621.315.592 П 318 Пешев, В. В. Введение радиационных дефектов в GaAs при высоких температурах [Текст] / В. В. Пешев // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N11. - Библиогр.: с.90 (5 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- облучение -- радиационные дефекты Аннотация: Изучены дозовые зависимости концентрации радиационных дефектов при облучении GaAs в температурном интервале 380-550`C Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml |