Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Электронный каталог (564)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=ФП<.>)

Общее количество найденных документов : 33
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-33

008.001
Р 763

Российская Федерация. Министерство культуры (???? N44-01-16/34 ; ) (2003.05.07).
О порядке сбора и представления сведений по форме "Приложение к форме N1-ФП" в 2003 г. [Текст] : Письмо Минкультуры РФ от 07.05.03 N44-01-16/34 // Справочник руководителя учреждения культуры. - 2003. - N9. - Об утверждении формы федерального государственного статистического наблюдения за привлечением средств субъектов Российской Федерации на выполнение федеральных целевых программ. - Прил.: Об утверждении формы федерального государственного статистического наблюдения за привлечением средств субъектов Российской Федерации на выполнение федеральных целевых программ: Пост. Госкомстата России от 20.02.03 N38 . - ISSN 1727-6772

УДК

008.001

ББК 71.4
Рубрики: Культура--Прикладная культурология
Кл.слова (ненормированные):
нормативные документы -- письма -- предоставление сведений -- прилечение средств -- сбор сведений -- статистическое наблюдение -- форма 1-ФП -- формы -- целевые программы

Найти похожие

Хохлов, Б.
Входной блок цифроаналогового телевизора [Текст] : фильтр ПАВ, аналоговый канал ПЧ / Б. Хохлов // Радио. - 2006. - N 5. - С. 12-14. - Ил.: 6 рис.- Окончание. Начало: N 3, 4 . -

УДК

621.397

ББК 32.94
Рубрики: Радиоэлектроника--Телевидение
Кл.слова (ненормированные):
телевизоры -- цифроаналоговые телевизоры -- фильтры ПАВ -- ФП3П7. 518 -- К2973М -- микросхемы -- DRX396 -- схемы структурные -- структурные схемы -- схемы принципиальные -- принципиальные схемы
Аннотация: Даны характеристики фильтров ФП3П7. 518 и К2973М, а также микросхемы DRX396. Представлены характеристики фильтра ПАВ в аналоговом и цифровом режимах.

Найти похожие

Кирш, А. А.
Фильтрация аэрозолей волокнистыми материалами ФП [Текст] / А. А. Кирш, А. К. Будыка, В. А. Кирш // Российский Химический Журнал (ЖРХО им. Д.И.Менделеева). - 2008. - Т. 52, N 5. - С. 97-102. - Библиогр.: с. 101-102 (29 назв. ) . - ISSN 0373-0247

УДК

^a544.77

ББК 24.63
Рубрики: Химия
Гетерогенные коллоидные системы
Кл.слова (ненормированные):
аэрозоли -- веерная модель расчетов -- волокнистые материалы -- нановолокна -- Петрянова фильтры -- теория фильтрации -- тонкая очистка газов -- фильтрация аэрозолей -- фильтры Петрянова -- ФП -- электроспиннинг -- эффективность улавливания
Аннотация: Изложены возможности получения непрерывных нано- и микроволокон методом электроспиннинга для фильтров тонкой очистки газов.

Доп.точки доступа:
Будыка, А. К.; Кирш, В. А.

Найти похожие

Бобренко, Ю. Н.
Эффективные фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе ZnS [Текст] / Ю. Н. Бобренко, С. Ю. Павелец, А. М. Павелец // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 830-835 : ил. - Библиогр.: с. 834 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
преобразователи -- фотоэлектрические преобразователи -- ФП -- ультрафиолетовые излучения -- УФ излучения -- слои -- варизонные слои -- p-n переходы -- гетероструктуры -- ZnS
Аннотация: Использование сверхтонкой (~10 нм) стабильной пленки p-Cu[1. 8]S в качестве прозрачной составляющей гетероперехода p-Cu[1. 8]S-n-ZnS, а также варизонных слоев позволило получить эффективные фотопреобразователи ультрафиолетового излучения. Представлены результаты исследования свойств фотоактивных переходов Cu[1. 8]S-ZnS, выращенных на подложках CdS или CdSe с промежуточными варизонными слоями соответственно CdS-Zn[x]Cd[1-x]S или CdSe- (ZnS) [x] (CdSe) [1-x]. При правильном выборе параметров подложек варизонные слои позволяют без дополнительного легирования посторонней примесью всех составляющих гетероструктуры достичь оптимальных характеристик p-n-перехода, реализовать большие электрические поля на контакте Cu[1. 8]S-ZnS и решить проблему создания тыльного омического контакта к ZnS. Варьируя толщину тонкого слоя ZnS, можно контролировать протяженность пространственного заряда в варизонном слое и тем самым управлять длинноволновым краем чувствительности фотопреобразователя.

