Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=варизонные слои<.>)

Общее количество найденных документов : 11
Показаны документы с 1 по 11

539.2
С 190

Сапаев, Б.
Выращивание и фотоэлектрические свойства варизонных гетероструктур Si- (Si[2]) [1-x] (GaP) [x] [Текст] / Б. Сапаев, А. С. Саидов, С. Дадамухамедов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 9. - Библиогр.: c. 140 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
варизонные слои -- гетероструктуры -- твердые растворы
Аннотация: Приводятся теоретические предпосылки образования непрерывных твердых растворов замещения с позиции учета обобщенных моментов, разности валентности и ковалентных радиусов исходных компонентов. На основе этих исследований разработана технология получения из оловянного раствора-расплава методом принудительного охлаждения эпитаксиальных слоев (Si[2]) [1-x] (GaP) [x] (0=< x=<1) на кремниевых подложках. Исследованы распределение компонентов по толщине (Si[2]) [1-x] (GaP) [x] слоев, фоточувствительность и вольт-амперные характеристики гетероструктур Si- (Si[2) [1-x] (GaP) [x]. Анализ результатов рентгеновских исследований и фотоэлектрических свойств полученных эпитаксиальных слоев твердых растворов указывают на структурное совершенство выращенных варизонных (Si[2]) [1-x] (GaP) [x] слоев.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/09/page-137.html.ru

Доп.точки доступа:
Саидов, А. С.; Дадамухамедов, С.

Найти похожие

Свойства МДП структур на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 11. - С. 1327-1332

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
HgCdTe -- варизонные слои -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МДП структуры -- металл-диэлектрик-полупроводник
Аннотация: Экспериментально исследовано влияние приповерхностных варизонных слоев на электрические характеристики МДП структур, созданных на основе гетероэпитаксиального Hg[1-x]Cd[x]Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии с двухслойным диэлектриком SiO[2]/Si[3]N[4] и анодной окисной пленкой. Показано, что в вольт-фарадных характеристиках структур с варизонными слоями наблюдается большая модуляция емкости (глубина и ширина провала), чем для структур без варизонного слоя. Полевые зависимости фотоэдс МДП структур с варизонными слоями у поверхности имели классический вид и характеризовались спадом только в области обогащения. Для структур без варизонного слоя с x=0. 22 в области сильной инверсии наблюдался спад зависимости фотоэдс от напряжения, обусловленный ограничением дифференциального сопротивления области пространственного заряда процессами туннельной генерации через глубокие уровни. Исследованы свойства границ раздела HgCdTe-диэлектрик.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Васильев, В. В.

Найти похожие

Профили распределения дефектов в варизонных слоях гетероэпитаксиальных структур p-НgСdТе при ионно-лучевом травлении [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 9. - С. 51-56. - Библиогр.: c. 56 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.37/.39

^a621.382

ББК 32 + 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника в целом
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
варизонные слои -- гетероэпитаксиальные структуры -- ионно-лучевое травление -- полупроводники -- фотоприемные устройства
Аннотация: Представлены результаты исследований по пространственному распределению донорных центров в варизонных слоях HgCdTe р-типа с различным профилем состава в приповерхностной области после ионно-лучевого травления. Обнаружено, что глубина п{+}-слоя, образующегося после облучения, слабо зависит от режимов ионно-лучевого травления и состава поверхности материала и составляет величину 0, 5-1 мкм. С увеличением времени травления наблюдается рост концентрации электронов в п{+}-слое на поверхности. Показано, что режимы ионно-лучевого травления и состав приповерхностной области существенно влияют только на глубину п{-} -слоя с низкой концентрацией электронов. Анализ экспериментальных данных показывает, что процесс ионно-лучевого травления в гетероэпитаксиальных структурах p-НgСdТе с градиентом состава в приповерхностной области отличен от травления в однородных эпитаксиальных структурах и кристаллах HgCdTe.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Волков, В. С.; Григорьев, Д. В.; Ижнин, И. И.; Коротаев, А. Г.; Коханенко, А. П.; Посяцк, М.; Средин, В. Г.; Талипов, Н. Х.

