Абрамова, К. Б. Эмиссия фотонов и динамика субмикродефектов на поверхности благородных металлов [Текст] / К. Б. Абрамова, В. И. Веттегрень, И. П. Щербаков, В. Н. Светлов // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N2. - Библиогр.: с.132-133 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): благородные металлы -- дефекты -- лазерное излучение -- люминесценция -- субмикродефекты -- фотоны -- эмиссия фотонов Аннотация: Проведено экспериментальное исследование формы и количества дефектов, а также интенсивности люминесценции тыльной поверхности Cu, Ag и Au при облучении фронтальной стороны образцов лазерными импульсами. Показано, что в согласии с дислокационной моделью люминесценции существует корреляция между интенсивностью люминесценции и количеством дефектов, образующихся при облучении Доп.точки доступа: Веттегрень, В.И.; Щербаков, И.П.; Светлов, В.Н. |
Абрамова, К. Б. О динамике эмиссии фотонов, сопровождающей деформирование металлов [Текст] / К. Б. Абрамова, А. А. Семенов // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N11. - Библиогр.: с.51-52 (20 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): эмиссия фотонов -- лазерное облучение -- металлы -- механолюминесценция Аннотация: Проведены расчеты импульса эмиссии фотонов, возбуждаемого на тыльной стороне металлического образца при облучении его фронтальной стороны импульсом лазера. Осуществлено подробное сравнивание с результатами экспериментов Доп.точки доступа: Семенов, А.А. |
537.533.2 Я 538 Яльч, А. П. Эмиссия фотонов при бомбардировке рубина ионами и электронами средних энергий [Текст] / А. П. Яльч, И. Е. Митропольский [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 7. - С. 74-78 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): эмиссия фотонов -- оптическое излучение -- бомбардировка ионами и электронами -- рубин Аннотация: Исследованы характеристики оптического излучения, возникающего при бомбардировке ионами (Е = 1-15 кэВ) и электронами (Е = 100-1000 эВ) поверхности рубина. В спектральной области 200-800 нм обнаружены две широкие полосы с максимумами 330 и 450 нм, источниками которых являются дефекты кристаллической решетки. Наблюдается характеристическое излучение, связанное с излучательной релаксацией возбужденных ионовСг\{3+\} и приповерхностной области кристалла. Измерена зависимость интенсивности излучения от энергии и плотности тока бомбардирующих частиц. Определена степень поляризации излучения. Доп.точки доступа: Митропольский, И. Е.; Буксар, В. С.; Маркович, Л. М.; Поп, С. С. |
Эмиссия фотонов при взаимодействии ионов и электронов средней энергии с поверхностью некоторых щелочногалоидных кристаллов [Текст] / М. В. Приходько [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 10. - С. 43-46 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): эмиссия фотонов -- щелочногалоидные кристаллы -- ионно-фотонная спектроскопия -- электронно-фотонная спектроскопия -- эмиссия -- атомы калия Аннотация: Методами ионно-фотонной и электронно-фотонной спектроскопии исследован спектральный состав оптического излучения, которое возникает при бомбардировке поверхности некоторых щелочногалоидных кристаллов (KBr, KCl и KJ) ионами и электронами средней энергии. В исследованных спектрах выявлены два вида излучения, имеющие разные места локализации и различные механизмы генерации. Определен суммарный выход фотонов при облучении поверхности кристалла KBr электронами с энергией 600 эВ. Доп.точки доступа: Приходько, М. В.; Митропольский, И. Е.; Шароди, И. С.; Дащенко, А. И.; Буксар, В. С.; Поп, С. С. |
621.315.592 В 586 Влияние хвостов локализованных состояний в InGaN на уменьшение эффективности GaN-светодиодов с ростом плотности тока [Текст] / Н. И. Бочкарева [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 8. - С. 1054-1062 : ил. - Библиогр.: с. 1061 (27 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): локализованные состояния -- квантовая эффективность -- квантовые ямы -- плотность тока -- структуры -- InGaN -- светодиоды -- мощные светодиоды -- GaN-светодиоды -- спектры излучения -- эмиссия фотонов -- фотоны -- запрещенные зоны -- анализ результатов -- безызлучательная рекомбинация -- дефекты -- глубокие состояния -- коэффициент полезного действия -- КПД -- туннельная инжекция Аннотация: Изучается механизм уменьшения внутренней квантовой эффективности InGaN/GaN структур с множественными квантовыми ямами при плотностях тока до 40 А/см{2} в мощных светодиодах. Показано, что существует корреляция между уменьшением эффективности и уширением высокоэнергетичного края спектра излучения с ростом плотности тока. Показано также, что эффективность является спектрально зависимой величиной и эффективность эмиссии фотонов с более высокой энергией начинает уменьшаться при большей плотности тока. Рассмотрено влияние туннельного и активационного механизмов термализации носителей, захваченных в мелкие состояния хвостов в запрещенной зоне InGaN, на эффективность и форму спектра излучения. Анализ результатов позволяет сделать вывод, что причиной падения эффективности при высокой плотности тока является относительное возрастание вклада безызлучательной рекомбинации через состояния дефектов в результате роста заселенности глубоких состояний хвостов зон в InGaN. Показано, что близкий к теоретическому пределу коэффициент полезного действия может быть реализован при низковольтной туннельной инжекции в локализованные состояния хвостов зон в активной области InGaN. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/08/p1054-1062.pdf Доп.точки доступа: Бочкарева, Н. И.; Вороненков, В. В.; Горбунов, Р. И.; Зубрилов, А. С.; Латышев, Ф. Е.; Леликов, Ю. С.; Ребане, Ю. Т.; Цюк, А. И.; Шретер, Ю. Г. |