Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Электронный каталог (4)

Труды ОмГУ (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=АСМ<.>)

Общее количество найденных документов : 52
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-52

004.4
Б 732

Богатырев, Руслан.
К истории чемпионатов мира АСМ по программированию [Текст] / Р. Богатырев // Мир ПК. - 2004. - N 7 . - ISSN 0235-3520

УДК

004.4

ББК 32.973-018
Рубрики: Вычислительная техника--Математическое обеспечение (Программирование
Кл.слова (ненормированные):
2004 г. -- программирование -- разработка приложений -- чемпионаты -- история программирования
Аннотация: Этот чемпионат в 2004 году принес небывалый триумф программистам из бывшего СССР. По такому радостному поводу автор вспоминает историю чемпионата, который проводится с 1997 года.

Доп.точки доступа:
Чемпионат мира АСМ по программированию

Найти похожие

004.4
Б 73

Богатырев, Руслан.
В мире программирования [] / Р. Богатырев, Д. Петровичев // Мир ПК. - 2005. - N 1. - С. 58-61 . - ISSN 0235-3520

УДК

004.4

004.43

ББК 32.973-018 + 32.973-018.1
Рубрики: Вычислительная техника--Математическое обеспечение (Программирование--Языки программирования
Кл.слова (ненормированные):
2004 г. -- программирование; языки программирования; чемпионаты мира; олимпиады
Аннотация: Рейтинг популярности языков программирования; отчет о ходе чемпионата мира по программированию и международной Олимпиады школьников по программированию.

Доп.точки доступа:
Петровичев, Дмитрий; Чемпионат мира АСМ по программированиюМеждународная Олимпиада школьников по информатике

Найти похожие

539.2
П 16

Панин, А. В.
Исследование механических свойств тонких пленок Ag на кремниевой подложке методом наноиндентирования [Текст] / А. В. Панин, А. Р. Шугуров, К. В. Оскомов // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 11. - С. 1973-1977. - Библиогр.: с. 1977 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
АСМ-изображения; атомно-силовые микроскопы; индентирование; инденторы; кремниевые подложки; метод Оливера-Фарра; наноиндентирование; Оливера-Фарра метод; пленки; размер зерен; твердость пленок; тонкие пленки
Аннотация: Исследованы механические свойства тонких пленок Ag одинаковой толщины с различным размером зерен. Твердость пленок определялась с использованием методов Оливера-Фарра, из определения работы индентирования, а также путем непосредственного измерения площади отпечатка индентора по АСМ-изображениям.

Доп.точки доступа:
Шугуров, А. Р.; Оскомов, К. В.

Найти похожие

539.2
Г 621

Голубев, Е. А.
АСМ-исследование агрегатов углеродных наночастиц из водных коллоидных растворов шунгитов и фуллеренов [Текст] / Е. А. Голубев, Н. Н. Рожкова, В. Н. Филиппов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 10. - С. 47-51 . - ISSN 0207-3528

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
наночастицы -- углеродные наночастицы -- шунгиты -- фуллерены -- коллоидные растворы
Аннотация: Получены устойчивые водные коллоидные растворы фуллеренов С[60]-С[70] и природного шунгитового углерода, в структуре которого присутствуют фуллереноподобные наночастицы. Путем осаждения на подложки сформированы тонкие пленки из агрегатов фуллеренов и наночастиц шунгитового углерода. Изучены морфологические особенности поверхности пленок и формирующих пленки агрегатов наночастиц методами атомно-силовой и растровой электронной микроскопии. Выявлены сходства и различия осажденных агрегатов. Размер частиц, формирующих пленки шунгитового углерода, близок к величине исходных фуллереноподобных частиц шунгитовых пород. Это свидетельствует о возможности выделения фуллереноподобных элементов шунгитового углерода с целью расширения области его практического применения.

Доп.точки доступа:
Рожкова, Н. Н.; Филиппов, В. Н.

