621.315.592 П 318 Пешев, В. В. Образование центров E4 (E[c]-0,76 эВ) в арсениде галлия [Текст] / В. В. Пешев, А. П. Суржиков // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N2. - Библиогр.: с.5 (13 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- радиационные дефекты -- центры -- электронное облучение Аннотация: В работе исследовались влияние энергии бомбардирующих электронов на скорость образования центров E4 (E[c]-0,76 эВ), а также температурные зависимости эффективности образования этих дефектов в нейтральном объеме (НО) и области пространственного заряда (ОПЗ) арсенида галлия n-типа. В качестве образцов использовались диоды с барьером Шоттки, полученные напылением титана на эпитаксиальные слои n-GaAs с n=(2-4)*10{15} см{3}. Концентрация центров определялась из спектров DLTS. Показано, что с увеличением энергии бомбардирующих электронов от 1,3 до 2,2 МэВ количество центров E4 резко возрастает в общем количестве радиационных дефектов. Установлено, что скорость введения центров Е4 в ОПЗ не зависит от температуры облучения и существенно больше, чем в НО. В НО скорость введения нелинейно возрастает с увеличением температуры облучения. Предполагается, что центр Е4 - комплекс, состоящий из двух элементарных дефектов, созданных в соседних узлах подрешеток Ga и As в едином акте соударения. При этом окончательная конфигурация комплекса формируется в результате взаимодействия этих дефектов, которое зависит от динамики преобразования их начальных зарядовых состояний Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Суржиков, А.П. |