Афанасьев, А. В.     Исследования термической стабильности и радиационной стойкости диодов Шоттки на основе карбида кремния [Текст] / А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, И. Г. Казарин, А. А. Петров // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N5. - Библиогр.: с. 81 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): диоды Шоттки -- карбид кремния -- термическая стабильность -- радиационная стойкость -- оже-спектроскопия -- барьерные структуры -- облучение -- нейтроны -- гамма-излучение Аннотация: Изготовлены диодные структуры с барьером Шоттки Pt-W-Cr-SiC, сохраняющие свои электрофизические параметры до температуры 450`С. Методом электронной оже-спектроскопии показано, что термическая стойкость обусловлена использованием многослойной металлической композиции, обеспечивающей стабильность границы раздела металл-карбид кремния. Проведены радиационные испытания полученных поверхностно-барьерных структур. Экспериментально установлено, что в диапазоне концентраций N[d]-N[a]=10{16}-5*10{17}cm{-3} при комплексном воздействии быстрыми нейтронами и сопутствующим гамма-излучением дозами 4.42*10{15}neutr./cm{2} и 8.67*10{5}R соответственно необратимые изменения характеристик барьерных структур происходят при концентрациях N[d]-N[a]=<8*10[16}cm{-3}. При этом деградация характеристик тем более, чем меньше уровень легирования материала Доп.точки доступа: Ильин, В.А.; Казарин, И.Г.; Петров, А.А.