Доп.точки доступа:
Павелец, С. Ю.; Павелец, А. М.

Найти похожие

Особенности рекомбинационных процессов в пленках CdTe, изготовленных при различных температурных режимах роста и последующих отжигах [Текст] / И. Б. Ермолович [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1016-1020 : ил. - Библиогр.: с. 1019-1020 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
пленки -- пленки CdTe -- CdTe пленки -- фотопроводимость -- ФП -- фотолюминесценция -- ФЛ -- термостимулированная проводимость -- рекомбинация -- рекомбинационные процессы -- излучательная рекомбинация -- спектры проводимости -- температурный режим роста -- отжиг -- слои -- высокоомные слои -- фототоки -- d-электроны катиона
Аннотация: Исследовались стационарные и кинетические характеристики фотопроводимости и фотолюминесценции, а также спектры термостимулированной проводимости в интервалах температур 4. 2-400 K, освещенностей 10{10}-10{23} квант/см{2} и длин волн 0. 4-2. 5 мкм слоев CdTe, осажденных испарением в вакууме на подогретую подложку в зависимости от температуры подложки. Был найден некоторый интервал оптимальных температур подложки T[s]~450-550oC, при которых свеженапыленные слои были высокоомными, фоточувствительными и наиболее совершенными по структуре. В этих слоях наряду с известной полосой фотолюминесценции с hnu[m]=1. 42 эВ обнаружена новая полоса люминесценции с hnu[m]=1. 09 эВ, которая, как установлено, не является рекомбинационной, а обусловлена внутрицентровыми переходами. Обсуждается природа центров излучательной рекомбинации в исследованных слоях. Высказано предположение о возможности принятия участия d-электронов катиона в образовании химических связей локальных центров в CdTe.

Доп.точки доступа:
Ермолович, И. Б.; Миленин, В. В.; Редько, Р. А.; Редько, С. М.

Найти похожие

Кукушкин, В. А.
Эффективная конверсия инфракрасных импульсов в терагерцовые в волноведущих полупроводниковых гетероструктурах [Текст] / В. А. Кукушкин // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 109-113 : ил. - Библиогр.: с. 113 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- полупроводниковые гетероструктуры -- волноведущие гетероструктуры -- инфракрасные импульсы -- ИК импульсы -- терагерцовые импульсы -- ТГц импульсы -- конверсия -- эффективная конверсия -- двухфотонные поглощения -- 2ФП -- трехфотонные поглощения -- 3ФП -- оптические выпрямления -- волноводы -- C/GaAs/C -- дисперсия групповой скорости -- ДГС -- диэлектрическая проницаемость -- квадратичная нелинейность -- нелинейность
Аннотация: Показано, что применение волноведущей полупроводниковой гетероструктуры позволяет существенно увеличить степень конверсии мощного инфракрасного импульса в терагерцовый в процессе оптического выпрямления первого в среде с квадратичной нелинейностью диэлектрической проницаемости. На примере волноведущей гетероструктуры C/GaAs/C определены оптимальные параметры как самой структуры, так и инфракрасного импульса, а также вычислены длительность и форма выходного терагерцового импульса.

Найти похожие

Фотопроводимость и люминесценция кристаллов GaSe при высоких уровнях оптического возбуждения [Текст] / А. Г. Кязым-заде [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 306-309 : ил. - Библиогр.: с. 309 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a535.37

ББК 22.345
Рубрики: Физика
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
фотопроводимость -- ФП -- кристаллы -- GaSe -- люминесценция -- слоистые кристаллы -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотопроводимости -- спектры фотолюминесценции -- оптическое возбуждение -- оптическое поглощение -- нелинейное оптическое поглощение -- экситонный резонанс -- спектры люминесценции -- экспериментальные исследования
Аннотация: Экспериментально исследована фотопроводимость и люминесценция в слоистых кристаллах GaSe при высоких уровнях оптического возбуждения. Наблюдаемые особенности спектров фотопроводимости и люминесценции определяются нелинейным оптическим поглощением в области экситонного резонанса.

