Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=аккумуляция зарядов<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


   
    Особенности механизма переноса заряда в структурах на основе тонких слоев триселенида мышьяка, модифицированных висмутом [Текст] / Н. И. Анисимова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1038-1041 : ил. - Библиогр.: с. 1041 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
^a621.315.592
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
тонкие слои -- As[2]Se[3] -- триселенид мышьяка -- носители заряда -- НЗ -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- висмут -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- перенос заряда -- электронные процессы -- контактная емкость -- локализованные состояния -- контактные области -- аккумуляция зарядов
Аннотация: Проведено исследование влияния количества вводимой примеси висмута на процессы переноса и накопления заряда в аморфных слоях As[2]Se[3]. Обнаружена связь между релаксационными процессами переноса и изменением внутренней структуры исследуемых материалов. В изученных слоях определены физические параметры, характеризующие протекающие электронные процессы: контактная емкость, плотность локализованных состояний, ответственных за аккумуляцию зарядов в контактной области, постоянная зарядка контактной области, подвижность носителей зарядов. Обсуждаются механизмы наблюдаемых эффектов.


Доп.точки доступа:
Анисимова, Н. И.; Бордовский, В. А.; Грабко, Г. И.; Кастро, Р. А.

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)