539.2 Г 621 Голубев, О. Л. Термополевые формоизменения сплава вольфрам-гафний [Текст] / О. Л. Голубев, В. Н. Шредник // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N6. - Библиогр.: 17 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): вольфрам -- германий -- полевые эмиттеры -- сплавы -- термополевое воздействие -- термополевое формоизменение Аннотация: С помощью полевых эмиссионных методов изучалось одновременное воздействие сильных электрических полей и высоких температур на острийные полевые эмиттеры из сплава W-Hf. Для подобных сплавов выявлены в принципе те же стадии термополевого формоизменения, что и для чистых металлов, хотя и с рядом характерных особенностей, обусловленных поверхностной сегрегацией Hf. Термополевая обработка эмиттеров из таких сплавов приводила к существенному увеличению степени локализации эмиссии в узком телесном угле и к улучшению эмиссионных параметров эмиттеров. Термополевая обработка сопровождалась высокотемпературным полевым испарением с эмиссией преимущественно ионов Hf Доп.точки доступа: Шредник, В.Н. |
539.21:537 Г 621 Голубев, О. Л. Регулирование количества локальных эмитирующих нановыступов на поверхности полевого эмиттера [Текст] / О. Л. Голубев, авт. В. А. Ивченко // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 20. - С. 63-68 : ил. - Библиогр.: с. 68 (9 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): нановыступы -- наноразмерные выступы -- эмитирующие нановыступы -- локальные нановыступы -- эмиттеры -- полевые эмиттеры -- вольфрамовые эмиттеры -- эмитирующие поверхности -- термополевое воздействие -- электрические поля -- температура -- количество выступов -- напряженность поля Аннотация: Описывается процедура направленного изменения количества эмитирующих наноразмерных выступов на поверхности полевого вольфрамового эмиттера. Суть процедуры состоит в том, что сначала посредством термополевого воздействия на эмиттер на его поверхности выращивается некое достаточно большое количество выступов, что не представляет, как правило, больших сложностей. Затем посредством процедуры контролируемого снижения величины напряженности приложенного электрического поля при определенной постоянной температуре эмиттера можно уменьшать количество выступов вплоть до единичного выступа на поверхности. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/20/p63-68.pdf Доп.точки доступа: Ивченко, В. А. |