Доп.точки доступа:
Кязым-заде, А. Г.; Салманов, В. М.; Салманова, А. А.; Алиева, А. М.; Ибаева, Р. З.

Найти похожие

Дегода, В. Я.
Особенности люминесценции и электропроводимости селенида цинка при фото- и рентгеновском возбуждении [Текст] / В. Я. Дегода, А. А. Софиенко // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 594-599 : ил. - Библиогр.: с. 599 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
селенид цинка -- ZnSe -- фотопроводимость -- ФП -- фотолюминесценция -- ФЛ -- рентгенолюминесценция -- РЛ -- рентгенопроводимость -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- релаксация тока -- фосфоресценция -- кинетика фосфоресценции -- спектры люминесценции -- возбуждение -- рекомбинация -- широкозонные полупроводники
Аннотация: Проведено сравнение комплексных экспериментальных результатов исследования рентгенолюминесценции и рентгенопроводимости ZnSe с данными по фотолюминесценции и фотопроводимости. Экспериментально установлено различие вольт-амперных характеристик, кинетики фосфоресценции и релаксации тока в зависимости от типа возбуждения. Показано, что внешнее электрическое поле влияет на интенсивность и форму полос в спектрах люминесценции. Установлено, что характер возбуждения является определяющим для кинетики рекомбинации, захвата носителей заряда и проводимости в широкозонных полупроводниках.

Доп.точки доступа:
Софиенко, А. А.

Найти похожие

Алиев, Ф. Ф.
Влияние дефектов на электрические свойства Ag[2]S при фазовом переходе [Текст] / Ф. Ф. Алиев, М. Б. Джафаров, В. И. Эминова // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 749-752 : ил. - Библиогр.: с. 751-752 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фазовый переход -- ФП -- температурные зависимости -- дефекты -- концентрация дефектов -- электропроводность -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- электрические свойства -- Ag[2]S
Аннотация: Исследованы температурные зависимости электропроводности sigma (T) и коэффициента Холла R (T) в Ag[2]S при фазовом переходе. Обнаружены количественные несогласия в изменениях sigma (T) и R (T) при фазовом переходе, когда sigma увеличивается на несколько порядков, а R уменьшается в ~3-4 раза. Данный факт интерпретирован в рамках модели с двумя типами носителей заряда с учетом изменения зонных параметров и концентрации дефектов, образующихся при фазовом переходе.

Доп.точки доступа:
Джафаров, М. Б.; Эминова, В. И.

Найти похожие

10.

Эффективные фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения на основе ZnS и CdS с низкоомными поверхностными слоями [Текст] / Ю. Н. Бобренко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1114-1117 : ил. - Библиогр.: с. 1117 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрические преобразователи -- фотопреобразователи -- ФП -- поверхностно-барьерные фотопреобразователи -- ультрафиолетовое излучение -- УФ излучение -- низкоомные поверхностные слои -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- туннельно-комбинированные токи -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- гетеропереходы -- p-n переходы -- фоточувствительность
Аннотация: Формирование в области пространственного заряда поверхностно-барьерных фотопреобразователей Cu[1. 8]S-CdS и Cu[1. 8]S-ZnS тонких высокоомного и низкоомного слоев приводит к существенному увеличению фоточувствительности и снижению темновых туннельно-рекомбинационных токов. Получены высокоэффективные и стабильные фотопреобразователи ультрафиолетового излучения на основе CdS и ZnS. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства и приведены основные эксплуатационные параметры фотопреобразователей ультрафиолетового излучения.

Доп.точки доступа:
Бобренко, Ю. Н.; Павелец, С. Ю.; Павелец, А. М.; Киселюк, М. П.; Ярошенко, Н. В.

Найти похожие

11.

66
К 321

Квантово-химический прогноз образования водородных связей между молекулами N-фенил- N'-изопропил-n-фенилендиамина и N, N'-дифенил-n-фенилендиамина [Текст] / Э. А. Мухутдинов [и др.] // Журнал физической химии. - 2007. - Т. 81, N 5. - С. 864-868. - Библиогр.: c. 868 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4537

УДК

ББК 35
Рубрики: Химическая технология
Общие вопросы химической технологии
Кл.слова (ненормированные):
бинарные смеси -- водородные связи -- димеры -- ДФФД -- синергическая система стабилизаторов -- стабилизаторы -- ФП -- шинные резины -- функционал B3LYP
Аннотация: Квантово-химическим методом функционала плотности исследовано образование различных типов водородных связей.