Найти похожие

Войцеховский, А. В.
Исследование методами проводимости и фотоэдс МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 10. - С. 3-18. - Библиогр.: c. 18 (28 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.315.55/.58

ББК 31.232
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
варизонные слои -- гетероэпитаксиальные структуры -- дифференциальное сопротивление -- диэлектрики -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- метод проводимости -- МЛЭ -- полупроводники -- пространственный заряд в МДП-структурах -- теллурид кадмия ртути
Аннотация: Исследовано влияние варизонных слоев на величину дифференциального сопротивления области пространственного заряда в МДП-структурах на основе HgCdTe МЛЭ. Показано, что учет влияния сопротивления объема эпитаксиальной пленки на измеряемые емкость и сопротивление необходим для корректного определения параметров области пространственного заряда. Наличие приповерхностных слоев с повышенным содержанием Сd приводит к увеличению сопротивления области пространственного заряда в сильной инверсии. Несмотря на подавление туннельной генерации-рекомбинации через глубокие уровни в МДП-структурах с варизонными слоями, получены значения произведения сопротивления полупроводника на площадь порядка 15 Ом. см[2], что может быть связано с фоновой фотогенерацией и диффузией неосновных носителей.

Доп.точки доступа:
Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.

Найти похожие

Бобренко, Ю. Н.
Эффективные фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе ZnS [Текст] / Ю. Н. Бобренко, С. Ю. Павелец, А. М. Павелец // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 830-835 : ил. - Библиогр.: с. 834 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
преобразователи -- фотоэлектрические преобразователи -- ФП -- ультрафиолетовые излучения -- УФ излучения -- слои -- варизонные слои -- p-n переходы -- гетероструктуры -- ZnS
Аннотация: Использование сверхтонкой (~10 нм) стабильной пленки p-Cu[1. 8]S в качестве прозрачной составляющей гетероперехода p-Cu[1. 8]S-n-ZnS, а также варизонных слоев позволило получить эффективные фотопреобразователи ультрафиолетового излучения. Представлены результаты исследования свойств фотоактивных переходов Cu[1. 8]S-ZnS, выращенных на подложках CdS или CdSe с промежуточными варизонными слоями соответственно CdS-Zn[x]Cd[1-x]S или CdSe- (ZnS) [x] (CdSe) [1-x]. При правильном выборе параметров подложек варизонные слои позволяют без дополнительного легирования посторонней примесью всех составляющих гетероструктуры достичь оптимальных характеристик p-n-перехода, реализовать большие электрические поля на контакте Cu[1. 8]S-ZnS и решить проблему создания тыльного омического контакта к ZnS. Варьируя толщину тонкого слоя ZnS, можно контролировать протяженность пространственного заряда в варизонном слое и тем самым управлять длинноволновым краем чувствительности фотопреобразователя.

Доп.точки доступа:
Павелец, С. Ю.; Павелец, А. М.

Найти похожие

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 2. - С. 40-45. - Библиогр.: c. 45 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.3

^a537.311.33

ББК 31.2 + 22.379
Рубрики: Электротехника в целом
   Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
   Энергетика
Кл.слова (ненормированные):
варизонные слои -- вольт-фарадные характеристики -- диэлектрики -- пассивация поверхности полупроводника -- структура металл - диэлектрик - полупроводник -- теллурид кадмия -- теллурид кадмия ртути
Аннотация: Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика. Определены средние плотности поверхностных состояний, а также плотности подвижного и фиксированного зарядов.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Васильев, В. В.; Якушев, М. В.

Найти похожие

Холоднов, В. А.
К вопросу о степени блокировки поверхностной рекомбинации фотоносителей в полупроводниках приповерхностным варизонным слоем [Текст] / В. А. Холоднов // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 20. - С. 1-9 : ил. - Библиогр.: с. 9 (18 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a53:51

^a537.311.33

ББК 22.311 + 22.379
Рубрики: Физика
Математическая физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
математические модели -- фотоносители -- поверхностная рекомбинация -- блокировка поверхностной рекомбинации -- полупроводники -- варизонные слои -- приповерхностные слои -- приповерхностные варизонные слои -- фотовозбуждение носителей -- слабые излучения -- поверхностно-варизонные полупроводники -- варизонные поля -- варизонно-гомогенные границы
Аннотация: Математически корректно рассмотрена модель фотовозбуждения носителей слабым излучением в поверхностно-варизонных полупроводниках со ступенчатым профилем варизонного поля на варизонно-гомогенной границе. Выведено явное условие обеспечения блокировки поверхностной рекомбинации фотоносителей.

