537
С 536


    Снопова, М. Г.
    Анализ модели распределений неосновных носителей заряда, генерированных в трехслойной полупроводниковой структуре широким электронным пучком [Текст] / М. Г. Снопова, И. В. Бурылова, В. И. Петров, М. А. Степович // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 7. - С. 47-52 . - ISSN 0207-3528
УДК
ББК 22.33
Рубрики: Физика
   Электричество и магнетизм в целом

Кл.слова (ненормированные):
неосновные носители заряда -- электронные пучки -- трехслойные полупроводниковые структуры -- полупроводниковые структуры -- метод расчета распределений
Аннотация: Описан основанный на использовании модели независимых источников метод расчета распределений неосновных носителей заряда, генерированных в трехслойных планарных полупроводниковых структурах широким электронным пучком с энергией, характерной для электронно-зондовых устройств (5-30 кэВ). Показано, что в предельных случаях выражения, описывающие эти распределения, совпадают с данными, полученными ранее для двухслойной полупроводниковой структуры.


Доп.точки доступа:
Бурылова, И. В.; Петров, В. И.; Степович, М. А.


537.533.35
М 340


   
    Математическое моделирование зависимостей интенсивности монохроматической катодолюминесценции от энергии электронов пучка для трехслойной полупроводниковой структуры [Текст] / М. Г. Снопова [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 11. - С. 1534-1538. - Библиогр.: c. 1538 (10 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 22.338 + 22.345
Рубрики: Физика
   Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях

   Люминесценция

Кл.слова (ненормированные):
катодолюминесценция -- неосновные носители заряда -- трехслойная полупроводниковая структура -- электрофизические параметры -- математическое моделирование -- тонкие планарные источники -- неразрушающие методы оценки
Аннотация: Рассмотрены некоторые возможности моделирования зависимости монохроматической катодолюминесценции от энергии электронов пучка для трехслойной полупроводниковой структуры, диффузия неосновных носителей заряда в которой может быть описана с использованием модели независимых источников.


Доп.точки доступа:
Снопова, М. Г.; Михеев, Н. Н.; Петров, В. И.; Степович, М. А.