Доп.точки доступа:
Мухутдинов, Э. А.; Мухутдинов, А. А.; Коваленко, В. И.; Сольяшинова, О. А.

Найти похожие

12.

004.41/42
А 188

Авдошин, Сергей Михайлович (канд. техн. наук).
Фабрики приложений [Текст] / С. М. Авдошин, авт. С. А. Белкин // Информационные технологии. - 2008. - N 1. - С. 2-32. - Библиогр.: с. 31-32 (55 назв. ). - (Фабрики приложений.- 2008.- N 1.- С. 2-32) . - ISSN 1684-6400

УДК

004.41/42

ББК 32.973-018
Рубрики: Вычислительная техника
Программирование ЭВМ. Компьютерные программы. Программотехника
Кл.слова (ненормированные):
модельно-ориентированные разработки -- компонентные разработки -- ПО -- программное обеспечение -- фабрика приложений -- ФП -- разработка ФП -- архитектура ФП -- инструменты построения ФП
Аннотация: Проведен анализ методологии, получившей название "фабрики приложений", которая ориентирована на автоматизацию жизненного цикла программного обеспечения посредством внедрения инновационных решений, основанных на концепции модельно-ориентированной и компонентной разработки.

Доп.точки доступа:
Белкин, С. А.

Найти похожие

13.

621.315.592
Г 901

Грузинцев, А. Н.
Термо- и фотопроводимость кристаллов CuI p-типа проводимости [Текст] / А. Н. Грузинцев, авт. В. Н. Загороднев // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 1. - С. 38-43 : ил. - Библиогр.: с. 42-43 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

539.2^V3

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
иоинид меди -- CuI -- термопроводимость -- фотопроводимость -- электрическое сопротивление -- электросопротивление -- кристаллы -- ФП -- собственные дефекты -- дефекты -- температура отжига -- кристаллические решетки
Аннотация: Исследовано влияние отжига в вакууме кристаллов иодида меди (p-типа проводимости) на их электрическое сопротивление, прозрачность, термо- и фотопроводимость в видимой и фиолетовой областях спектра. Показано, что проводимость и прозрачность CuI увеличиваются при низких температурах отжига и уменьшаются с ростом температуры отжига в вакууме в течение 60 мин. Установлена связь данных процессов с образованием собственных дефектов донорного или акцепторного типа в кристаллической решетке иодида меди.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/01/p38-43.pdf

Доп.точки доступа:
Загороднев, В. Н.

Найти похожие

14.

621.315.592
В 586

Влияние структурных дефектов технологического происхождения на оптические и фотоэлектрические свойства твердого раствора AgCd[2-x]Mn[x]GaSe[4] [Текст] / А. П. Третяк [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 3. - С. 321-326 : ил. - Библиогр.: с. 326 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

535.2/.3^V3

ББК 31.233 + 22.343
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
структурные дефекты -- оптические свойства -- фотоэлектрические свойства -- твердые растворы -- фотопроводимость -- ФП -- оптическое гашение фотопроводимости -- ОГФ -- фотолюминесценция -- ФЛ -- длина волны -- кристаллы -- запрещенные зоны
Аннотация: Исследованы фотоэлектрические и оптические свойства твердого раствора AgCd[2-x]Mn[x]GaSe[4] с изовалентным замещением из Mn в Cd. Определено положение максимумов фотопроводимости, фотолюминесценции и оценена ширина запрещенной зоны твердого раствора в зависимости от его компонентного состава. Проанализировано влияние технологических дефектов на особенности фотоэлектрических и оптических свойств твердого раствора. Установлено, что за центры, определяющие фоточувствительность кристаллов раствора, ответственны катионные вакансии. Центрами фотолюминесценции в интервале длин волн ~0. 77-0. 88 мкм (в зависимости от соотношения компонент в растворе) являются комплексы дефектов, состоящие из катионной и анионной вакансий. Предложена физически не противоречивая модель наблюдаемых явлений в растворе.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/03/p321-326.pdf

Доп.точки доступа:
Третяк, А. П.; Давидюк, Г. Е.; Божко, В. В.; Булатецкая, Л. В.; Парасюк, О. В.

Найти похожие

15.

