539.2 Б 827 Борковская, О. Ю. Влияние gamma-облучения {60}Co на формирование омических контактов в структурах металл-GaAs (Al[x]Ga[1-x]As [Текст] / О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 3. - Библиогр.: c. 48-49 (24 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Электроника Кл.слова (ненормированные): гамма-облучение -- кобальт -- омические контакты -- арсенид галлия -- контактное сопротивление Аннотация: Исследовались особенности формирования невыпрямляющих контактов AuGe-GaAs (Al[0. 4]Ga[0. 6]As) , подвергнутых термобработкам, облучению gamma-квантами {60}Co и комбинированным воздействиям gamma-облучения при приложении к структурам электрического смещения. Установлены корреляционные зависимости между характером межфазовых взаимодействий в структурах и величиной их контактного сопротивления. Полученные результаты интерпретируются с позиций диффузионной модели при условии перемещения границы металллического слоя. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/03/page-44.html.ru Доп.точки доступа: Дмитрук, Н. Л.; Ермолович, И. Б.; Конакова, Р. В.; Миленин, В. В. |