуре. Начальная экспозиция кислорода составляла 50 Лэнгмюр. При непрерывном электронном облучении на кинетических кривых наблюдается наличие двух изломов, к которым можно привязать три состояния процесса окисления - физосорбцию, хемосорбцию с образованием нестехиометрического оксидного слоя и рост однородного оксидного слоя. При окислении без электронного облучения в пределах времени эксперимента наблюдался только первый излом, а дальнейшая экспозиция не приводила к выходу на второй излом.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/05/p111-114.pdf

Доп.точки доступа:
Крымшокалова, Д. А.; Ашхотова, И. Б.

Найти похожие

14.

539.21:535
О-754

Особенности электронно-энергетического строения поверхностных слоев пористого кремния, сформированного на подложках p-типа [Текст] / Э. П. Домашевская [и др.] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2011. - Т. 77, N 1. - С. 42-48. - Библиогр.: с. 48 (24 назв. ) . - ISSN 1028-6861

УДК

539.21:535

ББК 22.374
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
электронно-энергетическое строение -- поверхностные слои -- пористый кремний -- ультрамягкая рентгеновская эмиссионная спектроскопия -- рентгеновская спектроскопия -- эмиссионная спектроскопия -- USXES -- XANES -- спектроскопия -- оксидные слои -- кремний-кислородные тетраэдры -- рентгеновское поглощение
Аннотация: Исследовано атомное и электронное строение поверхностных слоев пористого кремния.

Доп.точки доступа:
Домашевская, Э. П.; Терехов, В. А.; Турищев, С. Ю.; Ховив, Д. А.; Паринова, Е. В.; Скрышевский, В. А.; Гаврильченко, И. В.

Найти похожие

15.

66
В 586

Влияние воды на процесс пассивации алюминия в электролитах на основе органических растворителей [Текст] / С. В. Волков [и др.] // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2012. - Т. 55, вып. 8. - С. 115-117 : 2 табл. - Библиогр.: с. 117 (8 назв.) . - ISSN 0579-2991

УДК

ББК 35
Рубрики: Химическая технология
Общие вопросы химической технологии
Кл.слова (ненормированные):
алюминий -- вода в электролите -- оксидные слои -- электролитические конденсаторы -- пассивация алюминия -- оксидированный алюминий -- многокомпонентные растворы электролитов -- растворы электролитов
Аннотация: Исследовано влияние содержания воды в электролите на основе гаммабутиролактона на процессы анодного окисления и коррозии алюминия в пассивном состоянии и обеспечения надежной работы высоковольтного алюминиевого электролитического конденсатора, содержание воды в рабочем электролите должно находиться в пределах от 1, 5 до 2, 5 %.

Доп.точки доступа:
Волков, С. В.; Рыбин, С. В.; Виноградов, Е. И.; Балмасов, А. В.

Найти похожие

16.

537.311.33
Р 830

Рудаков, В. И.
Влияние отжига на формирование high-k диэлектрика в системе W/ультратонкий HfO[2]/Si-подложка [Текст] / В. И. Рудаков, Е. А. Богоявленская, Ю. И. Денисенко // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 21. - С. 48-55 : ил. - Библиогр.: с. 54-55 (10 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрики -- high-k диэлектрики -- структуры -- подложки -- высокотемпературный отжиг -- магнетронное распыление -- высокочастотное магнетронное распыление -- метод высокочастотного магнетронного распыления -- аргон -- вольт-фарадные характеристики -- исследования -- удельная емкость -- аккумуляция -- диэлектрическая проницаемость -- оксидные фазы -- силикатные фазы -- границы раздела -- оксидные слои -- ультратонкие пленки -- масс-спектрометрия -- времяпролетная масс-спектрометрия -- вторично-ионная масс-спектрометрия
Аннотация: Методом высокочастотного магнетронного распыления изготовлены структуры W (150 nm) /HfO[2] (5 nm) /Si (100), которые затем отжигались либо при 500°C в вакууме в течение 30 min, либо при 950°C в атмосфере аргона 12 s. Исследования вольт-фарадных характеристик структур показали, что высокотемпературный отжиг приводит к снижению максимальной удельной емкости в области аккумуляции (от 4. 8· 10{-6} до 3. 2·10{-6} F/cm{2}) и диэлектрической проницаемости (от 27 до 23). С помощью времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии установлено, что в ходе отжига наблюдается рост оксидной фазы WO[x] на границе раздела W/HfO[2] и силикатной фазы HfSi[x]O[y] на границе раздела HfO[2]/Si (100) ; при этом общая толщина оксидного слоя переходного состава превысила на 30% толщину исходной пленки HfO[2].