621.315.592
И 465

Ильинский, А. В.
Фазовый переход и корреляционные эффекты в диоксиде ванадия [Текст] / А. В. Ильинский, О. Е. Квашенкина, Е. Б. Шадрин // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 439-446 : ил. - Библиогр.: с. 445-446 (21 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

539.2^V3

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фазовые переходы -- ФП -- диоксид ванадия -- корреляционные эффекты -- полупроводник-металл -- поликристаллические пленки -- кристаллические решетки -- результаты экспериментов -- ванадий
Аннотация: Предложена комплексная концепция многостадийного процесса термического фазового перехода полупроводник-металл в диоксиде ванадия, согласно которой переход состоит из трех стадий: двух, имеющих место в системе сильно коррелированных электронов, и одной, сводящейся к трансформации симметрии кристаллической решетки. Эти стадии могут быть раздельно активированы с помощью гидрирования поликристаллической пленки VO[2], селективно воздействующего на различные стадии фазового перехода.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/04/p439-446.pdf

Доп.точки доступа:
Квашенкина, О. Е.; Шадрин, Е. Б.

Найти похожие

16.

621.315.592
Г 441

Гетероструктуры HgCdTe на подложках Si (310) для инфракрасных фотоприемников средневолнового спектрального диапазона [Текст] / М. В. Якушев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 396-402 : ил. - Библиогр.: с. 401-402 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- HgCdTe -- подложки -- кремний -- Si (310) -- твердые растворы -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- МЛЭ -- фотоприемники -- ФП -- инфракрасные фотоприемники -- ИК ФП -- фоточувствительные элементы -- ФЧЭ -- дефекты структуры -- фотодиоды -- комнатная температура -- температура жидкого азота
Аннотация: Представлены результаты исследований процессов роста твердых растворов HgCdTe на подложках из кремния диаметром до 100 мм методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Определены оптимальные условия получения гетероструктур HgCdTe/Si (310) приборного качества для спектрального диапазона 3-5 мкм. Представлены результаты измерений и обсуждение фотоэлектрических параметров инфракрасного фотоприемника форматом 320x 256 элементов с шагом 30 мкм на основе гибридной сборки матричного фоточувствительного элемента с кремниевым мультиплексором. Показана высокая стабильность параметров фотоприемника к термоциклированию от комнатной температуры до температуры жидкого азота.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p396-402.pdf

Доп.точки доступа:
Якушев, М. В.; Брунев, Д. В.; Варавин, В. С.; Васильев, В. В.; Дворецкий, С. А.; Марчишин, И. В.; Предеин, А. В.; Сабинина, И. В.; Сидоров, Ю. Г.; Сорочкин, А. В.

Найти похожие

17.

621.315.592
И 465

Ильинский, А. В.
Природа электронной составляющей термического фазового перехода в пленках VO[2] [Текст] / А. В. Ильинский, О. Е. Квашенкина, Е. Б. Шадрин // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 9. - С. 1194-1208 : ил. - Библиогр.: с. 1208 (30 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

536.42

ББК 31.233 + 22.375
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
фазовые переходы -- ФП -- полупроводник-металл -- диоксид ванадия -- гистерезис -- кристаллические структуры -- пленки -- структурные превращения -- фазовые превращения -- нанокристаллиты -- математическое моделирование
Аннотация: Методом построения полной сетки частных петель гистерезиса и ступенчатого нагрева и охлаждения пленок диоксида ванадия установлено, что термический фазовый переход полупроводник-металл в диоксиде ванадия является многостадийным процессом. Показано, что переход состоит из двух различных по своей природе переходов: электронного и структурного. Оба перехода протекают одновременно и взаимно инициируют друг друга в широком температурном интервале. А именно в интервале 0-140 °C совершается непрерывный электронный переход, тогда как в интервале 20-80 °C совершается серия скачкообразных структурных фазовых превращений в нанокристаллитах пленки при различных фиксированных температурах. Температуры структурных превращений связаны с размерами нанокристаллитов. Сконструирована принципиально новая форма элементарной петли гистерезиса индивидуального нанокристаллита. Проанализированы свойства частных петель гистерезиса отражательной способности пленки VO[2], и на основе анализа выявлена и исследована электронная составляющая фазового перехода полупроводник-металл.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/09/p1194-1208.pdf

Доп.точки доступа:
Квашенкина, О. Е.; Шадрин, Е. Б.

Найти похожие

18.

