537.311.33 П 484 Поклонский, Н. А. Экранирование электрического поля и квазистатическая емкость индуцированного заряда в полупроводниках с прыжковой электропроводностью [Текст] / Н. А. Поклонский, С. А. Вырко // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N10. - Библиогр.: с.75 (22 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): длина экранирования Дебая-Хюккеля -- квазистатическая емкость -- прыжковая электропроводность -- экранирование поля Аннотация: Получены выражения для длины экранирования внешнего электростатического поля в кристаллическом полупроводнике по Дебаю_хюккелю и Шоттки-Мотту при прыжковой миграции электронов (дырок) по водородоподобным донорам (акцепторам). Показана возможность определения длины экранирования дебая-Хюккеля, исходя из измерений квазистатической емкости для малых и больших степеней компенсации основной легирующей примеси даже в условиях сильного поля, т.е. в приближении Шоттки-Мотта. Частота электрического сигнала при измерении емкости должна быть много меньше средней частоты прыжков электрона по донорам Доп.точки доступа: Вырко, С.А. |