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/21/p48-55.pdf

Доп.точки доступа:
Богоявленская, Е. А.; Денисенко, Ю. И.

Найти похожие

17.

544.4
Б 438

Белоусов, В. В. (доктор физико-математических наук; заведующий лабораторией).
Ускоренный массоперенос с участием жидкой фазы в твердых телах [Текст] / В. В. Белоусов, авт. С. В. Федоров // Успехи химии. - 2012. - Т. 81, № 1. - С. 44-64 : 33 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 61-64 (224 назв. ) . - ISSN 0042-1308

УДК

544.4

ББК 24.542 + 24.542
Рубрики: Химия
Химическая кинетика
Кл.слова (ненормированные):
границы зерен -- жидкие фазы -- жидкоканальные зернограничные структуры -- ионно-транспортные мембраны -- массоперенос в твердых телах -- оксидные слои -- поликристаллические материалы -- смачивание границ зерен -- твердые тела -- ускоренный массоперенос
Аннотация: Проанализированы результаты теоретических и экспериментальных исследований в области изучения ускоренного массопереноса с участием жидкой фазы в твердых телах. Рассмотрены кинетические закономерности процессов массопереноса, термодинамика смачивания границ зерен и механизмы формирования жидкоканальной зернограничной структуры в поликристаллических материалах. Показана возможность создания новых мембранных материалов с высокой смешанной ионно-электронной проводимостью на основе композитов твердый оксид-оксидный расплав.

Доп.точки доступа:
Федоров, С. В. (кандидат химических наук; старший научный сотрудник)

Найти похожие

18.

621.315.592
С 253

Свойства тонких пленок оксида вольфрама, формируемых методами ионно-плазменного и лазерного осаждения для детектора водорода на основе структуры MOSiC [Текст] / В. Ю. Фоминский [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 3. - С. 416-424 : ил. - Библиогр.: с. 424 (15 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

539.2^V3

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- оксид вольфрама -- пластины -- комнатная температура -- импульсное лазерное осаждение -- ИЛО -- методы -- оксидные слои -- ионно-плазменное распыление -- ИПР -- комбинированные методы -- КМ -- комбинация методов -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- MOSIC -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- детекторы водорода
Аннотация: Получены тонкопленочные структуры на основе газочувствительного оксида вольфрама и каталитической платины, нанесенных при комнатной температуре на карбидокремниевую пластину с использованием импульсных методов лазерного и ионно-плазмeнного осаждения. Нагрев на воздухе до 600 °C оксидных слоев вызывал формирование микро- и наноструктурированных кристаллических состояний, зависящих от условий осаждения. Структурные различия отражались на электрофизических параметрах и стабильности характеристик. Максимальная реакция на водород обнаружена в структуре, полученной осаждением низкоэнергетичного лазерно-инициированного потока атомов вольфрама в кислороде. Сдвиг вольт-амперных кривых по напряжению в смеси 2 % H2 в воздухе при 350 °C достигал 4. 6 В при токе ~10 мкА. Метастабильность полученных структур обусловливала заметное уменьшение сдвига после длительных циклических испытаний. Наиболее стабильные величины сдвига составили ~2 В при положительном смещении на Pt-контакте и были обнаружены для оксидных пленок, полученных ионно-плазменным распылением.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/03/p416-424.pdf

Доп.точки доступа:
Фоминский, В. Ю.; Григорьев, С. Н.; Романов, Р. И.; Зуев, В. В.; Григорьев, В. В.

Найти похожие

19.