621.315.592
М 948

Мынбаева, М. Г.
Фотоэлектрические свойства пористых гетероструктур GaN/SiC [Текст] / М. Г. Мынбаева, А. А. Ситникова, К. Д. Мынбаев // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 10. - С. 1369-1372 : ил. - Библиогр.: с. 1372 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

535.2/.3^V3

ББК 31.233 + 22.343
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрические свойства -- пористые гетероструктуры -- гетероструктуры -- GaN/SiC -- фотопроводимость -- ПГС -- ФП -- зарядовые состояния -- границы раздела -- анодизация
Аннотация: Исследована природа фотопроводимости, возникающей в пористых структурах, сформированных анодизацией гетероструктур GaN/SiC. На основании сопоставления фотоэлектрических, оптических, электрических и структурных свойств исходных и анодированных гетероструктур показано, что данный эффект обусловлен наличием зарядовых состояний на границе раздела между GaN и SiC, специфичных для примененных условий анодизации.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/10/p1369-1372.pdf

Доп.точки доступа:
Ситникова, А. А.; Мынбаев, К. Д.

Найти похожие

19.

539.2
Т 163

Талочкин, А. Б.
Фотопроводимость многослойных структур Si/Ge с квантовыми точками Ge, псевдоморфными к Si-матрице [Текст] / А. Б. Талочкин, авт. И. Б. Чистохин // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 7. - С. 936-940 : ил. - Библиогр.: с. 939-940 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2^V3

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фотопроводимость -- многослойные структуры -- Si/Ge -- квантовые точки -- КТ -- оптические переходы -- электронно-дырочные состояния -- ФП -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- Si-матрицы -- псевдоморфные квантовые точки -- энергетические диаграммы -- германий -- Ge -- Si -- кремний
Аннотация: Исследованы спектры продольной фотопроводимости многослойных структур Si/Ge с квантовыми точками Ge, полученными псевдоморфно к Si-матрице. Наблюдались линии оптических переходов между дырочными уровнями квантовых точек и электронными состояниями Si. Это позволило построить подробную энергетическую диаграмму электронно-дырочных уровней структуры. Показано, что дырочные уровни псевдоморфных квантовых точек Ge хорошо описываются с помощью простейшей модели "квантового ящика" с использованием реальных размеров островков Ge. Установлена возможность управления положением длинноволновой границы фоточувствительности с помощью изменения параметров роста структур Si/Ge с квантовыми точками Ge.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/07/p936-940.pdf

Доп.точки доступа:
Чистохин, И. Б.

Найти похожие

20.

535.37
Э 455

Электронные состояния на поверхности кремния после напыления и отжига пленки SiO[x] [Текст] / Н. А. Власенко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 5. - С. 596-601 : ил. - Библиогр.: с. 601 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.37^V3

ББК 22.345
Рубрики: Физика
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
электронные состояния -- поверхность кремния -- кремний -- отжиг пленки -- напыление -- Si -- фотопроводимость -- спектры фотопроводимости -- ФП -- поверхностные состояния -- ловушки -- электроны -- энергетические зоны -- интерфейсы -- равновесные состояния -- температура отжига -- отжиг -- фотолюминесценция -- ФЛ -- фотодеполяризационная спекроскопия -- ФДПС -- диффузия -- границы раздела -- дефекты -- нанокластеры
Аннотация: С целью выяснения диаграммы энергетических зон на границе c-Si-SiO[x] и изменения электронных состояний после отжига пленки исследован спектр фотопроводимости, возникающей в поляризационном поле заряда на поверхностных состояниях и ловушках в объеме пленки. Установлено, что на интерфейсе Si-SiO[x] энергетические зоны искривлены, причем поверхность Si обогащена электронами. В равновесном состоянии максимум фототока при 1. 1 эВ обусловлен зона-зонными переходами в кремниевой части интерфейса. Отжиг вызывает смещение максимума к большим энергиям, увеличивающееся при повышении температуры отжига от 650 до 1000{o}C. Это сопровождается уменьшением фототока при =
Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/05/p596-601.pdf

Доп.точки доступа:
Власенко, Н. А.; Олексенко, П. Ф.; Денисова, З. Л.; Сопинский, Н. В.; Велигура, Л. И.; Гуле, Е. Г.; Литвин, О. С.; Мухльо, М. А.

Найти похожие

1-20 21-33

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)