Найти похожие

621.039.548
П 497

Полетика, Т. М.
Исследование поверхности циркониевых оболочек твэлов методами АСМ и ПЭМ [Текст] / Т. М. Полетика, Е. В. Юдина, С. Л. Гирсова, Н. В. Гирсова // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 2. - С. 64-68 . - ISSN 0207-3528

УДК

621.039.548

ББК 31.46
Рубрики: Энергетика--Ядерные реакторы
Кл.слова (ненормированные):
циркониевые оболочки твэлов -- твэлы -- оксидные слои -- коррозия -- атомно-силовая микроскопия -- просвечивающая электронная микроскопия
Аннотация: Методами атомно-силовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии проведено исследование морфологии поверхности и внутренней структуры оксидных слоев на циркониевых оболочках из сплава Э110. Установлено, что закономерности формирования структуры оксидных слоев, образующихся в процессе коррозионных испытаний, зависят от режима предварительной обработки циркониевых оболочек.

Доп.точки доступа:
Юдина, Е. В.; Гирсова, С. Л.; Гирсова, Н. В.

Найти похожие

Лапшина, М. А.
Формирование токового изображения при исследовании металлических нанокластеров в диэлектрических пленках методом комбинированной СТМ/АСМ [Текст] / М. А. Лапшина, Д. О. Филатов, Д. А. Антонов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 8. - С. 35-39

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
металлические нанокластеры -- диэлектрические пленки -- нанокластеры -- туннелирование электронов
Аннотация: Приводятся результаты моделирования формирования токового изображения металлических нанокластеров в тонких диэлектрических пленках при их исследовании методом комбинированной сканирующей туннельной и атомно-силовой микроскопии. Показано, что размеры областей повышенной проводимости на токовом изображении, связанных с туннелированием электронов через нанокластеры, определяются размером области контакта зонда с поверхностью пленки.

Доп.точки доступа:
Филатов, Д. О.; Антонов, Д. А.

Найти похожие

Метод комбинированной СТМ/АСМ на сколах в жидкости: исследование гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами и точками [Текст] / Е. Е. Щербакова [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 8. - С. 40-43

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
исследование гетероструктур -- сканирующая туннельная микроскопия -- атомно-силовая микроскопия -- квантовые ямы -- поверхность скола
Аннотация: Метод комбинированной сканирующей туннельной и атомно-силовой микроскопии (СТМ/АСМ) на поперечных сколах в защитной жидкой среде (масло) впервые применен для исследования гетероструктур с квантовыми ямами и квантовыми точками InGaAs/GaAs. Показана возможность визуализации квантовых ям и квантовых точек на сколах в режимах АСМ и СТМ, а также измерения вольт-амперных характеристик контакта зонда АСМ к поверхности скола.

Доп.точки доступа:
Щербакова, Е. Е.; Исаков, М. А.; Воронцов, Д. А.; Филатов, Д. О.

Найти похожие

Меньшиков, Е. А.
Анализ структуры пленок блок-сополимеров методом атомно-силовой микроскопии [Текст] / Е. А. Меньшиков, А. В. Большакова, И. В. Яминский // Вестник Московского университета. Сер. 3. Физика. Астрономия. - 2009. - N 2. - С. 58-63. - Библиогр.: с. 62 (14 назв. ) . - ISSN 0201-7385

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия (АСМ) -- блок-сополимеры -- микрофазное расслоение в тонких пленках -- наноматериалы -- тонкие пленки
Аннотация: Исследована структура тонких пленок полистирол-полиметилакрилат-полистирол (СМАС) три-блок-сополимера. Разработаны универсальные алгоритмы анализа изображений тонких пленок блок-сополимеров, полученных методом атомно-силовой микроскопии (АСМ).

Доп.точки доступа:
Большакова, А. В.; Яминский, И. В.