Найти похожие

621.315.592
Э 454

Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg[1-x]Cd[x]Te (x = 0, 29-0, 31) с резкими неоднородностями по составу [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 3. - С. 3-9. - Библиогр.: c. 9 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
барьерные области -- варизонные слои -- диэлектрики -- МДП-структуры -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- МЛЭ -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- неоднородность структур -- полупроводники -- резкие неоднородности структур -- теллурид кадмия ртути
Аннотация: Исследовано влияние областей с периодическими резкими неоднородностями по составу толщиной 48-54 нм на электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного n-Hg[1-x]Cd[x]Te с х = 0, 29-0, 31, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что основные электрофизические и фотоэлектрические характеристики качественно сходны для МДП-структур на основе n-Hg[1-x]Cd[x]Te с резкими неоднородностями по составу (''барьеры'') и без ''барьеров''. Показано, что наибольшее влияние на электрические характеристики оказывают ''барьерные области'', расположенные непосредственно вблизи границы раздела диэлектрик - полупроводник. Это влияние заключается в увеличении эффективной толщины диэлектрика, что может быть вызвано тем, что области повышенного состава образуют потенциальные барьеры для электронов, а также в уменьшении времени релаксации неравновесных носителей из-за рекомбинации на границах областей с резким изменением состава.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.

Найти похожие

539.2
К 727

Костюченко, В. Я.
Влияние профиля варизонных приграничных областей гетероструктур кадмий - ртуть - теллур р-типа на эффективную скорость поверхностной рекомбинации [Текст] / В. Я. Костюченко, Д. Ю. Протасов, А. В. Войцеховский // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, № 7. - С. 53-58. - Библиогр.: c. 57-58 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
варизонные слои -- кадмий - ртуть - теллур -- скорость поверхностной рекомбинации -- фотогенерированные носители заряда
Аннотация: Рассмотрено влияние на эффективную скорость поверхностной рекомбинации в гетероструктурах на основе соединения кадмий - ртуть - теллур р-типа проводимости варизонной приграничной области с линейным изменением ширины запрещенной зоны и потенциальной ступеньки. Показано, что для снижения эффективной скорости поверхностной рекомбинации необходимо, чтобы ширина запрещенной зоны увеличивалась на начальном участке более медленно, чем по линейному закону.

Доп.точки доступа:
Протасов, Д. Ю.; Войцеховский, А. В.

Найти похожие

10.

537.311.33
О-754

Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HG_(1-х)Cd_x Te (x = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 5. - С. 62-69 : рис., табл. - Библиогр.: c. 68-69 (23 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
HgCdTe -- МДП-структуры -- адмиттанс МДП-структур -- варизонные слои -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- области пространственного заряда -- ртуть кадмий теллурида
Аннотация: Исследован адмиттанс МДП-структур на основе варизонного n-HG_ (1-х) Cd_x Te (x = 0. 31-0. 32), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) в широком диапазоне температур (8-300 К). Показано, что зависимости дифференциального сопротивления области пространственного заряда от температуры и частоты качественно схожи для структур с варизонным слоем и структур без варизонного слоя. Установлено, что для МДП-структур на основе n-HG_ (1-х) Cd_x Te (x = 0. 31-0. 32) независимо от наличия варизонного слоя дифференциальное сопротивление области пространственного заряда в диапазоне температур 25-100 К ограничено процессами генерации Шокли - Рида.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Васильев, В. В.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Кузьмин, В. Д.; Ремесник, В. Г.

Найти похожие

11.

621.315.592
П 517

Полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg_(1-x)Cd_xTe (x = 0.22-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 6. - С. 3-11 : рис. - Библиогр.: c. 10-11 (23 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
HgCdTe -- МДП-структуры -- варизонные слои -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- проводимость МДП-структур -- сопротивление области пространственного заряда -- теллурид ртути-кадмия
Аннотация: Исследована полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg_ (1-x) Cd_xTe (x = 0. 22-0. 23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) в широком диапазоне температур 8-300 К. Установлено, что для МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg_ (1-x) Cd_xTe (x = 0. 22-0. 23), легированного As до концентрации 10

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Васильев, В. В.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Кузьмин, В. Д.; Ремесник, В. Г.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)