539.2
Ш 227

Шаныгин, В. Я.
Релаксационная самоорганизация поверхности кристаллов кремния под воздействием СВЧ плазменной микрообработки / В. Я. Шаныгин, авт. Р. К. Яфаров // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 4. - С. 447-459 : ил. - Библиогр.: с. 459 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
комплексные исследования -- результаты исследований -- наноморфология -- монокристаллы кремния -- поверхность монокристаллов -- кремний -- кристаллографическая ориентация -- оксидные слои -- плазменная микрообработка -- СВЧ плазменная микрообработка -- селективность -- оксидные покрытия -- плазмохимическое травление -- ПХТ
Аннотация: Приведены результаты комплексных исследований влияния на наноморфологию поверхности монокристаллов кремния кристаллографической ориентации (100) с естественным оксидным слоем низкоэнергетичной СВЧ плазменной микрообработки с различной селективностью воздействия. Рассмотрены основные характеристические параметры и модельные механизмы процессов, обеспечивающих управление наноморфологией поверхности кристаллов кремния при СВЧ плазменной микрообработке в условиях слабой адсорбции. Изложены фундаментальные причины и факторы, лежащие в основе процессов релаксационной самоорганизации наноморфологии как свободной поверхности кремния заданной кристаллографической ориентации, так и защищенной естественным оксидным покрытием под воздействием плазменной микрообработки.
Results of complex researches of influence on nanomorphology of silicon single crystals surface with crystallographic orientation (100) under low energy microwave plasma micromachining are given. The key characteristic parameters and modeling mechanisms of the processes providing management of nanomorphology of a surface of crystals of silicon at the microwave plasma micromachining in the conditions of weak adsorption are considered. The fundamental reasons and the factors underlying processes of relaxation self-organizing of nanomorphology, as free surface of silicon of the set crystallographic orientation, and protected by a natural oxidation covering under the influence of plasma micromachining are stated.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/04/p447-459.pdf

Доп.точки доступа:
Яфаров, Р. К.

Найти похожие

20.

539.21:535
И 395

Изучение морфологии и оптических свойств анодных оксидных слоев на InAs(111)A / Н. А. Валишева [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 4. - С. 532-537 : ил. - Библиогр.: с. 536 (11 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.21:535

ББК 22.374
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- метод атомно-силовой микроскопии -- спектральная эллипсометрия -- электролиты -- морфология поверхности -- оптические свойства -- анодные оксидные слои -- оксидные слои -- дисперсионные зависимости -- показатель преломления -- коэффициент поглощения -- подложки -- фторсодержащие анодные слои -- ФАС -- изотропные пленки -- эллипсометрия
Аннотация: Методами атомно-силовой микроскопии и спектральной эллипсометрии изучено влияние состава электролита на морфологию поверхности и дисперсионные зависимости показателя преломления и коэффициента поглощения анодных слоев толщиной ~20 нм на InAs (111) A. Показано, что окисление в электролитах различной кислотности не изменяет морфологию поверхности исходных подложек InAs. Образующиеся пленки имеют близкие дисперсионные зависимости, несмотря на различие их химического состава, что позволяет контролировать толщину анодных слоев на подложках InAs с высокой точностью методом эллипсометрии с использованием оптической модели однослойной изотропной пленки на поглощающей подложке.
The morphlogy and dispersion dependences of refractive index and absorption index of anodic layers on InAs (111) A (thicknesses ~20 nm) were studied by atomic force microscopy and spectral ellypsometry. The anodic layers grown on InAs in various composition electrolytes preserve the initial surface flatness. The dispersion dependences of optical parameters of layers with different chemical composition were found to be similar. It is allowed to use optical model of single layer uniform isotropic film on absorptive substarate for determination of the thickness of anodic layers on InAs with high precision by ellypsometry method.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/04/p532-537.pdf

Доп.точки доступа:
Валишева, Н. А.; Кручинин, В. Н.; Терещенко, О. Е.; Кожухов, А. С.; Левцова, Т. А.; Рыхлицкий, С. В.; Щеглов, Д. В.

Найти похожие

1-20 21-23

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)