Найти похожие

Дедков, Г. В.
Электросиловое взаимодействие зонда атомно-силового микроскопа с поверхностью [Текст] / Г. В. Дедков, А. А. Канаметов // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 6. - С. 1-7 : ил. - Библиогр.: с. 7 (8 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a537

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм в целом
Кл.слова (ненормированные):
численные решения -- уравнение Лапласа -- Лапласа уравнение -- электрический потенциал -- зонды -- электросиловое взаимодействие -- заряженные зонды -- электростатическое взаимодействие -- микроскопы -- АСМ -- атомно-силовые микроскопы -- проводящие поверхности -- диэлектрические пленки -- электростатические силы -- диэлектрические характеристики -- поверхностные слои -- интерпретация данных -- спектроскопия -- электросиловая спектроскопия
Аннотация: На основе численного решения уравнения Лапласа для электрического потенциала рассчитываются силы электростатического взаимодействия заряженного зонда АСМ с заземленной проводящей поверхностью и с поверхностью, покрытой тонкой диэлектрической пленкой. Обосновывается необходимость повышения точности расчета электростатических сил и учета диэлектрических характеристик поверхностного слоя образца для корректной интерпретации данных электросиловой спектроскопии.

Доп.точки доступа:
Канаметов, А. А.

Найти похожие

10.

Визуализация локальной плотности состояний в квантовых точках InAs/GaAs методом комбинированной СТМ/АСМ [Текст] / П. А. Бородин [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 9. - С. 71-75

УДК

^a530.145

ББК 22.314
Рубрики: Физика
Квантовая механика
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- туннельная спектроскопия -- размерно-квантованные состояния -- токовые изображения -- локальная плотность состояний
Аннотация: Метод комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии (СТМ/АСМ) в сверхвысоком вакууме впервые применен для туннельной спектроскопии размерно-квантованных состояний в поверхностных квантовых точках (КТ) InAs/GaAs (001). Получены туннельные спектры и токовые изображения, отражающие, соответственно, энергетическое и пространственное распределение локальной плотности основного и возбужденных электронных состояний в КТ.

Доп.точки доступа:
Бородин, П. А.; Бухараев, А. А.; Филатов, Д. О.; Воронцов, Д. А.; Лапшина, М. А.

Найти похожие

11.

Адамов, Г. Е.
Применение АСМ при исследовании материалов фотоники на основе гибридных наноструктур, содержащих бактериородопсин [Текст] / Г. Е. Адамов, Е. П. Гребенников, В. Р. Курбангалеев // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 10. - С. 66-68. - Материалы XXII Российской конференции по электронной микроскопии

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия -- наночастицы золота -- пленки гибридной наноструктуры -- бактериородопсин -- молекулярная фотоника -- кластерная структура пленок
Аннотация: Приведены экспериментальные результаты исследований поверхности пленок гибридных наноструктур на основе наночастиц золота и бактериородопсина методом атомно-силовой микроскопии. Найдены оптимальные режимы съемки, позволяющие получать максимально контрастные сканы. Определены форма и размер наночастиц, изучено влияние молекул-спейсеров на процессы формирования кластерной структуры пленок.

Доп.точки доступа:
Гребенников, Е. П.; Курбангалеев, В. Р.; Центр фотохимии РАН; Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума

Найти похожие

12.

АСМ-исследование микроволнового воздействия на водородсодержащий сегнетоэлектрик триглицинсульфат [Текст] / Г. И. Овчинникова [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 10. - С. 24-28. - Материалы XXII Российской конференции по электронной микроскопии

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия -- сегнетоэлектрик триглицинсульфат -- микроволновое излучение -- кристаллы -- надмолекулярные образования
Аннотация: Методом атомно-силовой микроскопии проведено исследование наноразмерных надмолекулярных образований и их трансформации под воздействием микроволнового излучения в водородсодержащем сегнетоэлектрике – триглицинсульфате (ТГС). Показано, что длительное (2–5 ч) облучение кристалла ТГС на частоте 40 ГГц приводит к таким изменениям поверхности скола, которые могут быть интерпретированы как индуцированный излучением “отжиг” кристалла с одновременным созданием новых дефектных образований. Предложен механизм воздействия, основанный на эффектах соизмеримости времени пролета квазисвободных дипольных частиц – протонов с периодом высокочастотного поля.

Доп.точки доступа:
Овчинникова, Г. И.; Солошенко, А. Н.; Белугина, Н. В.; Гайнутдинов, Р. В.; Толстихина, А. Л.

Найти похожие

13.

