22.31
Е 780


    Ерофеенко, В. Т.
    Экранирование низкочастотных электрических полей системой экранов: тонкая незамкнутая сферическая оболочка-тонкостенная сферическая проницаемая оболочка [Текст] / В. Т. Ерофеенко, Г. Ч. Шушкевич // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N3. - Библиогр.: с.14-15 (12 назв.) . - ISSN 0044-4642
ББК 22.31
Рубрики: Физика--Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
проникновение излучения -- тонкостенные экраны -- экранирование поля
Аннотация: Решена задача о проникновении низкочастотных электрических полей через тонкостенную сферическую проводящую оболочку в присутствии тонкой незамкнутой сферической идеально проводящей оболочки методом парных уравнений с использованием усредненных граничных условий. Численно исследовано влияние угла раствора незамкнутой сферической оболочки и месторасположения источника поля на коэффициент ослабления поля внутри замкнутой тонкостенной оболочки для различной толщины и материала оболочки


Доп.точки доступа:
Шушкевич, Г.Ч.


537.311.33
П 484


    Поклонский, Н. А.
    Экранирование электрического поля и квазистатическая емкость индуцированного заряда в полупроводниках с прыжковой электропроводностью [Текст] / Н. А. Поклонский, С. А. Вырко // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N10. - Библиогр.: с.75 (22 назв.) . - ISSN 0021-3411
УДК
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
длина экранирования Дебая-Хюккеля -- квазистатическая емкость -- прыжковая электропроводность -- экранирование поля
Аннотация: Получены выражения для длины экранирования внешнего электростатического поля в кристаллическом полупроводнике по Дебаю_хюккелю и Шоттки-Мотту при прыжковой миграции электронов (дырок) по водородоподобным донорам (акцепторам). Показана возможность определения длины экранирования дебая-Хюккеля, исходя из измерений квазистатической емкости для малых и больших степеней компенсации основной легирующей примеси даже в условиях сильного поля, т.е. в приближении Шоттки-Мотта. Частота электрического сигнала при измерении емкости должна быть много меньше средней частоты прыжков электрона по донорам


Доп.точки доступа:
Вырко, С.А.