Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=излучательные переходы<.>)

Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7

53
Ш 183

Шалин, А. С.
Излучательные переходы в металлических нанокластерах [Текст] / А. С. Шалин // Физика металлов и металловедение. - 2008. - Т. 105, N 2. - С. 137-144. - Библиогр.: с. 143-144 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3230

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
уравнение Томаса-Ферми -- Томаса-Ферми уравнение -- излучательные переходы -- нанокластеры -- металлические нанокластеры
Аннотация: Рассматривается новый теоретический подход к изучению светорассеивающих характеристик наноразмерных объектов на основе решения уравнения Томаса-Ферми и квазиклассического приближения.

Найти похожие

Излучательные переходы на локализованные состояния Eu в твердом растворе Pb[1-x]Eu[x]Te [Текст] / И. И. Засавицкий [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 87, вып: вып. 9. - С. 584-587 . - ISSN 0370-274Х

УДК

^a535.37

ББК 22.345
Рубрики: Физика
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- твердые растворы -- излучательные переходы -- локализованные состояния
Аннотация: В спектрах фотолюминесценции твердого раствора Pb[1-x]Eu[x]Te (0 меньше равно х меньше равно 0. 09) при низких температурах наблюдались излучательные переходы двух типов: интенсивная линия излучения, соответствующая переходам из зоны проводимости в валентную зону, и серия (до 15) узких линий, соответствующих переходам из гибридизованной зоны проводимости на расщепленные уровни европия Eu\{3+\}.

Доп.точки доступа:
Засавицкий, И. И.; Мазурин, А. В.; Селиванов, Ю. Г.; Цогг, Г.; Юрушкин, А. В.

Найти похожие

Примесная терагерцовая люминесценция при межзонном фотовозбуждении полупроводников [Текст] / А. В. Андрианов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 2. - С. 102-105

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
межзонное фотовозбуждение -- фотовозбуждение полупроводников -- фотовозбуждение -- терагерцовая фотолюминесценция -- излучательные переходы -- захват неравновесных носителей -- ионизованные примесные центры -- примесные центры -- электронно-дырочная рекомбинация
Аннотация: Сообщается об обнаружении интенсивного терагерцового излучения при межзонном фотовозбуждении полупроводников (n-GaAs и p-Ge) при низких температурах. Терагерцовая фотолюминесценция обусловлена излучательными переходами, имеющими место в процессе захвата неравновесных носителей на ионизованные примесные центры, которые в свою очередь создаются в кристалле в результате электронно-дырочной рекомбинации с участием примесей. Внешний квантовый выход излучения составляет до 0. 1.

Доп.точки доступа:
Андрианов, А. В.; Захарьин, А. О.; Иванов, Ю. Л.; Кипа, М. С.

Найти похожие

621.315.592
О-110

О природе электролюминесценции в режиме пробоя при обратном смещении на длине волны 1. 5 мкм для легированных эрбием кремниевых структур с p-n-переходом, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Корнаухов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 1. - С. 87-92 : ил. - Библиогр.: с. 91-92 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электролюминесценция -- ЭЛ -- сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия -- СМЛЭ -- метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии -- p-n переходы -- длина волны -- туннельно-пролетные структуры -- ТП структуры -- кремниевые структуры -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- легирование эрбием -- эрбий -- излучательные переходы -- энергетические уровни -- рекомбинационные процессы -- электроны -- туннелирование -- экспериментальные исследования
Аннотация: В выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии структурах Si/Si: Er/Si с p-n-переходом при обратном напряжении смещения в режиме пробоя экспериментально исследованы особенности электролюминесценции в диапазоне длин волн 0. 9-1. 65 мкм. В соответствии с результатами исследований предложена новая физическая модель, в которой возбуждение излучательных переходов в ближнем инфракрасном диапазоне обеспечивается рекомбинационными процессами для электронов, поступающих на соответствующие энергетические уровни в слое Si: Er за счет их туннелирования из валентной зоны p{+}-слоя в электрическом поле обратно смещенного p-n-перехода. Предлагаемая модель качественно согласуется с основными известными результатами экспериментальных исследований.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/01/p87-92.pdf

Доп.точки доступа:
Корнаухов, А. В.; Ежевский, А. А.; Марычев, М. О.; Филатов, Д. О.; Шенгуров, В. Г.