Особенности эпитаксиального роста узкозонных квантовых точек InSb на подложке InAs [Текст] / К. Д. Моисеев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1142-1150 : ил. - Библиогр.: с. 1149-1150 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- КТ -- InSb -- узкозонные квантовые точки -- подложки -- InAs -- антимонид индия -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- муаровые узоры -- эпитаксильный рост
Аннотация: В интервале температур Т = 420-450°С методом жидкофазной эпитаксии на подложках InAs были получены массивы когерентных квантовых точек InSb с плотностью (0. 9-2) x 10[10]см[-2], размеры которых составляли З нм в высоту и 13 нм в диаметре. Обнаружен бимодальный характер распределения квантовых точек по размерам, который был объяснен комбинированным механизмом роста этих нанообъектов. Впервые изучены структурные характеристики отдельной квантовой точки InSb, сформированной на поверхности InAs, с помощью методов атомно-силовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Для квантовых точек в системе InSb/InAs впервые наблюдались картины муаровых узоров, при этом период муара 3. 5 нм соответствовал квантовым точкам InSb без примеси мышьяка.

Доп.точки доступа:
Моисеев, К. Д.; Пархоменко, Я. А.; Гущина, Е. В.; Анкудинов, А. В.; Михайлова, М. П.; Берт, Н. А.; Яковлев, Ю. П.

Найти похожие

14.

Образование дислокационных дефектов при заращивании квантовых точек InAs в GaAs [Текст] / Н. А. Берт [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1426-1433 : ил. - Библиогр.: с. 1432-1433 (28 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- КТ -- заращивание квантовых точек -- InAs -- GaAs -- дефекты -- дисклокационные дефекты -- релаксация напряжений -- дислокационная релаксация -- заращенные квантовые точки -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- атомно-силовой микроскоп -- АСМ -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии
Аннотация: Представлены электронно-микроскопические свидетельства дислокационной релаксации напряжений вблизи квантовых точек InAs, перешедших в объем GaAs путем заращивания. Обнаружено, что в некоторых объемных квантовых точках образуются дислокационные дефекты, не выходящие на поверхность пленки. Это указывает на релаксацию напряжений в заглубленном состоянии квантовой точки, а не на стадии образования и роста островка InAs на поверхности GaAs. Приводятся модели внутренней дислокационной релаксации заращенных квантовых точек.

Доп.точки доступа:
Берт, Н. А.; Колесникова, А. Л.; Неведомский, В. Н.; Преображенский, В. В.; Путято, М. А.; Романов, А. Е.; Селезнев, В. М.; Семягин, Б. Р.; Чалдышев, В. В.

Найти похожие

15.

Роль распределения напряжений на границе раздела пленка- (барьерный подслой) в формировании силицидов меди [Текст] / А. В. Панин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 118-125 : ил. - Библиогр.: с. 124 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
медь -- силициды меди -- тонкие пленки -- Cu -- отжиг -- термический отжиг -- термоотжиг -- напряжения -- распределение напряжений -- температура -- границы раздела пленок -- барьерный подслой -- кристаллографическая ориентация -- подложки -- кристаллиты -- Cu[3]Si -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- рентгеновская дифракция -- энергодисперсионный анализ -- коэффициент термического расширения -- КТР -- дефекты упаковки -- экспериментальные исследования
Аннотация: Методами атомно-силовой и растровой электронной микроскопии, рентгеновской дифракции, а также энергодисперсионного микроанализа исследован процесс образования силицидов в тонких пленках Cu при термическом отжиге. Показано, что периодическое распределение напряжений, возникающее при повышенных температурах на границе раздела пленка- (барьерный подслой), может определять характер формирования силицидов меди. Исследовано влияние материала барьерного подслоя и кристаллографической ориентации подложки на плотность распределения и форму кристаллитов Cu[3]Si.

Доп.точки доступа:
Панин, А. В.; Шугуров, А. Р.; Ивонин, И. В.; Шестериков, Е. В.

Найти похожие

16.

