621.315.592.546 Л 135 Лаврентьева, Л. Г. Молекулярно-лучевая эпитаксия GaAs при низких температурах: влияние избыточного мышьяка на структуру и свойства слоев [Текст] / Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, В. В. Преображенский, В. В. Чалдышев // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N8. - Библиогр.: с.17-19 (81 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- легирующие примеси -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- мышьяк Аннотация: В статье дан обзор работ, авторы которых изучали возможность управления свойствами эпитаксиального GaAs за счет введения избыточного (сверхстехиометрического) мышьяка в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) при низких температурах (LT-GaAS). Исследуется влияние избыточного мышьяка на структуру и свойства слоев LT-GaAS непосредственно после выращивания и после отжига. Рассматривается влияние легирующих примесей на захват избыточного мышьяка. Приводятся данные по влиянию избыточного мышьяка на свойства твердого раствора Ga[0,47]In[0,53]As. Обсуждаются особенности механизма захвата избыточного мышьяка в твердую фазу в условиях низкотемпературного эпитаксиального роста Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Вилисова, М.Д.; Преображенский, В.В.; Чалдышев, В.В. |