Найти похожие

621.315.592
Г 834

Григорьев, М. М.
Интерфейсная электролюминесценция в изотипном гетеропереходе II типа InAs/InAsSbP при комнатной температуре [Текст] / М. М. Григорьев, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 10. - С. 1386-1391 : ил. - Библиогр.: с. 1390-1391 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

621.375^V3

ББК 31.233 + 32.86
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Радиоэлектроника
   Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
интерфейсная люминесценция -- люминесценция -- гетерограницы -- гетеропереходы -- изотипные гетеропереходы -- InAs/InAsSbP -- комнатная температура -- электронные каналы -- излучательные переходы -- дырки (физика) -- поверхностные состояния -- светоизлучающие диоды -- оптоэлектронные матрицы
Аннотация: Впервые продемонстрирована интерфейсная люминесценция на одиночной гетерогранице II типа в системе соединений InAs/InAsSbP при комнатной температуре. Экспериментально подтверждено, что одиночная гетероструктура InAs/InAsSbP является ступенчатым гетеропереходом II типа. В гетероструктуре n-InAs/n-InAsSbP образование электронного канала на гетерогранице на стороне n-InAs не приводило к возникновению излучательной интерфейсной люминесценции, тогда как гетероструктура p-InAs/p-InAsSbP при обратном смещении демонстрировала интерфейсную люминесценцию, обусловленную излучательными переходами дырок с заполненных поверхностных состояний, локализованных на гетерогранице. Обнаружение интенсивной интерфейсной люминесценции, соизмеримой по интенсивности с объемной, открывает новые возможности в создании многоцветных светоизлучающих диодов и интегральных оптоэлектронных матриц для среднего ИК-диапазона 3-5 мкм.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/10/p1386-1391.pdf

Доп.точки доступа:
Иванов, Э. В.; Моисеев, К. Д.

Найти похожие

530.145
С 503

Смешение состояний в квантовых ямах для поляритонных эмиттеров терагерцового излучения / И. В. Иорш [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 15. - С. 56-63 : ил. - Библиогр.: с. 63 (10 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

530.145

ББК 22.314
Рубрики: Физика
Квантовая механика
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- излучательные переходы -- поляритонные состояния -- эмиттеры -- микрорезонаторы -- фотоны -- определение параметров -- электронные уровни -- терагерцовые излучения
Аннотация: Рассмотрены две возможные конструкции InGaAs/GaAs квантовой ямы, обеспечивающие наличие излучательных переходов между поляритонными состояниями в микрорезонаторе с квантовой ямой, сопровождающихся излучением терагерцовых фотонов. Для первой конструкции нарушение симметрии, необходимое для эмиссии терагерцового фотона, осуществляется в квантовой яме с градиентным профилем показателя преломления, что ведет к смешению состояний поляритона и темного экситона. Определены параметры квантовой ямы, в которой энергия второго экситонного уровня соответствует энергии верхнего поляритона. Во второй конструкции используется двойная квантовая яма, в которой экситонные состояния расщеплены вследствие квантово-механического туннелирования через барьер. Нарушение симметрии, позволяющее смешение экситона и "темного" экситона, обеспечивается настройкой энергии электронных уровней в двойной квантовой яме путем приложения к структуре электрического поля. При этом дырка остается локализованной в одной из ям.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/15/p56-63.pdf

Доп.точки доступа:
Иорш, И. В.; Калитеевский, М. А.; Иванов, К. А.; Кавокин, К. В.

Найти похожие

535.37
П 189

Пархоменко, Я. А.
Особенности электролюминесценции в гетероструктурах с квантовыми точками InSb в матрице InAs / Я. А. Пархоменко, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 11. - С. 1536-1541 : ил. - Библиогр.: с. 1541 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.37

621.315.592

ББК 22.345 + 31.233
Рубрики: Физика
   Люминесценция
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электролюминесценция -- электрические свойства -- электролюминесцентные свойства -- гетероструктуры -- p-n переходы -- квантовые точки -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- спектры электролюминесценции -- комнатная температура -- отрицательная люминесценция -- длина волны -- излучательные переходы -- локализованные состояния -- гетерограницы
Аннотация: Изучены электрические и электролюминесцентные свойства одиночной узкозонной гетероструктуры на основе p-n-перехода в арсениде индия, содержащей одиночный слой квантовых точек InSb в матрице InAs. Наличие квантовых точек существенно влияло на форму обратной ветви вольт-амперных характеристик гетероструктуры. При приложении обратного смещения спектры электролюминесценции гетероструктуры с квантовыми точками при комнатной температуре помимо полосы отрицательной люминесценции с максимумом на длине волны lambda=3. 5 мкм содержали также полосу излучения положительной люминесценции при 3. 8 мкм, которая обусловлена излучательными переходами с участием локализованных состояний квантовых точек на гетерогранице II типа InSb/InAs.
Electrical and electroluminescent properties of a single narrow-gap heterostructure based on InAs p-n junction and containing a single layer of InSb quantum dots buried into the InAs matrix were studied. Presence of the quantum dots determined a shape of the backward branch in current-voltage characteristics of the heterostructure. At room temperature under the reverse bias applied electroluminescence spectra of the heterostructure with the quantum dots, in addition to the negative luminescence emission band with the maximum wavelength lambda = 3. 5 mum, contained the emission band of the positive luminescence at 3. 8 mum which is induced by radiative transitions on localized states of the quantum dots at the type II InSb/InAs heterointerface.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/11/p1536-1541.pdf

Доп.точки доступа:
Иванов, Э. В.; Моисеев, К. Д.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)