Торхов, Н. А.
Влияние периферии контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки на их статические вольт-амперные характеристики [Текст] / Н. А. Торхов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 615-627 : ил. - Библиогр.: с. 626-627 (31 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- контакты металл-полупроводник -- КМП -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- метод Кельвина -- Кельвина метод -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- метод атомно-силовой микроскопии -- электростатические потенциалы -- золотые контакты -- контактная разность потенциалов -- КРП -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- периферийные области -- диэлектрические пленки -- электрические поля -- электрофизические свойства
Аннотация: Исследование методом Кельвина атомно-силовой микроскопии электростатического потенциала поверхности золотых контактов с барьером Шоттки на n-GaAs показало, что вокруг контактов существует протяженная на десятки мкм переходная область (ореол), в которой поверхностный потенциал изменяется от потенциала свободной поверхности n-GaAs до потенциала поверхности золотого контакта. Потенциал контакта и распределение потенциала в окружающем его ореоле определяются конструкцией контакта. Исследования токов растекания показали, что за счет сильных электрических полей ореола по периметру контакта существует высокопроводящая область (периферия), приводящая к появлению токов утечки. Проводимость основной площади контакта обусловлена локальными областями 100-200 нм с повышенной и пониженной проводящими способностями. Формирование вокруг контактов мезы приводит к уменьшению работы выхода, уменьшению протяженности ореола и напряженности электрического поля в нем, что сопровождается размытием и понижением проводимости периферийной области. Это приводит к исчезновению токов утечки и уменьшению показателя идеальности. Защита периферийной области контакта диэлектрической пленкой SiO[2] толщиной 0. 5 мкм, напротив, увеличивает работу выхода, что сопровождается образованием вокруг контакта ориентированных по двум взаимно перпендикулярным кристаллографическим направлениям лепестков потенциала. Более сильное проникновение электрических полей ореола в область контакта приводит к увеличению показателя идеальности, исчезновению высокопроводящей периферийной области и токов утечки. Различие электрофизических свойств периферии, зерен золота и их границ определяет механизм включения контакта при подаче прямого или обратного смещений.

Найти похожие

17.

Вольт-амперные характеристики легированных кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs с защитным покрытием AlGaAs, заращенных нелегированным слоем GaAs [Текст] / П. А. Дементьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 636-641 : ил. - Библиогр.: с. 640-641 (25 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
нитевидные нанокристаллы -- ННК -- GaAs -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- нанокристаллы -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- легирование -- кремний -- атомно-силовой микроскоп -- АСМ -- дифракция быстрых электронов на отражение -- ДБЭО -- продольная проводимость -- защитные покрытия -- нелегированные слои -- объемные кристаллы -- подложки
Аннотация: Предлагается метод измерения продольных вольт-амперных характеристик полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, сохраняющих контакт с поверхностью роста. Метод основан на создании устойчивого проводящего контакта вершины индивидуального нитевидного нанокристалла с зондом атомно-силового микроскопа. Показано, что по мере увеличения силы прижима зонда к вершине нитевидного нанокристалла происходит прокалывание покрывающего ее естественного окисла и достигается прямой контакт зонда с материалом нанокристалла. Для избежания изгиба с последующим обламыванием нитевидных нанокристаллов необходимо их фиксировать в пространстве. В настоящей работе фиксация нитевидных нанокристаллов GaAs осуществлялась за счет их частичного заращивания слоем GaAs. Для обособления нанокристаллов в заращивающей матрице они покрывались нанометровым слоем AlGaAs. В работе изучалось легирование кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs. Вид полученных вольт-амперных характеристик показывает, что введение кремния приводит к p-типу проводимости нанокристаллов, в отличие от n-типа объемных кристаллов GaAs, получаемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Наблюдаемое отличие объясняется присутствием в процессе пар-жидкость-кристалл при получении нитевидных нанокристаллов конечной фазы жидкофазной эпитаксии, для которой характерно формирование p-типа проводимости при выращивании объемных кристаллов GaAs (Si).

Доп.точки доступа:
Дементьев, П. А.; Дунаевский, М. С.; Самсоненко, Ю. Б.; Цырлин, Г. Э.; Титков, А. Н.

Найти похожие

18.

Люминесцентные и структурные свойства пленок ZnO-Ag [Текст] / В. С. Хомченко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 713-718 : ил. - Библиогр.: с. 718 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
пленки -- ZnO-Ag -- окись цинка -- серебро -- легирование -- подложки -- сублимация -- рентгеновская дифракция -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- фотолюминесценция -- ФЛ -- кадотолюминесценция -- КЛ -- структурные свойства -- люминесцентные свойства -- излучательные свойства
Аннотация: Пленки ZnO-Ag получены двухступенчатым методом на стеклянных и сапфировых подложках. Легирование серебром осуществлялось методом сублимации с близкого расстояния при атмосферном давлении. Толщина пленок варьировалась от 0. 6 до 7 мкм. Для исследования структурных и излучательных свойств были использованы методы рентгеновской дифракции, атомно-силовой микроскопии, фотолюминесценции и кадотолюминесценции. Изучено влияние условий получения на свойства пленок. Найдено, что легирование серебром модифицирует кристаллическую структуру пленок - способствует ориентированному росту в направлении [0002] монокристаллических блоков размером 500-2000 нм. Улучшение кристаллического качества коррелирует с изменением излучательных характеристик пленок. Обсуждается природа центров свечения.

Доп.точки доступа:
Хомченко, В. С.; Кушниренко, В. И.; Папуша, В. П.; Савин, А. К.; Литвин, О. С.

Найти похожие

19.

Торхов, Н. А.
Природа прямых и обратных токов насыщения в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки [Текст] / Н. А. Торхов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 767-774 : ил. - Библиогр.: с. 774 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- металл-проводник -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- метод Кельвина -- Кельвина метод -- контактная разность потенциалов -- КРП
Аннотация: Сильная зависимость токов насыщения прямых и обратных вольт-амперных характеристик высокобарьерных (>0. 6 В) контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки от их диаметра D определяется встроенным и сонаправленным с собственным электрическим полем контакта дополнительным электрическим полем, которое образуется под влиянием периферии контакта. Это поле препятствует движению электронов через контакт при подаче на него прямого смещения. Увеличение диаметра контактов от 5 до 700 мкм приводит к уменьшению различия прямых и обратных токов насыщения с пяти порядков практически до нуля. Увеличение диаметра контакта, таким образом, приводит к уменьшению влияния периферии и уменьшению абсолютного значения встроенного электрического поля. Уменьшение высоты барьера (<0. 6 В для D=5 мкм) также приводит практически к полному совпадению прямых и обратных токов насыщения. На обратных ветвях вольт-амперных характеристик влияние встроенного поля проявляется в значительном уменьшении эффективной высоты потенциального барьера вследствие уменьшения его ширины вблизи вершины и значительного увеличения полевой эмиссии электронов через барьер при более низких значениях энергии. На прямых ветвях это проявляется практически в полном отсутствии прямых токов при малых смещениях.

Найти похожие

20.

Исследование процесса распада пересыщенного твердого раствора GaAs : Fe методом сканирующей зондовой микроскопии [Текст] / С. С. Хлудков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1009-1011 : ил. - Библиогр.: с. 1011 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- твердые растворы -- GaAs -- арсенид галлия -- легирование железом -- высокотемпературная диффузия -- отжиг -- комнатная температура -- распад твердых растворов -- ферромагнитные свойства -- сканирующая зондовая микроскопия
Аннотация: С помощью атомно-силового микроскопа проведено исследование процесса распада пересыщенного твердого раствора арсенида галлия, легированного железом (GaAs : Fe). Образцы GaAs : Fe получали в процессе высокотемпературной диффузии Fe в GaAs и последующего отжига при температуре на 200{o}C ниже температуры легирования. Измерения проведены на поперечных сколах по плоскости спайности пластин GaAs : Fe. Показано, что в процессе отжига GaAs : Fe происходит распад пересыщенного твердого раствора с образованием частиц второй фазы размером от ~50 нм до ~1 мкм. Частицы второй фазы обладают ферромагнитными свойствами при комнатной температуре.

Доп.точки доступа:
Хлудков, С. С.; Прудаев, И. А.; Новиков, В. А.; Толбанов, О. П.; Ивонин, И. В.

Найти похожие

1-20 21-40 41-52

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)